中国第一代用于LSI的无引线陶瓷芯片载体

本文介绍了我国首批设计定型的三种用于LSI的无引线陶瓷芯片载体LC68A、LC68B和LC44B。文章叙述了芯片载体的设计考虑、工艺概况、达到的水平和使用结果。     

68接点JEDEC无引线A型BeO陶瓷芯片载体的热性能

<正> 一引言在电子封装中,热性能一直是考虑的一个重要方面,而且在JEDEC标准芯片载体的设计中是一个主要的因素。芯片载体的热性能受到许多设计变量的影响,这些变量包括管芯的尺寸、固定方法、有效接触面积、封装材料的热导率等等。对一个特定的封装设计来说,最佳热性能的控制要求每一个设计变量在热性能上取最佳值。 JEDEC芯片载体,即68接点无引线A型封装,已经成为通用的标准设计(图1)。采用已从多方面鉴定过的标准封装设计能简化热性能的设计工作。68接点无引线A型芯片载体已     

微系统三维(3D)封装技术

文章论述塑料三维(3D)结构微系统封装技术相关问题,描述了把微电机硅膜泵与3D塑料密封垂直多芯片模块封装(MCM-V)相结合的微系统集成化。采用有限元技术分析封装结构中的封装应力,根据有限元设计研究结果,改变芯片载体结构,降低其发生裂纹的危险。计划采用板上芯片和塑料无引线芯片载体的替代低应力和低成本的3D封装技术方案。     

模拟专用集成电路的封装技术

本文介绍了在模拟专用集成电路封装设计中的封装可靠性、技术可行性及其电性能和热性能等,概述了ASIC的主要封装形式:无引线陶瓷芯片载体、阵列式封装、多层封装和大腔体封装以及采用的主要封装技术。最后,简要介绍了我所模拟专用集成电路封装方面的工作。     

无引线芯片载体组装的功率循环试验可靠性及工艺技术

用一种分析方法来预测无引线芯片载体和组装基板之间的焊接连接点的功率循环试验的概率寿命     

封装、互连、连接器组件

Remtec密封无引线陶瓷SMT封装Remtec公司推出无引线陶瓷SMT密封封装,用于PCB直接安装。Remtec无引线SMT芯片载体,现在有完全密封(到10-8)型号,采用独特的过孔插入的“卷绕”互联,密封填充过孔和集成的无源器件。通过过孔低阻抗(1mΩ)插入实现低RF损耗(4GHz时低于.1dB)。包裹和塞紧的过孔适于接地和信号连接;SMT封装可从DC到32GHz工作。过孔的高热传导性(大于200W/M×°C)导致低热阻路径,以此来进行热管理。由晶片尺寸和陶瓷基底厚度可得,热阻只有1-2°C/W,甚至可以更低。陶瓷结构易于塑造,采用PCTF技术在上面镀铜厚膜,可以使…     

悬梁式陶瓷微热板的设计及热性能研究

结合传统陶瓷厚膜气体传感器和硅微加工气体传感器的特点,设计了基于陶瓷基底的悬梁式微热板结构,并提出一种无内引线的封装方式。对微热板的传热过程进行分析,并通过有限元工具对具有不同结构参数器件的热特性进行模拟,得到结构参数与器件热特性间的关系。通过控制工艺参数,在Al2O3陶瓷基底上制作出性能良好的Pt加热电阻及电极,并采用激光微加工技术实际制作了梁宽为0.2 mm和0.4 mm的两种结构器件。对器件的加热功率-温度关系进行测试,0.2 mm梁结构器件在400 mW加热功率下板上平均温度约为250℃,同模拟结果一致。     

陶瓷四边引线扁平外壳设计中的几个问题

陶瓷四边引线扁平外壳由于其具有I/O端子数多、重量轻、体积小、表贴式的特点,可 较好地满足集成电路芯片高可靠性封装要求。文章叙述了CQFP陶瓷四边引线扁平外壳设计中应注意的 一些问题。如对产品结构、内引线键合指、外引线外形、互连孔位置等关键技术工艺进行周密设计,才 能保证产品的质量。     

多层陶瓷外壳的失效分析和可靠性设计

文章对多层陶瓷外壳的失效模式,包括陶瓷底座断裂失效、绝缘电阻失效、断路和短路失效、外引线和无引线外壳引出端焊盘与外电路连接失效、电镀层锈蚀失效、密封失效、键合和芯片剪切失效和使用不当造成失效等进行讨论,并对这些失效的失效机理进行了分析,根据以上的失效模式及其失效机理分析,对多层陶瓷外壳的可靠性设计进行了探讨。     

红外探测器组件引线熔断分析

二代红外焦平面探测器组件微型杜瓦中的金属引线是跨接在探测器芯片以及陶瓷引线环之间,其作用是作为介质为探测器芯片提供数字以及模拟信号,并将探测器组件的输出信号导出。本文介绍了二代焦平面探测器组件的杜瓦结构,并对金属引线在低温77K时的物理特性进行了分析,从理论上对金属引线可流过的最大电流进行计算,并通过试验进行验证。     

