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陶江 《固体电子学研究与进展》1988,(4)
<正> 一、引言 随着集成电路的发展,集成度的提高,器件尺寸将逐渐缩小,此时RC延迟时间及接触电阻的影响将越来越显著。目前广泛应用的多晶硅栅材料在亚微米技术中已不再适用,取代它的有硅化物/多晶硅栅。由于TiSi_2的电阻率低,形成温度低,因此是人们最重视的硅化物。本文对反应生成的TiSi_2/poly Si栅结构及TiSi_2/n~+-Si的接触特性进行了系统研究,有助于 相似文献
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以AAO/Si为模板,采用化学气相沉积(CVD)的方法在不同温度下,通过煅烧Zn粉和C粉的混合物制备ZnO/AAO/Si组装体系,并对其结构和性质进行了研究。扫描电镜(SEM)结果表明:随着煅烧温度的升高,AAO表面的孔洞逐渐被封堵,当温度达到900℃时,在AAO的表面出现了一层ZnO薄膜。X射线衍射(XRD)结果显示,700℃时在XRD图谱上观看到六角纤锌矿的ZnO的衍射峰,并且随着温度的升高,ZnO的衍射峰逐渐增强,当温度升至800和900℃时出现了ZnAl2O4的衍射峰。因此,化学气相沉积制备组装体系时的最适温为700℃。在700℃时煅烧不同恒温时间制备的ZnO/AAO/Si组装体系SEM图显示,随着恒温时间的延长,孔的封闭效应逐渐明显。 相似文献
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高超声速飞行器的高温窗口会对红外导引头成像性能产生严重影响。为了定量分析高温窗口效应,通过红外导引头信号响应特性和高温热辐射特性耦合的方法,建立了高温窗口作用下的红外导引头成像量化表征模型,并利用典型红外导引头系统高温窗口实验对该模型进行验证。基于量化表征模型,结合外场试验获取的船海辐射数据,实现了多种温度窗口作用下红外导引头成像结果计算,并对高温窗口作用下的红外导引头成像性能进行评估分析。分析结果表明:当窗口温度超过250℃时,肉眼基本无法通过图像分辨船只;当窗口温度超过300℃时,基本无法通过导引头识别算法实现目标的分辨和跟踪。 相似文献
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本文用XRD,RHEED和SEM对LPCVD掺氧多晶硅的结晶学性质进行了研究.结果表明,对于含氧量为8~37at%预淀积SIPOS薄膜其结构呈无定形.当进行高温热退火(T_a≥900℃)时,薄膜经历了一个再结晶过程.晶粒度的大小与退火条件有关;而修氧多晶硅中的含氧量对再结晶过程具有抑制作用. 相似文献
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利用电子束蒸发技术在Si衬底形成Au电极作为底栅电极,在底栅电极上生长SiO2薄膜。超声分散CVD法合成的商用单壁碳纳米管(SWCNTs),使用匀胶机将单壁碳纳米管悬浮液均匀旋涂于SiO2薄膜上。再利用荫罩式电子束蒸发技术,在单壁碳纳米管随机网络薄膜表面制备漏源电极。该工艺过程避免了碳纳米管过多的化学接触,有效地保护了碳纳米管的性状。在室温条件下对器件电学性能进行测试和分析。使用该方法制备的单壁碳纳米管随机网络薄膜场效应晶体管,具有器件性能稳定、重复性和一致性较好等优点,并可用于构建碳纳米管逻辑电路。该方法对于研究基于碳纳米管的大规模、低成本的集成电路,具有较高的借鉴价值。 相似文献
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均匀沉淀法制备SBN50陶瓷及其介电性能研究 总被引:1,自引:1,他引:0
以硝酸盐和NbF5为原料,尿素为沉淀剂,采用均匀沉淀法合成了Sr0.5Ba0.5Nb2O6(SBN50)前驱体。对前驱体及SBN50陶瓷的结构及介电性能进行研究。结果表明:前驱体经900℃煅烧可合成纯相SBN50粉体,颗粒平均粒径为100~200nm,较固相法低100~200℃。1400℃烧结制备的陶瓷相对密度达93%,无晶粒异常长大,在60℃附近有一明显弥散介电峰,tanδ峰值温度随频率增加移向高温。室温10kHz下,其εr为1500,tanδ为0.025。 相似文献
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Yang Xiaoli Chen Nuofu Yin Zhigang Zhang Xingwang Li Yang You Jingbi Wang Yu Dong Jingjing Cui Min Gao Yun Huang Tianmao Chen Xiaofeng Wang Yanshuo 《半导体学报》2010,31(9)
