半导体器件建模与优化系统

随着器件尺寸的缩小,器件特性空间变得越来越复杂.如果仍采用手工参数调整的方法,不仅需要有较好的器件物理知识,而且也不一定能得到合适的结果.为节约设计时间,对半导体器件建模与优化系统(MOSSED)进行了研究与实现.该系统可以对半导体器件进行有效地建模、优化和综合,以得到所需要的器件.通过一些实例对部分功能进行了说明,并和一些已有的系统进行了比较.     

应用遗传算法实现MOS器件综合

研究了将遗传算法应用于器件综合问题,针对参数化的器件空间设计了相应的适应度函数和遗传算子,可用来得到器件的可行设计空间及研究参数对器件性能的影响.对FIBMOS器件的综合设计研究结果显示了本方法的有效性.     

RF模型综述

文章主要讨论了RF模型的现状和应用前景。首先说明了RF模型的一般要求，然后对其中的核心问题和目前关注的焦点进行了分析，如寄生元件尤其是栅电阻和衬底电阻网络的建模、非准静态效应的建模和高频噪声的建模等。同时，还简单介绍了目前通用的简单模型。最后，提出了改进RF模型的方向和策略。     

应用遗传算法实现MOS器件综合

研究了将遗传算法应用于器件综合问题,针对参数化的器件空间设计了相应的适应度函数和遗传算子,可用来得到器件的可行设计空间及研究参数对器件性能的影响.对FIBMOS器件的综合设计研究结果显示了本方法的有效性.     

并行遗传算法在半导体器件综合中的应用

将并行遗传算法应用于器件综合,研究了基于孤岛模式的遗传算法的实现,并分析了算法参数,尤其是迁移间隔,对演化性能的影响.并行遗传算法可以利用多个计算机的计算能力,在较少的演化代数里获得所需要的结果.     

半导体器件建模与优化系统

随着器件尺寸的缩小 ,器件特性空间变得越来越复杂 .如果仍采用手工参数调整的方法 ,不仅需要有较好的器件物理知识 ,而且也不一定能得到合适的结果 .为节约设计时间 ,对半导体器件建模与优化系统 (MOSSED)进行了研究与实现 .该系统可以对半导体器件进行有效地建模、优化和综合 ,以得到所需要的器件 .通过一些实例对部分功能进行了说明 ,并和一些已有的系统进行了比较.