提高金—钯厚膜导体老化结合强度的尝试

<正> 金—钯厚膜导体不如银—钯厚膜导体使用那样广泛。但在有些军用的厚膜线路中拒绝用银,因为已有因银迁移而失效的教训。在这种情况下,采用金—钯导体是最经济的解决办法(1)。但是,钯的存在,钯的氧化—还原性质阻碍了金—钯导体在800℃以下烧结过程中的密度增长。与金—钯导体比较,烧成膜的致密性差(2)。热老化过程中,锡较易往导体     

环保型厚膜导体浆料的开发

为适应电子制造“绿色化”的潮流，本公司自主开发环保型电子浆料，按市场的需求，填补空缺，用户满意是我们的目标。 环保型厚膜导体浆料，采用化学法制超细钯银合金粉作功能相，合金化完全，平均粒度0．1μm，比表面积10m^2/g；自主研制无铅碱土金属硼硅酸玻璃系列及Bi2O3、Cu2O、MnO等反应物作复合型高粘合相；以Na2SiF6、NaAlF4、NaBF4等氟化物取代CdO作助溶剂。无有害元素，用最新的变频混磨碾轧工艺配制浆料，适用于厚膜电路、片式元件、多层陶瓷电容器等。主要用于制作电路、端头和电极。导体表面光滑、致密，导电率高5～18mΩ／□，附着力大于120kg／cm^2，可焊性、抗浸蚀能力及老化性能优良。     

铜导体已成功地应用于厚膜电路

采用氧化钌电阻和铜导体之间插入银钯焊区的新工艺,获得了较好的阻值稳定性和导带附着力,使铜导体成功应用于厚膜电路。     

氧化铝基片对厚膜钯银导体附着力的影响

本文主要介绍了厚膜混合集成电路中氧化铝基片对钯银导体附着力的影响。试验发现不同厂家或不同批次的氧化铝基片的钯银的附着力有很大的差别，不同的钯银浆料在相同的基片上的附着力也不同。     

微波传输用HTCC金属化钨浆料的研制

研究了高温共烧厚膜导体钨浆料的制备工艺,分析了金属钨粉微观形貌及粒度分布,无机粘结相含量对印刷分辨率、金属化与陶瓷基板的结合强度、金属化层方阻值的影响。为满足微电子封装要求,通过选用粒度小于5μm、表面光滑的球形的两种钨粉进行混合,添加适量无机粘结相和以乙基纤维素为主的有机载体,采用球磨或者三轴研磨机进行有效分散,并将浆料粘度控制在一定范围内,制备出适合100μm线宽/间距精细印刷、金属化与陶瓷基板的结合强度54 MPa、方阻值为6mΩ/□的金属化浆料。将研制的金属化钨浆料应用在作为微波器件封装外壳的信号输入输出端口的陶瓷绝缘子上,在29~31GHz的Ka波段,绝缘子的插入损耗为0.4dB,电压驻波比(VSWR)小于1.15。     

功率超声雾化制备钛金属粉末的实验研究

金属粉末的制备是粉末冶金的关键,等离子旋转电极法,是现代工业上采用的离心雾化法制取金属粉末的主要方法之一,但存在着特雾化金属棒需要高速电机及其运动高速旋转棒的机构,而且,而且,制取的粉末粒度较大。文章介绍了采用功率超声振动能量制取超细金属粉末的超声雾化法,提出了超声换能器振动系统、等离子枪、阳极喷咀、阴极及其最佳尺寸和工作参数,给出的实验结果表明,用文章中所述方法制取的钛金属粉末平均粒度约100μm,小于180μm的粉末占84．0％,小于125μm的粉末占63．7％,而用等离子旋转电极法制取的粉末粒度分别占19．5％和11．7％,在粒度方面优于等离子旋转电极法。     

北京西北城区2002年春季大气可吸入颗粒物的粒度分布特征

本文应用高分辨率场发射扫描电镜(FESEM)获得北京西北城区2002年春季可吸入颗粒物显微形貌图片,并利用数字图像粒度分析系统得到可吸入颗粒物中烟尘集合体、燃煤飞灰、矿物等三种主要颗粒的数量一粒度分布数据。结果表明,北京市西北城区2002年春季可吸入颗粒物的粒径主要分布在l～2．5μm之间,其次在2．5～10μm之间,矿物颗粒占总颗粒数量的82．25％。对矿物颗粒的数量—粒度分布和体积—粒度分布进行对比表明,小于5μm的颗粒虽然在体积上只占20％,但在数量上却达90％。因为颗粒越细,其比表面积越大,吸附的有害物质也越多,所以细颗粒物今后应深入研究。     

从废钯银铜合金中制取超细纯钯粉

采用正交试验法,用较少的试验次数,回收废高强度漆包钯银铜合金线,纯化钯粉的纯度和粒度均达到冶金部YB1705-78标准要求,取得了较好的经济效益。     

无公害钯—银无玻璃导体浆料的研制

本文概述了无玻璃导体材料的粘结机理，导体种类、特点及应用，同时介绍了一种试制的钯—银无玻璃导体浆料．本文采用混合还原法制各钯—银合金粉，以微量氧化物(如CuO、NiO等)与瓷基体(Al2O3或BeO等)成分反应生成离子键化合物，牢固地将金属粒子粘附在瓷基体上，导体的附着力、可焊性及导电、导热性得以改善，且不含铅、镉、汞和高价铬等有害元素，符合电子材料无公害化要求，值得重视，以期在我国微电子技术领域和无线电元件生产中应用．     

5Gb/s单片集成GaAs MSM/PHEMT 850nm光接收机前端

采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制出了一种单片集成850nm光接收机前端,它包括金属-半导体-金属(MSM)光探测器和分布放大器.探测器光敏面积为50μm×50μm,电容为0.17pF,4V偏压下的暗电流小于17nA.分布放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ;在50MHz～16GHz范围内,输入、输出电压驻波比均小于2;噪声系数在3.03～6.5 dB之间.光接收机前端在输入2.5和5Gb/s非归零伪随机二进制序列调制的光信号下,得到较为清晰的输出眼图.     

