LRC基带单元SDM(A)和SDM(B)相互切换失败的分析

LRC系统模块是4G基站的重要组成单元,它由LCP,LSP,LCA,LBR,LNI五大模块组成,主区SDM(A)和备区SDM(B)的切换是基于板卡LCA来完成的.在测试中按照制定的测试步骤进行对应的命令操作,发现SDM(A)切换SDM(B)失败,通过不同的测试分析,找到了引起失败的最终原因.     

导光板注塑成型技术的研究

导光板注塑成型技术是一种通过光学网点转移的方法成型导光板的技术,即将融熔树脂注入带光学网点的模具型腔,经过保压、冷却后脱模得到导光板,注塑成型得到的导光板具有模具型腔(stamper部分)所赋予的光学网点,这些网点的凹凸性和模具型腔网点的凹凸性互补。介绍了该技术的基本原理,通过工艺试验优化了相关工艺参数,证明了该技术用于导光板生产具有较高的精度和效率。     

BBC掺杂BSNN-BSZT陶瓷低温烧结性能的研究

采用传统的两步固相反应法制备了一种低温烧结的CuBBiO_4-(Ba_(0.8)Sr_(0.2))(Ni_(1/3)Nb_(2/3))-(Ba_(0.8)Sr_(0.2))(Zr_(0.5)Ti_(0.5))(BBC-BSNN-BSZT)压电陶瓷,并研究了CuBBiO_4(BBC)掺杂量对陶瓷微观形貌、相结构、介电、压电性能和烧结温度的影响。研究结果表明,制备的陶瓷样品为单一的钙钛矿相,未发现其他杂相;掺杂的BBC低熔点化合物在烧结中提供适量液相,促进烧结,样品可在925℃烧结致密。该压电陶瓷材料的居里温度由158℃提升到230℃;当掺杂w(BBC)=0.75%(质量分数)时,陶瓷达到最佳压电性能:压电常数d_(33)=613pC/N,机电耦合系数k_p=0.7,介电常数ε_r=3 926,介电损耗tanδ=0.005 2,品质因数Q_m=70。居里温度T_C=227℃。     

变频芯片的吞吐率测试方法

吞吐率作为衡量网络系统性能的重要指标,其重要意义毋庸置疑,掌握其正确的测试方法及分析手段尤为重要。对于XN277(三网融合变频芯片)而言,其射频指标诸如通道增益、噪声系数、本振相位噪声等对吞吐率均有不同程度的影响。文章通过实际的测试工作,重点阐述了不同的通道增益对吞吐率的影响,同时结合IxChariot的应用,对吞吐率的测试方法进行了详细的验证与分析。     

我国集成电路IP市场博弈之道

随着知识经济的蓬勃发展,知识产权(IP)这个名词已经为人们越来越熟悉,而知识产权的授权使用则一方面成为知识形态的产品进入商品交易的主要形式,同时也成为知识产权保护的主要手段;另一方面,它也成为知识产权(IP)供应商构筑技术壁垒,实现技术垄断乃至市场垄断谋取高额利润的必要手段,本文以作者在知识产权(IP)起关键作用的集成电路设计行业的亲身实践经验,通过对国际IP巨头的业务运作模式的分析,探讨我国正在迅速发展的集成电路设计业如何应对国外(IP)供应商构筑的技术壁垒,争取以合理的成本合法地获取国外知识产权(IP)从而实现跨越式发展,以及建立我国自身的IP产业的必要性及其面临的挑战和机遇,而在其过程中,对于急需获得IP授权完成芯片设计的Fabless设计公司而言,相信本文披露的一些IP厂商经营之道一定能帮助您把握市场先机,获得在IP授权交易中的主动权.……     

聚乙烯阻燃光缆护套料的制备工艺研究

在低密度聚乙烯(PE)中添加了纳米氢氧化镁(Mg(OH2))和磷酸三苯酯(TPP)组成的协同阻燃剂,采用共混挤出的方法制备了纳米Mg(OH2)/PE阻燃光缆护套料.对制得的样品进行了氧指数(OI)、示差扫描量热(DSC)法和力学性能的测试,实验结果表明,样品的OI大幅度提高,力学性能和玻璃化温度均满足阻燃光缆护套的要求.     

