一种低成本高密度的高速数模混合微系统集成

提出了一种全金属管壳封装、双面布局6层布线的叠层多芯片组件微系统结构,以实现500MHz高速数模混合微系统集成,并借助SpecctraQuest软件仿真了基板上关键互连线的传输特性.     

一种低成本高密度的高速数模混合微系统集成

提出了一种全金属管壳封装、双面布局/六层布线的叠层多芯片组件微系统结构,以实现500MHz高速数模混合微系统集成,并借助SpecctraQuest软件仿真了基板上关键互连线的传输特性.     

埋置型叠层微系统封装技术

包含微机电系统(MEMS)混合元器件的埋置型叠层封装,此封装工艺为目前用于微电子封装的挠曲基板上芯片(COF)工艺的衍生物.COF是一种高性能、多芯片封装工艺技术,在此封装中把芯片包入模塑塑料基板中,通过在元器件上形成的薄膜结构构成互连.研究的激光融除工艺能够使所选择的COF叠层区域有效融除,而对封装的MEMS器件影响...     

数字处理器SiP封装工艺设计

由于系统小型化要求,数字处理分机由原来的机箱缩小为一个表贴器件。通过选用裸芯片采用SIP封装的形式,把集成电路A D C芯片、A SIC、存储芯片和各类无源元件如电容、电感等集成到一个多层基板上。以现有混合集成技术为基础,主要研究器件装配工艺选择,对于关键器件,采用电磁仿真软件模拟装配方式对性能的影响。通过有限元仿真,分析芯片的散热需求;并详细探讨了基板材料对封装器件散热的影响。     

MCM(MCP)封装测试技术及产品

1、简介南通富士通的MCM封装测试技术是利用陶瓷基板或硅基板作为芯片间的互连,将二片以上的超大规模集成电路芯片安装在多层互连基板上,再用金丝与金属框架相连通,而后由树脂包封外壳的多芯片半导     

低功耗DDR高速信号的封装布线方案设计及信号完整性分析

不同于印制电路板的制作工艺,芯片封装基板的走线更细,线间距更窄。狭小的布线空间使传输线效应更为明显,而且封装设计的好坏直接影响芯片是否可以正常工作,同时芯片成本的控制要求布线层尽量要最少。这些问题使得高速信号布线面临严峻的挑战。在国家科技重大专项的资助下,使用全波电磁场仿真工具进行建模分析,研究了布线中线宽、线间距和参考地对信号传输质量和信号间串扰的影响,并且基于一款低功耗DDR高速芯片的双层封装布线设计,在实际设计方案中对分析结果进行了仿真验证,最终得到了一种高质量、低成本封装基板高速布线方案,速率达到1 333 Mb/s。     

IC封装中键合线传输结构的仿真分析

随着高频高速集成电路制造工艺的不断进步,电子封装技术的发展也登上了一个新高度。作为微电子器件制造过程中的重要步骤之一,封装中的传输线、过孔、键合线等互连结构都可能对电路的性能产生影响,因此先进的集成电路封装设计必须要进行信号完整性分析。介绍了一种键合线互连传输结构,采用全波分析软件对模型进行仿真,着重分析与总结了键合线材料、跨距、拱高以及微带线长度、宽度五种关键设计参数对封装系统中信号完整性的影响,仿真结果对封装设计具有实际的指导作用。     

一种毫米波BGA封装低成本测试方法

提出一种可应用于毫米波BGA(Ball Grid Array)封装器件的低成本无损测试方法。该测试方案主要由毛纽扣及两块单层基板组成。其中,毛纽扣作为封装焊球与基板之间的垂直互联媒介,实现信号传输。同时,毛纽扣具有较小的弹性接触力,在测试过程中能够保护焊球不受损伤。毛纽扣与基板形成的介质填充类同轴结构和基板上的高低阻抗线共同参与阻抗匹配,通过电磁仿真软件HFSS 优化可以在毫米波频段内实现良好的射频传输。最后,基于该方法,设计了一款可应用于Ka频段的测试座样件。实测结果表明,该测试座方案在21~33 GHz 范围内实现端口互连回波损耗优于-14 dB。     

埋置型叠层微系统封装技术

包含微机电系统(MEMS)混合元器件的埋置型叠层封装,此封装工艺为目前用于微电子封装的挠曲基板上芯片(COF)工艺的衍生物。COF是一种高性能、多芯片封装工艺技术,在此封装中把芯片包入模塑塑料基板中,通过在元器件上形成的薄膜结构构成互连。研究的激光融除工艺能够使所选择的COF叠层区域有效融除,而对封装的MEMS器件影响最小。对用于标准的COF工艺的融除程序进行分析和特征描述,以便设计一种新的对裸露的MEMS器件热损坏的潜在性最小的程序。COF/MEMS封装技术非常适合于诸如微光学及无线射频器件等很多微系统封装的应用。     

一种高密度系统封装的设计与制作

介绍了硅基内埋置有源芯片多层布线工艺、低温共烧陶瓷(LTCC)基板工艺、芯片叠层装配等高密度系统级封装技术,重点介绍了系统级封装技术的总体结构设计、主要工艺流程、三维层叠互连的关键工艺技术,以及系统测试和检测评价等技术.     