Zinc oxide (ZnO) thin films were grown on n-GaN/sapphire substrates by radio-frequency (RF) magnetron sputtering. The films were grown at substrate temperatures ranging from 400 to 700 ℃ for 1 h at a RF power of 80 W in pure Ar gas ambient. The effect of the substrate temperature on the structural and optical properties of these films was investigated by X-ray diffraction (XRD), atomic force microscopy (AFM) and photoluminescence (PL) spectra. XRD results indicated that ZnO films exhibited wurtzite symmetry and c-axis orientation when grown epitaxially on n-GaN/sapphire. The best crystalline quality of the ZnO film is obtained at a growth temperature of 600 ℃. AFM results indicate that the growth mode and degree of epitaxy strongly depend on the substrate temperature. In PL measurement, the intensity of ultraviolet emission increased initially with the rise of the substrate temperature, and then decreased with the temperature. The highest UV intensity is obtained for the film grown at 600 ℃ with best crystallization. 相似文献
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采用阳极氧化方法在镍钛形状记忆合金表面成功制备出氧化物纳米管阵列。实验结果表明,阳极氧化电压和温度是影响纳米管生长的重要因素。当阳极氧化电压较低时,温度效应不大,合金表面仅形成数十纳米厚的氧化物薄膜。当阳极氧化电压升至20V,在20℃阳极氧化可形成双氧化物层(表面为不均匀多孔纳米结构,下部为具有两种不同直径的纳米管阵列);增大阳极氧化温度至30℃,表面多孔纳米结构溶解,露出底部的纳米管阵列;当阳极氧化温度增大至50℃时,纳米管开始出现破裂。纳米管为Ni-Ti-O氧化物,纳米管的镍含量与镍钛基体相比有所降低。 相似文献
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用红外电视选行扫描仪观察由不同P型掺杂剂的外延片制成的InGaAsP/InP双异质结发光管的暗缺陷,并研究了它的来源。比较了P型掺杂剂的种类和掺杂浓度对暗结构的影响。结果表明,掺Mg和掺In-Zn合金与重掺Zn器件相比,暗结构比例明显降低。Zn可能是暗缺陷的重要来源之一。器件在70℃,85℃条件下老化2000小时后,老化前无暗缺陷的某些器件亦有暗结构产生,但其生长率很慢。 相似文献
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尿素共沉淀法制备Nd:YAG纳米粉体 总被引:1,自引:1,他引:0
采用共沉淀方法,以Nd2O3、Y2O3和Al(NO3)3?9H2O为起始原料,以尿素为沉淀剂,制备Nd:YAG纳米粉体,制备的粉体经XRD、TG-DTA、FESEM以及激光散射等测试手段对其结构和形貌进行测试研究。XRD表明,前驱体在900℃煅烧3小时出现了YAG相和YAM中间相,在1000℃及其以上煅烧3小时后已完全转变成YAG相,且随着煅烧温度升高,衍射峰逐步增强,900-1200℃煅烧的Nd:YAG晶格常数值从1.2012nm变化到1.1994nm,颗粒度从31nm变化到96nm,激光粒度仪也给出了类似的变化趋势。TG-DTA结果表明当前驱体加热到1200℃时,粉体总重量损失约为43%。对前驱体进行了水洗和乙醇洗两种洗涤,比较发现乙醇洗涤更有利于Nd:YAG纳米粉体的分散,这些实验结果可为制备优良YAG透明陶瓷粉体提供参考。 相似文献
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为了研究蓝宝石/AlN/GaN外延片表面层热应力分布及影响因素,以直径d为40 mm的外延片为研究对象,利用有限元分析法对其表面热应力分布进行了理论计算和仿真,验证了仿真模型的合理性。分析了外延片生长温度、蓝宝石衬底和AlN过渡层厚度对表面热应力的影响。结果显示:在1 200℃的生长温度下,外延片径向应力比轴向应力大一个量级;在径向(d32 mm)区域内的热应力分布比较均匀,热应力变化范围为0.38%;生长温度在600~1 200℃范围内,外延层表面应力与生长温度呈近似正比关系。研究成果可为该类外延片生长工艺研究和低应力外延片的筛选标准制定提供借鉴。 相似文献