信道的复用技术与多址技术

主要介绍了信道的复用技术和多址接入技术 ,并讨论了它们之间的联系与区别     

使用FIFO完成数据传输与同步(上)

将数据从一个时钟域同步至另一个时钟域,常用的两个方法为:1、使用握手(handshake)信号;2、使用FIF0.使用握手方法的缺点是传递及辩识用于数据传输的所有握手信号所需的潜伏时间(1atency)会增加延迟并降低传输效率.因此时钟域之间传递数据最常用的方法是使用FIF0.异步FIF0的运作(operation)方法是:数据从一个时钟域写入FIF0,该数据从另一个时钟域自FIF0读出.本文讨论两种异步FIF0的设计技巧:1、比较同步指针;2、比较异步指针.     

光通信系统中基于伽罗华域乘群的QC-LDPC码的一种新颖构造方法

基于Galois域GF(q)乘群,提出了一种构造简单且编码容易实现的新颖准循环低密度奇偶校验(QC-LDPC)码构造方法,可灵活地调整码长、码率,且编译码复杂度低。用本文方法构造了适用于光通信系统的非规则QC-LDPC(3843,3603)码,仿真表明,与已广泛用于光通信系统中的经典RS(255,239)码相比,用本文方法构造的码具有更好的纠错性能,且其性能优于用SCG方法构造的LDPC码和规则的QC-LDPC(4221,3956)码,适合用于高速长距离光通信系统。     

基于HFC网络的抗噪技术研究

目前我国有线电视网大多为HFC网络,这种接入网已成为用户进入信息高速公路的"瓶颈".为了实现双向数据、交互式综合业务的开展,关键问题是解决HFC网络上行信道的噪声问题.文章主要介绍了在基于CATV的HFC双向网络中抗噪声的常见方法及同步码分多址(S-CDMA)改进技术.     

一种具有纹波消除技术的10 bit SAR ADC

逐次逼近寄存器模数转换器(SAR ADC)在逐次逼近的过程中,电容的切换会使参考电压上出现参考纹波噪声,该噪声会影响比较器的判定,进而输出错误的比较结果。针对该问题,基于CMOS 0.5μm工艺,设计了一种具有纹波消除技术的10 bit SAR ADC。通过增加纹波至比较器输入端的额外路径,将参考纹波满摆幅输入至比较器中;同时设计了消除数模转换器(DAC)模块,对参考纹波进行采样和输入,通过反转纹波噪声的极性,消除参考纹波对ADC输出的影响。该设计将信噪比(SNR)提高到56.75 dB,将有效位数(ENOB)提升到9.14 bit,将积分非线性(INL)从-1～5 LSB降低到-0.2～0.3 LSB,将微分非线性(DNL)从-3～4 LSB降低到-0.5～0.5 LSB。     

电路板级的电磁兼容设计

本文从元件的选择,元件的布局,电源布线,信号布线,地线设计等方面讨论了电路板级的电磁兼容(EMC)设计。     

Design and simulation of nanoscale double-gate TFET/tunnel CNTFET

A double-gate tunnel field-effect transistor (DG tunnel FET) has been designed and investigated for various channel materials such as silicon (Si),gallium arsenide (GaAs),alminium gallium arsenide (AlxGa1xAs) and CNT using a nano ViDES Device and TCAD SILVACO ATLAS simulator.The proposed devices are compared on the basis of inverse subthreshold slope (SS),ION/IoFF current ratio and leakage current.Using Si as the channel material limits the property to reduce leakage current with scaling of channel,whereas the AlxGalxAs based DG tunnel FET provides a better ION/IoFF current ratio (2.51 × 106) as compared to other devices keeping the leakage current within permissible limits.The performed silmulation of the CNT based channel in the double-gate tunnel field-effect transistor using the nano ViDES shows better performace for a sub-threshold slope of 29.4 mV/dec as the channel is scaled down.The proposed work shows the potential of the CNT channel based DG tunnel FET as a futuristic device for better switching and high retention time,which makes it suitable for memory based circuits.     

