二氧化硅干法蚀刻参数的优化研究

阐述了二氧化硅干法蚀刻的原理和主要的蚀刻参数.应用正交实验,进行了蚀刻速率、均匀性、选择比等主要蚀刻参数的优化,得出主要工艺参数的设置方法和理想条件漂移时的调整方法以及优化选择比的蚀刻方案.     

酸性CuCl2蚀刻液动态蚀刻均匀性与蚀刻速率研究

对酸性CuCl2蚀刻液在HCl/H2O2和HCl/NH4Cl两种体系下进行了水平动态蚀刻研究,分别对蚀刻均匀性和蚀刻速率进行了分析,结果表明面铜粗糙度和上下喷淋对蚀刻均匀性有很大影响,HCl/NH4Cl系统相对于HCl/H2O2系统具有更高的蚀刻速率,为工业生产提供相关的数据参考。     

国外VLSI等离子蚀刻设备的现状及发展趋势

本文述评了国外等离子干法蚀刻技术及设备的发展概况。主要介绍了可进行亚微米图形蚀刻的磁控反应离子蚀刻及新型的电子回旋共振(ECR)等离子蚀刻技术原理和处于开发应用阶段的模块组合式蚀刻设备概况。最后讨论了几种可能进入256MDRAM时代的蚀刻技术的发展趋势。     

PCB板酸性蚀刻机理、工艺参数及故障排除

蚀刻工艺是目前PCB板制作中的重要工序之一,特别是随着微电子技术的飞速发展,大规模集成电路和超大规模集成电路的广泛应用,对PCB板制造技术提出了更高的要求,正向着高精度、高密度的方向飞速发展,对PCB板蚀刻的线宽公差也提出更高、更严的技术要求,所以,充分了解和掌握铜在各种类型蚀刻液中的蚀刻机理,并通过严格的科学实验,测定出铜在各类蚀刻液中工艺参数,才能把控好PCB板蚀刻这一关键工序。本文就我公司AS-301型酸性蚀刻液特点、蚀刻机理、来料检测、操作规程、工艺流程、故障排除等作简单介绍。     

碱性蚀刻的不良分析和改善

蚀刻工艺是印制线路板制作过程中一个非常重要的步骤,怎样提高蚀刻均匀性,降低蚀刻报废,非常的重要。设计方面:不同厚度的底铜做相应的补偿;设备方面:要从喷咀类型、喷咀方向、喷咀到板距离、蚀刻抽风量、蚀刻液的喷淋压力、防卡板上控制;药水和工艺方面:要从配制子液、蚀刻母液的氯铜比、蚀刻液温度、蚀刻液PH值等进行控制;检验方面:要从首末件的确认上控制批量蚀刻不良的流出。     

真空蚀刻技术：一项改良的超细线路蚀刻技术

蚀刻过程是PCB生产过程中基本步骤之一，简单的讲就是基底铜被抗蚀层覆盖．没有被抗蚀层保护的铜与蚀刻剂发生反应，从而被咬蚀掉．最终形成设计线路图形和焊盘的过程，当然．蚀刻原理用几句话就可以轻而易举地描述，但实际上蚀刻技术的实现还是颇具有挑战性，特别是在生产徽细线路时，很小的线宽公差要求，不允许蚀刻过程存在任何差错．因此蚀刻结果要恰到好处，不能变宽。也不能过蚀。     

Hf基高k薄膜的选择性去除

本文对HfO2和HfSixOy薄膜与热氧化物TEOS和Si之间具有最大蚀刻选择比的湿法蚀刻剂的最佳配比进行了实验设计论证,并在生产环境中实现了理想的蚀刻速率。     

以（NH4）2S2O8为主蚀刻剂的印制板蚀刻液浅谈

文章探讨了对以（NH4）2S2O8为主蚀刻剂的新印制板蚀刻液及腐蚀工艺。利用优化实验方法,验证了以银盐代替汞盐做催化剂的可能性,以及催化剂、温度、时间、酸度等因素对腐蚀速度的影响,获得了以银盐代替汞盐为催化剂、以（NH4）2S2O8为主蚀刻剂的新印制板蚀刻液的新配方和新的蚀刻工艺条件。     

氮化硅湿法蚀刻中热磷酸的蚀刻率

在半导体湿法蚀刻中,热磷酸广泛地用于对氮化硅的去除工艺,实践中发现高温下磷酸对氮化硅蚀刻率很难控制.从热磷酸在氮化硅湿法蚀刻中的蚀刻原理出发,分析了影响蚀刻率的各个因素,并通过实验分析了各个因素对蚀刻率的具体影响.根据目前广泛应用于生产中的技术,介绍了如何对相关因素进行控制调节,为得到稳定的热磷酸蚀刻率提供了方向.     

