应用遗传算法实现MOS器件综合

研究了将遗传算法应用于器件综合问题,针对参数化的器件空间设计了相应的适应度函数和遗传算子,可用来得到器件的可行设计空间及研究参数对器件性能的影响.对FIBMOS器件的综合设计研究结果显示了本方法的有效性.     

应用遗传算法实现的MOS器件综合系统

为实现器件综合,即从期望的器件性能出发得到优化的器件设计参数,最关键的是要选用有效的优化搜索器件。文章将遗传算法应用于实现一个器件综合的原形系统,并通过对FIB-MOS器件的综合设计,验证了遗传算法和该器件综合原形系统的有效性。器件的参数化表示也被作为器件综合的重要问题进行了讨论。     

用虚拟制造设计低压功率VDMOS

采用虚拟制造方法设计了低压功率VDMOS器件,并对其进行结构参数、物理参数和电性能参数的模拟测试,确定了器件的物理结构.通过对这些参数和电学特性的分析,进一步优化设计,最终获得了满意的设计参数和性能.     

亚100nm SOI器件的结构优化分析

分析了SOI器件各结构参数对器件性能的影响,给出了器件各结构参数的优化方向,找出了可行硅膜厚度和可行沟道掺杂浓度之间的设计容区.在部分耗尽与全耗尽SOI器件的交界处,阈值电压的漂移有一个峰值,在器件设计时应避免选用这一交界区.此外,随着硅膜厚度的减小,器件的泄漏电流随着沟道掺杂浓度的不同,有一个极小值.通过模拟分析发现,只要合理选择器件的结构参数,就能得到性能优良的SOI器件.     

栅型共振隧穿晶体管的设计与研制

在研制RTD经验的基础上设计并研制成功栅型GaAs基共振隧穿晶体管(GRTT).文中对该器件的材料结构设计、器件结构设计、光刻版图设计、器件制作、参数测量与分析等进行了系统的描述.所研制出的GRTT最大PVCR为46,最大跨导为8mS,为进一步改善器件性能和参数奠定了基础.     

亚100nm SOI器件的结构优化分析

分析了SOI器件各结构参数对器件性能的影响,给出了器件各结构参数的优化方向,找出了可行硅膜厚度和可行沟道掺杂浓度之间的设计容区.在部分耗尽与全耗尽SOI器件的交界处,阈值电压的漂移有一个峰值,在器件设计时应避免选用这一交界区.此外,随着硅膜厚度的减小,器件的泄漏电流随着沟道掺杂浓度的不同,有一个极小值.通过模拟分析发现,只要合理选择器件的结构参数,就能得到性能优良的SOI器件     

GaN基HEMT器件特性建模及表征方法研究

目前,GaN基HEMT器件以其优越的性能而受到广泛的关注.在器件结构的设计中,器件的尺寸、材料的物理参数都严重影响GaN基HEMT器件的优越性能.基于器件仿真软件ISE-TCAD,本文研究了器件各部分的尺寸、各种材料的物理参数对器件沟道中二维电子气(2DEG)密度、器件直流特性等参数的影响.结果表明器件沟道中的二维电子...     

半导体器件与工艺综合

利用器件与工艺综合的思想,开发出自顶向下的新的器件和工艺设计方法,实现了该设计方法的MOSPAD软件,并利用MOSPAD系统做出了一定的综合结果. 做出了关于器件与工艺综合的两个实例,即对FIB器件的器件综合和对阱形成工艺模块进行的工艺综合,并证明了自顶向下的器件与工艺综合思想的可行性.     

半导体器件与工艺综合

利用器件与工艺综合的思想,开发出自顶向下的新的器件和工艺设计方法,实现了该设计方法的MOSPAD软件,并利用MOSPAD系统做出了一定的综合结果. 做出了关于器件与工艺综合的两个实例,即对FIB器件的器件综合和对阱形成工艺模块进行的工艺综合,并证明了自顶向下的器件与工艺综合思想的可行性.     

单片集成透镜高速1×4InGaAs/InPpin探测器阵列研究

设计并制作了带有集成透镜的1×4 InGaAs/InP pin探测器阵列.对器件纵向和横向结构参数及集成InP透镜几何参数进行了模拟设计与优化.器件带宽达1.0GHz,对宽带波分复用、光互连以及光计算网络有重要应用价值.     