锁相环敏感模块的单粒子效应与设计加固

应用于航天工程的锁相环(PLL)电路遭受太空高能粒子轰击时会发生单粒子效应(SEE),引起电路失锁,对系统造成灾难性影响.分析了鉴频鉴相器(PFD)和分频器(DIV)模块的单粒子效应导致失锁的机理,运用改进的双互锁结构(DICE)的锁存器和冗余触发器电路分别对其进行设计加固(RHBD),基于0.35μm CMOS工艺设计了加固的锁相环电路.仿真结果表明,加固PLL可以对输入20～40 MHz的信号完成锁定并稳定输出320～ 640 MHz的时钟信号.在250fC能量单粒子轰击下加固后PFD模块不会造成PLL失锁,加固DIV模块的敏感节点数目降低了80％.     

时分复用三轴光纤陀螺信噪比分析

基于信号处理和随机过程理论,研究了基于时分复用(TDM)技术的三轴光纤陀螺(FOG)的整体精度,利用差分方程建立了TDM闭环处理中相位差的衰减模型。将单轴总体噪声分为稳态噪声和调整噪声两部分,推算出了单轴信噪比(SNR)的计算公式,并对各影响参数进行了仿真分析,提出了相应的改进建议。设计了FOG实验,验证了模型分析的合理性及正确性。     

采用IFVD-QWI技术制备电吸收调制DFB激光器

采用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 法在I nGaAsP多量子阱/InP缓冲层/InGaAs层上沉积SiO₂薄膜,通过N₂气氛下快速热退火(RTA )方法实现无杂质空位扩散(IFVD)的量子阱混杂(QWI)。对不同退火温度下量子 阱增益峰值波长的蓝移特性进行了实验摸索,在780℃@80s的退火条 件下,可以获得最大72.8nm的相对波长 蓝移量,并且发现快速热退火RTA温度低于780℃以下时,LD区的波长 蓝移量随温 度变化基本能控制在10nm以内。 通过选取合适退火条件实现了光荧光(PL)峰值波长约50nm的蓝移量, 在选区制备出合适带隙波长材料的基 础上,在LD区制作全息光栅并二次外延P型掺杂电接触层后,采用标准化浅脊波导电吸收 调制(EAM)分布反馈 激光器(EML)工艺制备了1.5μm波长的EML管芯,器件阈值为 20m A,出光功率达到2mW@90mA,静态消光比在＋6V反偏压下为9.5dB。     

TD-SCDMA标准的CDMA/TDMA改革方案

文章证明了TD-SCDMA标准所定义的智能天线在TD-SCDMA标准中的不可用性,因此必须对该标准进行大规模改造。文章给出一种在上/下行信道分别使用码分多址/时分多址(CDMA/TDMA)的TD-SCDMA标准的改革方案。该方案在下行信道中可以继续使用TD-SCDMA标准所定义的智能天线,使中国唯一具有自主知识产权的移动通信标准获得新生。在下行信道中还可以使用八相相移键控(8PSK)、16进制正交调幅(16QAM)等高频谱利用率的调制方法,能将富裕的下行功率变换为频谱利用率。改革后的TD-SCDMA标准将能满足移动因特网的应用要求。     

基于PM 的多功能超宽带调制技术的研究

基于相位调制器(PM)级联高斯带通滤波器,提出了一种超宽带(UWB)多功能调制方案,可以实现通断键控(OOK)、脉冲极性调制(PBM)和脉冲形状调制(PSM)。该方案结构简单,只需单个光源,利用率较高,仅改变比特序列发生器(BSG)的编码就可实现三种UWB调制格式间的灵活切换;产生的三种信号只包含一个波长,在光纤中传输时无需复杂的非线性控制和色散管理。使用光通信软件Optisystem进行模拟,研究了光源功率、调制速率以及两支路PM和滤波器系统误差的影响,对OOK、PBM和PSM信号的传输性能进行了分析。结果表明,光源功率和调制速率在一定范围内变化时,可以获得性能最佳的UWB调制信号。     

电压频率瞬变电源的单片机控制

介绍了电磁兼容性测试及电压频率瞬变电源的用途,分析了一种利用单片机实现的智能化电压频率瞬变电源,并提供了硬件框图和软件流程。     

双掺(Ce~(3+)、Nd~(3+)):YAG晶体对撞脉冲锁模的研究

一、引 言 新晶体双掺(Ce~(3+)、Nd~(3+)):YAG是一种具有高转换效率的激光增益介质~[1],它利用Ce~(3+)、Nd~(3+)的敏化途径提高激光效率。晶体中的Ce~(3+)离予通过辐射和非辐射二种方式向Nd~（3+）转