La0.8Sr0.2MnO3薄膜制备及其在Bolometer方面的应用研究

以钙钛矿结构的La0．8Sr0．2MnO3(LSMO)为靶材，利用脉冲激光沉积(PLD)法，在LaAlO3(LAO)平衬底上生长LSMO薄膜。经XRD测试分析，薄膜无杂相，曲线，得到该薄膜M—I转变点312．8K，电阻温度系数基本为外延生长。通过四线法测量电阻-温度(R—T)(TCR)为3％～4％时所对应的温度范围为250K～282K，性能优于V2O5红外探测器。自行设计电路对该薄膜进行温度控制，在恒温条件下测量其R—T曲线，测量结果表明，LSMO薄膜可以设计成在室温下工作的、探测灵敏度高的测辐射热仪。     

Gd2O3-HfO2栅介质薄膜的外延制备及Ge-MOS电学特性分析

以Gd2O3-HfO2( GDH)固溶氧化物作为靶材,采用脉冲激光沉积技术(PLD)在Ge(100)衬底上制备了GDH高k栅介质外延薄膜,其外延生长方式为“cube-on-cube”,GDH薄膜与Ge(100)衬底的取向关系为(100)GDH∥(100)Ge和[110] GDH∥[110]Ge.通过反射式高能电子衍射(RHEED)技术研究了激光烧蚀能量和薄膜沉积温度对薄膜晶体结构的影响,分析了二者与薄膜的取向关系,激光烧蚀能量对薄膜取向影响更为显著.得到较优的GDH外延薄膜沉积工艺为:激光烧蚀能量为3 J·cm-2、薄膜的沉积温度为600℃.用磁控溅射制备了Au/Ti顶电极和Al背电极,其中圆形的Au/Ti电极通过掩膜方法获得,直径为50μm.采用Keithley 4200半导体测试仪对所制备Au/Ti/GDH/Ge/Al 堆栈结构的Ge-MOS原型电容器进行电学特性分析,测试条件为:I-E测试的电场强度0～6MV·cm-1,C-V测试的频率300 kHz～1 MHz,结果表明,厚度为5nm的GDH薄膜具备良好介电性能:k-28,EOT ～0.49 nm,适于22 nm及以下技术节点集成电路的应用.     

靶材热处理温度对磁控溅射Mo薄膜组织和性能的影响

采用磁控溅射设备和经过不同温度热处理的Mo靶材,以相同的溅射工艺参数,在Si基片上制备了Mo金属薄膜,研究了靶材的热处理温度对Mo薄膜组织和性能的影响。研究结果发现,所制备Mo薄膜均呈现（110）晶面择优取向,而靶材热处理温度的升高能够提高（110）晶面的择优取向程度。所有薄膜均为T型低温抑制生长。比较结果表明：经1 200℃热处理的Mo靶材溅射率最高（18.5 nm/min）,且其溅射膜具有较小的方阻值和较好的厚度均匀性,综合性能最优。     

溅射参数对SmCo/Cr薄膜铬底层晶面取向及磁学性能的影响

采用直流磁控溅射法制备SmCo／Cr薄膜磁记录材料，通过改变Cr底层制备过程中的功率、靶基距、溅射压强和溅射时间，得到了磁性能不同的SmCo／Cr薄膜。利用X射线衍射法对Cr底层晶面取向和磁控溅射参数之间的关系进行了研究，结果表明：如果改变溅射参数，使沉积cr原子获得较大的能量，则有利于Cr底层最终以(110)晶面择优取向。本实验中Cr底层以(110)晶面择优取向的最佳实验条件为：溅射功率在50～70w左右，靶基距为6cm，压强为0．5Pa，溅射时间为15min。利用振动样品磁强计(VSM)测定SmCo／Cr薄膜的磁学性能，结果表明，如果Cr底层能以(110)晶面择优取向，所得到的SmCo／Cr薄膜的磁学性能较好。     

质量分离的双离子束沉积法生长CeO2(111)/Si薄膜

利用一种全新的薄膜生长技术-质量分离的双离子束沉积技术,在较低温度(400℃)下对CeO2(111)/Si(100)薄膜的生长进行了研究.两束离子的比例以及离子束的能量对薄膜的成分和晶体质量有很大影响,较高能量(300eV)的离子束对薄膜有轰击作用,并有助于薄膜的择优取向生长.在400℃时,制备了CeO2(111)/Si(100)单晶薄膜.     