改进的用于半导体器件综合系统的遗传算法

本文对应用于器件综合系统的遗传算法GENOCOP进行了改进.将实数设计空间根据参数的工艺精度影响转换为整型空间,并加入适应性复合算子利用已经得到的点来扩展和开发准可行空间.使其保持有效搜索到可行解的特性的同时,在同等的算法设置下,提高了对可行空间的覆盖率(约2.87倍),可以帮助设计人员更有效的设计可工作的器件.     

梳状微谐振器的简单器件综合。

介绍了MEMS器件中微谐振器的简单综合方法:在给出一要求的频率值和明确设计变量与设计约束的条件下,提出一组规范尺寸,并用一种有效面积的综合方法,得到相应的微谐振器器件拓扑结构图,以及一组优化且实际有效的拓扑参数,实现微谐振器的简单器件综合。并用ANSYS软件进行了返回验证,结果误差均很小,符合设计要求。     

Device Driver and DMA Controller Synthesis from HW /SW Communication Protocol Specifications

We have separated the information requiredfor HW/SW interface synthesis into three parts,the protocol specification, the operating system related information,and the processor related information. From these inputs a synthesistool generates (a) device driver functions or (b) a combinationof device driver functions and a DMA controller, depending ona designer's decision. The clean separation of information facilitates(1) efficient design space exploration with combinations of differentprocessors, operating systems and protocols, and (2) maintaininga large number of different versions and variants of HW/SWinterfaces by synthesising them on demand. Protocols are specifiedas a grammar, which is fully independent of architecture andimplementation. From this the synthesis tool generates devicedriver code in C and/or synthesizable RTL codein VHDL for DMA controllers. After the initial selection of implementationalternatives the presented methods are fully automated. Its computationalcomplexity is quadratic in terms of the number of states. Withreal-life examples we show that the quality of the generatedcode is close to hand written quality in terms of performance,area and code size.     

并行遗传算法在半导体器件综合中的应用

将并行遗传算法应用于器件综合,研究了基于孤岛模式的遗传算法的实现,并分析了算法参数,尤其是迁移间隔,对演化性能的影响.并行遗传算法可以利用多个计算机的计算能力,在较少的演化代数里获得所需要的结果.     

遗传算法在半导体器件参数提取软件中的实现

随着半导体器件参数的增加,目标函数的自变量空间维数变得越来越大。传统的优化算法已经不能很好地处理此类问题,主要表现在无法有效地达到目标函数的极小点。文章首先在参数提取软件中实现了遗传算法,并与传统的优化算法进行了比较,探讨了该算法在参数提取软件中的实用性,提出了将遗传算法与传统优化算法结合在一起的方法。     

空间用元器件热真空试验评价方法研究

空间用元器件热真空试验是空间环境模拟试验中非常重要的一项试验,文章通过对空间用元器件热真空环境应力的分析,给出了不同轨道的温度范围以及不同真空度下空间用元器件的物理效应;对空间用元器件热真空试验评价方法进行了研究和探讨,在参照组件、分系统、整星热真空试验方法的基础上,提出了器件级热真空试验程序。介绍了已开展的DC/DC混合集成电路和双向收发器单片集成电路的热真空试验情况和试验结果。试验结果表明,通过热真空试验,可以对空间用元器件热真空环境下的性能和可靠性进行试验评价,为航天用户单位合理选用空间用元器件提供科学依据。     

空间遥感器非球面光学系统补偿器调整装置设计

根据空间遥感器非球面镜检测及光学系统装校对补偿器的调整要求,设计了一种V型支撑调整装置。阐述了该装置的组成、自由度调整功能以及部分设计原则。分析结果表明,该装置状态稳定,调整精度高,位移调整精度为1.39μm/deg,俯仰调整精度为0.0073～0.0232μrad/deg。用该装置对某离轴三反相机的光学元件和光学系统进行了检测和装调,取得了良好的效果。     

半导体器件辐射效应及抗辐射加固

随着空间技术、核技术和战略武器技术的发展,各种电子设备已经广泛用于人造卫星、宇宙飞船、运载火箭、远程导弹和核武器控制系统中。构成电子设备的电子元器件不可避免地要处于空间辐射和核辐射等强辐射应用环境之中,辐射作用会对元器件性能造成不同程度的破坏,进而使整个电子设备发生故障。介绍了微电子器件应用中可能遇到的两类辐射环境,着重分析了辐射对半导体材料与器件的作用机理和不同类型器件的辐射诱生失效模式,分别介绍了对双极型器件和MOS器件进行辐射加固的主要方法。