低温共烧陶瓷基板及其封装应用

低温共烧陶瓷LTCC基板是实现小型化、高可靠微波多芯片组件MMCM的一种理想的封装技术一文章对LTCC技术的特点及应用做出了评述,主要介绍国内外LTCC的现状、发展趋势与问题,同时突出强调了LTCC的飞速发展及对微波器件的重要性。     

从《2003年版日本电子封装技术发展规划》看PCB的发展趋势

以“2003年版日本电子封装技术发展规划”报告中的印制电路板相关内容为基本素材,从一般印制电路板(主板)、封装基板、埋入元器件基板三个方面阐述了未来印制电路板制造技术的发展趋势。     

基于一体化封装的小型化设计与实现

以一个幅度调制器模块的小型化需求为例,基于一体化封装技术,设计构造出一种小型化封装结构,并详细介绍了该结构的外形特点与材料特性。利用这种封装结构对原模块电路进行小型化设计,外形尺寸可由91 mm×28 mm×8.5 mm减小为20 mm×15 mm×7.6 mm,平面布版面积缩小约88%。利用多芯片组装(MCM)和表面组装(SMT)工艺,组装实现了小型化电路,实测其电参数指标与原电路基本一致,成功达到了小型化目的。     

用UV激光加工高密度印制板

在本文中,讨论激光技术的几个基本概念和激光加工材料的机理及其加工实例。     

SIP封装工艺

系统级封装（SIP）技术从20世纪90年代初提出到现在,经过十几年的发展,已经被学术界和工业界广泛接受,成为电子技术研究新热点和技术应用的主要方向之一,并认为它代表了今后电子技术发展的方向,SIP封装工艺作为SIP封装技术的重要组成部分,这些年来在不断的创新中得到了长足的发展,逐渐形成了自己的技术体系,值得从事相关技术行业的技术人员和学者进行研究和学习,文章从封装工艺角度出发,对SIP封装制造进行了详细的介绍,另外也对其工艺要点进行了详细的探讨。     

“2005年版日本安装技术路线图” 中的PCB技术路线

概述了"2005年版日本安装技术路线图"中的PCB技术路线.     

LTCC微波一体化封装

文章介绍了采用LTCC技术制作微波一体化封装,重点研究了X波段LTCC一体化封装的微带穿墙结构及其微波特性。同时对封装的散热结构进行了研究,根据不同的散热要求采用不同的散热结构。采用导热孔散热的方式,其热导率与导热孔的排列方式(孔径和间距)有关,热导率可达50W(m·K)-1。封装的气密性与导热孔的结构有密切关系,热沉的焊接可大大提高封装的气密性。     

基于叠层SIW滤波器的高集成硅基毫米波收发前端

提出了一种基于硅基晶圆级封装技术的小型化Ka频段收发前端,实现了接收通道、发射通道与本振产生电路的一体集成。该收发前端采用嵌入叠层型基片集成波导(SIW)滤波器结构实现高选择性预选滤波与低损耗垂直互连过渡的一体化设计。测试结果表明,该Ka频段滤波器中心损耗1 dB,1 dB带宽4.02 GHz,中心频偏5 GHz处抑制度优于35 dB,仿真与测试结果吻合良好。在前端模组设计中,通过采用硅基微腔屏蔽实现紧凑尺寸下各功能单元的隔离,通过采用1/4波长短路传输线结构抑制电源、控制等低频信号对接收中频的干扰,最终实现了该毫米波收发前端的小型化集成,其尺寸仅为20 mm×20 mm×1.25 mm,主要电性能满足设计要求。     

A chip-on-board packaged bandpass filter using cross-coupled topological optimised hairpin resonators for X-band radar application

Devices that are compact in design and fabrication continue to draw attention for specific applications that require high performance. A compact elliptic bandpass filter using a cross-coupled topological structure with a hairpin resonator optimised for radar applications is presented in this paper. This work presents the design theory and corresponding semiconductor fabrication processes and describes the chip-on-board packaging method in detail. The proposed design of the bandpass filter can not only reduce the size of the device and result in good RF performance, but the accurate semiconductor fabrication process can also ensure high performance further. In addition, the presented chip-on-board packaging method can greatly enhance the reliability and long-term stability of a microwave device, which rarely introduces RF characteristic interference. The simulated, bare-chip measured and final chip-on-board measured results agreed well, which validated the correctness of the proposed approach.     

铝阳极氧化技术制作三维铝封装基板

采用铝阳极氧化技术,制作了含有阵列型铝通柱的10.16 cm(4英寸)直径封装基板。由金相显微镜观察:基板的厚度在300μm左右,铝通柱的表面直径约158μm,内部最大直径约473μm。分析结果表明:图形掩膜边缘存在侧向阳极氧化效应,因而造成铝通柱实际为纺锤体结构。由半导体网络分析仪测得铝通柱和铝栅格地之间的绝缘电阻达到1011Ω;通过矢量网络分析仪反推出基板介质在1 MHz下的相对介电常数为5.97。这种三维铝封装基板制作工艺简单、成本低廉,可用于系统级封装领域。