质量分离的双离子束沉积法生长CeO2（111）／Si薄膜

利用一种全新的薄膜生长技术-质量分离的双离子束沉积技术,在较低温度（400℃）下对CeO2(111)/Si(100)薄膜的生长进行了研究,两束离子的比例以及离子束的能量对薄膜的成分和晶体质量有很大影响。较高能量（300eV)的离子束对薄膜有轰击作用,并有助于薄膜的择优取向生长,在400℃时,制备了CeO2(111)/Si(100)单晶薄膜。     

Si衬底上3C-SiC异质外延应力的消除

利用低压化学气相沉积方法在N型Si衬底上异质外延生长3C-SiC薄膜,研究和分析了不同碳化工艺和生长工艺对3C-SiC外延层的影响;探讨了Si衬底3C-SiC异质外延应力的消除机理.通过台阶仪和XRD对不同工艺条件下的外延层质量进行分析,得到最佳工艺条件的碳化温度为1000 ℃,碳化时间为5 min,生长温度为1200 ℃,生长速度为4 μm/h.对最佳工艺条件下得到的外延层的台阶仪分析表明外延层弯曲度仅为5μm/45 mm;而外延层的XRD和AFM分析表明,3 μm厚度外延层SiC(111)半高宽为0.15°,表面粗糙度为15.4nm,表明外延层结晶质量良好.     

SmCo/Co多层交换弹性纳米晶复合永磁薄膜的制备和磁耦合研究

利用磁控溅射的方法,在室温条件的Si基片上制备了[SmCo(25nm)/Co(x)]4/SmCo(25 nm)多层交换弹性纳米晶复合永磁薄膜(Co层厚度x=0～10 nm),经过550 ℃/20 min的真空退火处理使薄膜结晶后,进行磁性测试和磁耦合分析.结果表明:SmCo层厚度固定为25 nm时,调整Co层的厚度,从0至10 nm逐渐增加,矫顽力从2270.3 kA·m-1逐渐降低至1040.5 kA·m-1,同时,饱和磁化强度和剩磁随Co层厚度增加逐渐增加,上升了60％.当加入10 nm的Co层后,多层膜的最大磁能积比125 nm的单层SmCo薄膜增加了46％.另外,与SmCo/Co双层交换弹性薄膜在退磁过程中表现的零场附近的软硬磁双相行为相比,SmCo/Co多层交换弹性薄膜表现出单相反转行为,说明体系中的两种磁性层具有更好的磁耦合.经过磁耦合研究发现,当Co软磁层较薄时,薄膜中磁性颗粒以颗粒间交换耦合为主;当软磁层厚度增加时,颗粒间交换耦合减弱,静磁耦合增强,保证了软硬磁相之间的良好磁耦合作用.Co层的加入有效地提高了薄膜的磁性能.     

温度对CVD制备Ti-Si-C涂层中Ti_3SiC_2形成规律的影响

采用TiCl4-CH3SiCl3-H2-Ar反应体系,低压化学气相共沉积(LPCVD)Ti-Si-C三元体系涂层。采用XRD、SEM、EDS和EPMA分析在1 100~1 250℃不同温度下制备的涂层物相组成和形貌结构。结果表明:1 100℃时形成TiC涂层,无Ti3SiC2相;1 150~1250℃时形成TiC与Ti3SiC2复合涂层。当沉积温度为1 200℃时,Ti3SiC2晶粒沿?104?方向择优生长,而在1150℃和1 250℃沉积时,择优取向不明显。1150℃时涂层为多孔细柱和颗粒堆积嵌合结构,当温度为1 200~1250℃时,涂层分为两层,内层过渡层为柱状晶结构,主要成分为TiC;外层为TiC相与Ti3SiC2相复合的板条错堆状结构。     