半导体芯片中等离子损伤的解决方案

在研发一套基于0.18μm工艺的全新半导体芯片时,由于芯片工艺的要求我们将标准0.18μm工艺流程中的接触孔蚀刻阻挡层由原来的UVSIN+SION改为SIN,但却引进了PID(等离子体损伤)的问题。当芯片的关键尺寸减小到0.18μm时,栅氧化层变得更薄,对等离子体的损伤也变得更加敏感。所以如何改善PID也成为这款芯片能否成功量产的重要攻坚对象。这一失效来源于接触孔阻挡层的改变,于是将改善PID的重点放在接触孔蚀刻阻挡层之后即后段工艺上。后段的通孔蚀刻及钝化层的高密度等离子体淀积会产生较严重的等离子体损伤,因此如何改善这两步工艺以减少等离子体损伤便成为重中之重。文中通过实验验证了关闭通孔过蚀刻中的磁场以及减小钝化层的高密度等离子体淀积中的溅射刻蚀功率可以有效改善芯片的等离子体损伤。通过这两处的工艺优化,使得PID处于可控范围内,保证了量产的芯片质量。     

一种新型印制板微蚀刻剂

Oxone是一种有效和简便的表面蚀刻剂。在通孔电镀、层压、印制阻焊膜、热风整平及电镀前的预处理中,都可以用Oxone作为表面微蚀刻剂。     

浅议印制电路板蚀刻废液实用再生技术

目前印制电路板蚀刻废液的再生及循环利用,已受到工业界的广泛关注。简要介绍、分析了两种蚀刻废液实用的再生技术。酸性蚀刻废液膜电解技术可同时实现酸性蚀刻废液再生和铜回收,节约大量的氧化剂和盐酸;碱性蚀刻废液萃取-电积技术再生的同时,也可以回收铜。蚀刻废液再生可实现资源最高效的循环利用,预计具有较广阔的应用前景。     

一种新型印制板微蚀刻剂

Ｏｘｏｎｅ是一种有效和简便的表面蚀刻剂。在通孔电镀、层压、印制阻焊膜、热风整平及电镀前的预处理中，都可以用Ｏｘｏｎｅ作为表面微蚀刻剂。     

蚀刻过程的流体力学分析

文章在PCB蚀刻理论的基础上，对蚀刻过程进行了流体力学分析，分析了不同纵横比线间药水流动情况，以及纵横比与药水流动、扩散层厚度变化的关系等，并通过试验进行了验证，可为业界精细线路蚀刻制作提供一定价值的参考和借鉴。     

温度对钨蚀刻的影响

运用ＳＦ６运行的表面波持续磁等离子体反应器研究基片温度（从Ｔｓ＝＋２０℃到Ｔｓ＝－４５℃）对钨材蚀刻性（蚀刻率及有向性）的影响。根据蚀刻性与氟原子浓度及离子流密度的关系，我们发觉当基片温度与ＳＦ６气压降低时，离子协助下的蚀刻现象比自发的化学蚀刻更为显著，在没有外部磁化的情况下，强的蚀刻有向性同时伴随有较强的亚微米均匀性（０．２～１μｍ）我们研究的结果显示出在基片温度（当其降低时，障碍自发的化学反应     

碱性氯化铜蚀刻机同类产品技术参数分析

<正> 前言 随着印制电路板(简称 PCB)技术的不断发展,与 之相应的各种生产设备、测 试仪器也有了不同程度地更 新。通过引进、消化、吸收、创新,我国印制板专用设备国产化取得了很大进展。如蚀刻工艺所用的关键设备——腐蚀机,无论从产品外观、主要性能、自动化程度、材料耐蚀性,都比十几年前更为成熟。特别是碱性氯化铜蚀刻机,出现不少值得称道的产品。本文就国内外同类产品的技术参数,进行分析考察。     

酸性蚀刻液铜回收及废液再生新技术

废蚀刻液中富含金属铜离子,长期以来都采用传统的化学法处理废液来回收铜,其残液的排放会造成严重的二次污染,给周边环境带来极大的影响和压力,同时处理废液浪费大量的碱液,把可回收的酸也浪费,不能做到资源节约、环保、循环经济、清洁生产等。作者通过三年多的研究,开发出利用离子膜结合电解技术来回收废蚀刻液中的铜,同时再生蚀刻液使其继续返回蚀刻生产线使用。其最大的技术特点在于把盐酸中的铜离子,通过膜技术分离到硫酸溶液中,变成传统的硫酸铜溶液电解。这种技术和思路极大地简化了回收和再生工艺,降低了回收能耗,解决了用萃取工艺回收而引起的的许多问题,是一种先进的回收再生技术。此工艺产业化的推广是印制电路板企业废液处理的一次环保革命,前景广阔。     

VFD薄膜基板蚀刻工序的质量控制

本文通过对蚀刻工序在真空荧光显示屏VFD(vacuum fluorescence display)薄膜线路板制造中的连线问题进行研究,从对蚀刻液配比与加热温度的控制、对比、分析选择得出适宜于薄膜VFD线路板的生产工艺,获得了较好的产品质量与经济效益.     

纳米铜粉的制备——从PCB碱性蚀刻废液回收方法研究

利用碱性蚀刻废液通过化学还原的方法制备纳米铜粉。在碱性条件下用NaBH4作还原剂;表面分散剂和保护剂用聚乙烯比咯烷酮（PVP）、十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）;研究结果表明,用碱性蚀刻废液制备纳米铜最佳的条件为：反应温度60℃,反应时间60min,PVP与CTAB的用量为1：5,制备出来的纳米铜粉为单质铜,颗粒粒径在100nm以内。     

用等离子体蚀刻法提高浮雕全息光栅的衍射效率

本文提出了用等离子体蚀刻法提高浮雕全息光栅衍射效率的原理和方法.从光致抗蚀剂层蚀刻到Si_3N_4薄膜层的光栅衍射效率已达31.2％,比原版光致抗蚀剂层母光栅的衍射效率提高了2.5倍。这种方法可制作优质的浮雕薄膜光栅。