无引线封装高温压力传感器

研究的压力敏感芯片利用单晶硅的压阻效应原理制成;采用绝缘层上硅(SOI)材料取消了敏感电阻之间的pn结,有效减小了漏电,提高了传感器的稳定性;用多层复合电极替代传统的铝电极,并应用高掺杂点电极技术,提高了传感器使用温度。封装时,将硅敏感芯片的正面与硼硅玻璃进行对准气密静电键合;在硼硅玻璃的相应位置加工引线孔,将芯片电极和管壳管脚用烧结的方法实现电连接,形成无引线封装结构。采用无油封装方法,避免了含油封装中硅油耐温能力差的问题。对高温压力敏感芯体结构进行了热应力分析,并对无引线封装方法进行了研究。对研制的无引线封装高温压力传感器进行了性能测试,测试结果与设计相符,其中传感器的测量范围为0~0.7 MPa,非线性优于0.2%FS,工作温度上限可达450℃。     

CLCC陶瓷无引线片式载体外壳设计

本文阐述了CLCC陶瓷无引线片式载体外壳设计的基本要点。为便于大家探讨和选用,同时介绍了国内目前研制的部分产品的型号及规格。     

高温共烧陶瓷微流道工艺特性

功率芯片kW/cm²量级的热流密度给其热管理带来了严峻挑战，液冷微流道散热技术是解决热管理问题的重要研究方向。针对陶瓷封装中的应用需求，对高温共烧陶瓷(HTCC)中微流道工艺特性进行了研究。通过微流道设计、工艺流程设计、制备加工和测试，分析了结构参数对加工质量的影响，明确了微流道与芯片之间的陶瓷体厚度为0.30 mm,微流道宽度应≥0.10 mm,微流道间距需根据不同微流道宽度进行设计，微流道长度为非敏感要素。选择适当的结构参数可保证微流道的成形质量和加工精度，为微流道设计和工程化应用提供参考。     

多元红外探测器封装致冷用玻璃杜瓦瓶

本文介绍了用于红外CCD和多元红外探测器封装致冷的GH01型玻璃杜瓦瓶,其容积为50毫升,致冷时间大于5小时,启动时间35秒。采用先进的“芯片载体”式封装技术,实现了多元器件的大面积装架和高密度封装。18根输入、输出引线和三种陶瓷载体,可适用于不同材料、不同结构、致冷时间为77°K的红外CCD或其他多元红外探测器。     

片式引线框架镀银设备的研制

引线框架的主要功能是为芯片提供机械支撑载体,并作为导电介质连接IC外部电路,传送电信号,以及与封装材料一起,向外散发芯片工作时产生的热量.在介绍引线框架在IC封装中的作用基础上,主要介绍了片式引线框架镀银设备的工作原理、主要结构及控制系统,同时简单阐述了引线框架材料、技术现状及发展趋势.     

夹层式叠层芯片引线键合技术及其可靠性

随着电子封装技术的快速发展,叠层封装成为一种广泛应用的三维封装技术,该技术能够满足电子产品高性能、轻重量、低功耗、小尺寸等日益增长的需求。针对陶瓷封装腔体中的夹层式叠层芯片结构,键合点与键合引线处于陶瓷外壳空腔中,未有塑封料填充固定,区别于塑封叠层芯片封装器件,优化其引线键合技术,并做了相应可靠性评估试验。键合引线偏移长度最大为0.119 mm,未出现键合引线间隙小于设计值、碰丝短路等情况,为高可靠叠层芯片封装研究提供了参考。     

基于陶瓷微热板的高温气体传感器研究

针对目前商用陶瓷气体传感器功耗大、封装困难等缺点,提出一种陶瓷微加工微热板式气体传感器的结构和无内引线封装的方式。通过光刻剥离的方法,在氧化铝陶瓷基底上制作出Pt微加热器及接触电极。采用激光微细加工技术,制作出不同结构参数的陶瓷微热板器件。从温度同加热功率的关系、热响应时间和微加热器稳定性等方面对微热板进行了测试和评价...     

毫米波多芯片组装工艺优化研究

随着毫米波系统对模块小型化集成化的需求日益增长，多芯片组装工艺技术成为毫米波模块互连的关键手段。分析了芯片组装工艺的特点，同时基于毫米波M M IC芯片组装工艺要求，通过射频互连芯片组装间隙工艺设计保证、共晶焊接钼铜载体结构优化设计以及自动点胶粘片参数优化研究，给出了相应的优化设计措施，从而达到M M IC芯片组装工艺优化的目的。     

MMIC模块用的新封装技术

<正> 日本NTT电信实验室工作人员经过多年研究终于开发出了GaAs MMIC(单片微波集成电路)用的新封装技术。这种新技术就是共面薄膜载体技术。据说这种技术是高频模块封装的最高级技术。薄膜载体技术的优点包括高效重复性,低组装造价,更简易的可测性和较高成品率。这种新的薄膜载体主要由聚酰亚胺构成。引线末端的金凸点简化了与MMIC焊区上相应金凸点的连接。引线凸点通过热压键合与芯片     

Wayne Koh博士“封装技术回顾”“微电子组装基础”实训讲座

课程目标 回顾从传统的单芯片引线框架类型到先进的芯片尺寸封装技术，多芯片封装，3D堆叠以及系统封装（SIP）的半导体封装技术的设计、材料和组装工艺。