射频磁控溅射法制备Ti掺杂ITO薄膜的厚度对膜结构与光电性能的影响

利用Ti掺杂ITO靶材,采用单靶磁控溅射法在玻璃基底上制备厚度为50~300 nm的ITO:Ti薄膜。借助X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、可见光分光光度计、霍尔测试系统和四探针电阻测量仪,研究薄膜厚度对薄膜的晶体结构、表面形貌和光电性能的影响。结果表明:ITO:Ti薄膜呈现(400)择优取向,随薄膜厚度增加,薄膜的结晶程度增强,晶粒度增大,薄膜更致密。随薄膜厚度增加,薄膜的均方根粗糙度和平均粗糙度以及电阻率都先减小再增加,薄膜厚度为250 nm时,表面粗糙度最小,蒋膜厚度为200 nm时,电阻率最低,为2.1×10-3?·cm。不同厚度的薄膜对可见光区的平均透过率都在89%以上。     

Effects of Ce3＋ , Nd3＋ , Gd3＋, Tb3＋ and Lu3＋ ions on Formation of CaCO3

The effects of lanthanides at various concentrations on CaCO3 crystal growth were studied by X-ray diffraction (XRD), infrared spectra (IR), X-ray photoelectric energy spectra (XPS) and inductively coupled plasma mtms spectrometry (ICP-MS). It was found that the calcite, a stable form of CaCO3 in thermodynamics, is the predominant species. The research indicates that lanthanide ions (Ln3 ) can partly substitute the Ca2 in the lattice of CaCO3 crystals, and change the crystal characterization and direct the ordinal growth of CaCO3 crystals.     

Photoluminescence of Dy~(3 ) Ions in Ba_3La(BO_3)_3

Dy3 isanimportantactivator .Ithasbeenexten sivelyappliedinmanyluminescentmaterials .Inre centyears ,someresearchershavestudiedthespec trumcharacteristicsofluminescentmaterialsdopedDy3 [1～ 6 ] andhaveobtainedsomemeaningfulre sults .InordertodevelopnewfluorescentmaterialsanddiscussthephotoluminescentruleofDy3 inthecomplexborate ,thispaperstudiesthephotolumines centcharacteristicsofDy3 inBa3La(BO3) 3host ,anddiscussestheinfluenceofthecharge to radiusratio(z/r)ofrareearthionRE3 andthecon…     

3-Hydroxy-3-methylglutaric aciduria: deficiency of 3-hydroxy-3-methylglutaryl coenzyme A lyase

Basic principles are offered to support the suggestion that use of special care space must be made with a mind toward prevention of obsolescence. Certain conventional design features should be examined critically and decisions made as to their applicability to the needs of a particular program.     

Dy^3＋在（LaO）3BO3和（GdO）3BO3中的光致发光

研究了Ｄｙ＾３＋在（ＬａＯ）３ＢＯ３和（ＧｄＯ）３ＢＯ３中的光致发光;探讨了基质晶体结构、稀土离子ＲＥ＾３＋的电荷半径比（Ｚ／ｒ）和Ｄｙ＾３＋含量对（Ｄｙ＾３＋）发光强度及发光颜色的影响;分析了（ＧｄＯ）３ＢＯ３中Ｂｉ＾３＋对Ｄｙ＾３＋发光的敏化作用及Ｄｙ＾３＋４Ｆ９／２→＾６Ｈ１３／２超灵敏跃迁发射的自身浓度猝灭机理。     