5Gb/s单片集成GaAs MSM/PHEMT 850nm光接收机前端

采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制出了一种单片集成850nm光接收机前端,它包括金属-半导体-金属(MSM)光探测器和分布放大器.探测器光敏面积为50μm×50μm,电容为0.17pF,4V偏压下的暗电流小于17nA.分布放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ;在50MHz～16GHz范围内,输入、输出电压驻波比均小于2;噪声系数在3.03～6.5 dB之间.光接收机前端在输入2.5和5Gb/s非归零伪随机二进制序列调制的光信号下,得到较为清晰的输出眼图.     

小粒径片状银粉的制备

讨论了化学还原--机械球磨制备片状银粉的生产工艺.通过正交试验法安排试验,分析了前驱体银粉制备工艺及球磨工艺对最终片银粒度分布等性能的影响,得出的较优工艺参数组合是:硝酸银初始浓度为60 g/L,水合联氨初始浓度为80 g/L,分散剂用量为硝酸银质量的0.4%,结果表明,该工艺参数组合制备的片银粒度分布的D50在3μm～4μm.     

简并Hg_(1-x)Cd_xTe半导体的费密能级和Burstein-Moss效应

当半导体的费密能级进入导带,本征光吸收边就会向短波方向移动,这就是Burstein-Moss效应。对Hg_(1-x)Cd_xTe半导体尚未见到有关研究报道。我们采用三个不同组份、高电子浓度的Hg_(1-x)Cd_xTe薄样品:x=0.165,N_D~*=4×10~(16)cm~(-3),d=10μm;x=0.17,N_D~*=5.85×10~(15)cm~(-3),d=9μm;以及x=0.194,N_D~*=2.2×10~(16)cm~(-3),d=24μm。采用PE983红外分光光度计在5～33μm波长范围和77～300K     

Gx60HG型高稳定低衰减光纤

该光纤的衰减一般可稳定在5db/km,最低衰减2.3 db/km(λ=0.85μm),在-60～+80℃温度内衰减变化小于0.5db/km,平均强度5kg 以上((?)150μm),丝径公差(?)150±3μm,数值孔径0.16～0.24。该光纤可用于保密通信、雷区通信等特殊     

优于95%Al_2O_3的55%Al_2O_3陶瓷基板的研制——试论55%Al_2O_3多层陶瓷母板制造工艺

本文介绍55％重量Al_2O_3和45％重量玻璃作基板材料,采用扎膜成型;银95％重量和钯5％重量作导体材料,用丝网漏印法布线;在880～920℃烧成的多层陶瓷基板。其性能不仅优于95％重量Al_2O_3瓷和M_0、Mn作导体材料烧成的多层基板,而且工艺简单,成本更低。它是制作集成电路基板的一种较理想的陶瓷材料。     

激光化学镀金形成精细图形

在无氰电镀液镀槽内电镀铁镍合金基础上利用激光化学镀金导线而形成精细电路图形。激光的功率和扫描速度直接影响导线的高度和宽度。能获得均匀的高度和宽度金导线和与导体最好的结合力。如导体的高度为0．7μm和宽度为37μm，这时的激光功率为0．5W和扫描速度为5μm／s。     

消息二则

▲《Review of Scientific instruments》1981年第10期报导:英国帝国学院黑体实验室研制成功一种由钯—银氧铯层组成的具有低表面电阻率的半透明光电阴极,在近红外响应区的截止波长已达到～1.5μm。     

微型喷嘴雾化直写技术制备厚膜导体研究

采用微细雾化喷射沉积直写的方法在陶瓷基板上制备银厚膜导体。主要研究了施加气压、喷嘴到基板距离、直写速度以及雾化气压对导体线宽的影响规律,分析了微型喷嘴雾化直写厚膜导体机理,并优化了工艺参数,得到了最佳工艺参数范围:施加驱动气压控制在0.05~0.10 MPa,喷嘴到基板距离0.4~1.2 mm,直写速度在15 mm/s以下,雾化气压0.14~0.24 MPa,所得线宽350~750μm,单层膜厚1.5~10μm。     

激光直接成像技术(Ⅴ)--化学镀Sn和直接覆铜板上的LDI

4 在化学镀锡上的LDI 这是指经制备的在制板铜箔上涂覆上一层厚度为0.8μm的锡箔,接着通过UV激光蚀去不需要的锡镀(涂)层及其底下的铜箔厚度3～5μm所形成的图形,最后以锡层为抗蚀剂进行碱性蚀刻(如常规的碱性CuCl2蚀刻液),便可得到所期望的精细导体图形.     

钯银导体热老化性能的探讨

高强度的钯银导体具有良好的初始附着力。但是,在常温存放或长时间热冲击的情况下,附着力明显下降,甚至带来灾难。本文从热老化机理入手,对改善老化附着力提出了多种设想。