Ca3La(BO3)3中Dy3+的光致发光

研究了Ca3La(BO3)3基质中Dy^3 的发射光谱和激发光谱。结果表明，强的激发峰值为351nm、367nm和386nm；Dy^3 的488nm和578nm发射的最佳浓度均为xDy=0．03；Dy^3 发射的黄光和蓝光强度比(用Y／B表示)随Dy^3 浓度的增加而逐渐增大；Dy^3 的^4F9/2→^6H15/2、^6H13/2跃迁发射的浓度猝灭机理均为电偶极-电偶极相互作用；同时还探讨了Ce^3 对Dy^3 发光的敏化作用。     

Optical Spectroscopy of Er^3＋ and Er^3＋/Yb^3＋ Co-doped Bi2O3-GeO2-B2O3-ZnO Glasses

The （60 - x）Bi2O3 - xGeO2-30B2O3-10ZnO （x = 5, 10, 20, 30 molar percent） glasses doped with Er^3＋ and Er^3＋/Yb^3＋ were fabricated using the melting method. The thermal stability of the glasses was studied with their DTA curves. The results show that the difference between the glass transition temperature and the crystallization onset temperature increases with the increase of GeO2 content, indicating that the thermal stability of the glass has become better. The absorption spectra were recorded and the stimulated emission cross sections were calculated using the McCumber theory. The Ω2, O4, and Ω6 parameters,the transition probability, the radiative lifetime, and the fluorescence branch ratio of Er^3＋ for optical transition were calculated from their absorption spectra in terms of reduced matrix U^（t）（λ = 2, 4, 6） character for optical transitions. The infrared emission of Er^3＋ was measured upon excitation with 970 nm light and the full width at half-maximum （FWHM） was estimated from the emission spectra. The pumping efficiency and the intensity of the emission at the 1.54 μm band of Er^3＋ were enhanced considerably by co-doping Yb^3＋ .     

K3AlF6-Na3AlF6-AlF3铝电解体系密度的研究

采用流体静力称重法研究了K<,3>AlF<,6>-Na<,3>AlF<,6>-AlF<,3>铝电解质体系的密度.探讨了K<,3>AlF<,6>,AlF<,3>含量和温度与K<,3>AlF<,6>-Na<,3>AlF<,6>-AlF<,3>体系密度的关系.实验结果表明:K<,3>AlF<,6>-Na<,3>AlF<,6>-AlF<,3>体系密度与温度成较好的线性关系,温度升高,密度降低;随着AlF<,3>含量的降低,体系的密度对温度的变化更加敏感.相同过热度下,固定KR(钾冰晶石含量),随着AlF3含量的增加,体系的密度呈现出不同的变化规律,相同过热度条件下,对于较低的KR=0.1值,随着AlF<,3>含量的增加,体系的密度逐渐下降,对于较高的KR=0.5值,随着AlF<,3>含量的增加,体系密度先降低后增加,存在最低点.相同过热度下,固定AlF<,3>含量,随着KR增加,体系密度也呈现出不同的变化规律,当AlF<,3>为22%,随着KR增大,体系密度变化不大;当AlF<,3>为26%,30%,随着KR增大,体系密度先降低后增加.     

Enhanced ultraviolet upconversion in YF3：Yb^3＋/Tm^3＋ nanocrystals

Unusual intense infrared-to-ultraviolet upconversion luminescence was observed in YF3:Yb3+(20%)/Tm3+(1%) nanocrystals under 980 nm excitation. The intense ultraviolet emissions (1I6→3H6, 1I6→3F4, and 1D2→3H6) were affirmed arising from the excitation processes of five-photon and four-photon. In comparison with the bulk sample with the same chemical compositions, ultraviolet upconversion lumi-nescence of the nanocrystals was markedly enhanced. Spectral analysis indicated that the enhancement was attributed to the decrease of Judd-Ofelt parameter Ω2, which precluded the transition rate from 3F2 to 3F4, enhanced the energy transfer process and populated the 1D2 level: 3F2→3H6 (Tm3+): 3H4→1D2 (Tm3+).