印制线路板电镀铜填盲孔添加剂的正交优化

在电流密度为1.94 A/dm~2,温度为25°C和空气搅拌条件下,采用由220 g/L CuS_O_4·5H_2O、53 g/L H_2SO_4、40~90 mg/L HCl和4种添加剂组成的酸性镀铜液对印制线路板盲孔(深径比4∶5)进行电镀填充。以盲孔填充率为指标,通过正交试验对作为添加剂的氯离子(Cl-)、聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)、聚乙二醇(PEG-8000)和2-巯基吡啶(2-MP)的用量进行优化,得到添加剂的最优组合为:Cl-40 mg/L,SPS 1.5 mg/L,PEG-8000 200 mg/L,2-MP 0.5 mg/L。采用该配方进行盲孔电镀时,平均填孔率达到91.7%,且镀层表面结构均匀、致密,耐浸锡热冲击和抗高低温循环的性能良好,满足印制电路板对可靠性的要求。     

高深径比通孔电镀铜的添加剂优化

以75 g/L CuSO4·5H2O、230 g/L硫酸和0.1 g/L十二烷基苯磺酸钠(SDBS)组成的溶液作为基础镀液,并以Cl-、聚乙二醇(PEG-10000)、聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)及2,2′-二硫代二吡啶(2-PDS)作为添加剂,在温度(23±2)℃、电流密度1.8 A/dm2和空气搅拌的条件下对印制电路板(PCB)上深径比为10∶1的通孔电镀铜。以深镀能力作为评价指标,通过正交试验对添加剂用量进行优化,得到较优的组合为:SPS 5 mg/L,PEG 250 mg/L,Cl- 60 mg/L,2-PDS 2 mg/L。采用该组合添加剂电镀通孔时,深镀能力高达112.9%,镀层均匀、细致、平整,抗热冲击性能良好,符合PCB生产对可靠性的要求。     

印制电路板通孔电镀铜添加剂的研究

在2.0 A/dm2、24°C和空气搅拌条件下,采用由60 g/L Cu SO4·5H2O、200 g/L H2SO4、60 mg/L Cl-和4种添加剂组成的酸性镀铜液对印制线路板通孔进行电镀铜。以PCB通孔孔口、孔中心铜层厚度和镀液的深镀能力为指标,通过正交试验对添加剂聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)、聚乙二醇(PEG-10000)、季铵盐类化合物(MX-86)和嵌段聚醚类化合物(SQ-5)的用量进行优化,得到添加剂的最优组合为:SPS 20 mg/L,SQ-5 0.5 g/L,PEG-10000 0.2 g/L,MX-86 20 mg/L。采用该配方对深径比为8∶1的通孔电镀时,深镀能力在90%以上,铜层的延展性和可靠性均能满足印制线路板的工业应用要求。     

盲孔快速镀铜添加剂对填孔效果的影响及其作用过程

介绍了一种快速填盲孔电镀铜工艺,镀液组成和工艺条件是:CuSO_4·5H_2O 210 g/L,H_2SO_4 85 g/L,Cl~-50 mg/L,润湿剂C(环氧乙烷与环氧丙烷缩聚物)5~30 mL/L,整平剂L(含酰胺的杂环化合物与丙烯酰胺和烷基化试剂的反应产物)3~16 mL/L,加速剂B(苯基聚二硫丙烷磺酸钠)0.5~3.0 mL/L,温度23℃,电流密度1.6 A/dm~2,阴极摇摆15回/min或空气搅拌。研究了湿润剂C、整平剂L和加速剂B对盲孔填孔效果的影响。结果表明,润湿剂C与加速剂B用量对填孔效果的影响较大,而整平剂L用量的影响较小。最优组合添加剂为:整平剂L 8 mL/L,湿润剂C 15 mL/L,加速剂B 1.5 mL/L。采用含该添加剂的镀液对孔径100~125μm、介质厚度75μm的盲孔进行填孔电镀时,填孔率大于95%,铜镀层的延展性和可靠性满足印制电路板技术要求。此外,对添加剂填孔过程的研究表明,爆发期在起镀后的20~30 min,爆发期孔内的沉积速率是表面沉积速率的11倍以上。     

以计时电位法优化盲孔电镀添加剂的配方

采用220 g/L CuSO₄·5H₂O+0.54 mol/L H₂SO₄作为酸性电镀铜填盲孔的基础镀液,加入Cl^-、二丙烷二磺酸钠(SPS)、聚乙二醇(PEG10000)、吡咯烷二硫代氨基甲酸铵盐(APTDC)作为添加剂,以计时电位法研究了镀铜铂盘电极在100 r/min和1 000 r/min转速下,这4种添加剂的质量浓度对阴极电位的影响,并记录不同对流强度下的电位差。得到优化的添加剂组合为:Cl^--50 mg/L,PEG10000 150 mg/L,SPS 2.5 mg/L,APTDC 2.5 mg/L。采用此配方对盲孔进行电镀,填孔率在90%以上,平均面铜厚度为15.4μm,镀层光滑平整,抗热冲击性能好。     

添加剂对高电流密度下通孔电镀铜的影响

通过测量25°C的计时电位曲线研究了聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)、二甲基甲酰胺基丙烷磺酸钠(TPS)、N,N-二甲基二硫代甲酰胺丙烷磺酸钠(DPS)、3-巯基-1-丙烷磺酸钠(MPS)、噻唑啉基二硫代丙烷磺酸钠(SH110)和醇硫基丙烷磺酸钠(HP)这6种常用添加剂对高电流密度(3.0 A/dm2)下通孔电镀铜的影响。基础镀液为70 g/L硫酸+200 g/L五水合硫酸铜+60 mg/L氯离子,抑制剂为200 mg/L聚乙二醇(PEG-10000),整平剂为1 mg/L健那绿(JGB)。结果表明,镀液中单独加入抑制剂时镀液的分散能力没有提高,而MPS的去极化能力过强,能抵消抑制剂和整平剂的作用。采用100 mg/L PEG-10000+1 mg/L TPS+1 mg/L JGB作为添加剂时,镀液的分散能力为82%,所得通孔镀铜层热应力情况较好。     

复合光亮剂对盲孔填孔电镀铜的影响

介绍了一种盲孔填孔电镀铜复合光亮剂,该光亮剂由抑制剂C(乙二醇与丙二醇的共聚物)、光亮剂B(N,N-二甲基二硫代羰基丙烷磺酸钠)和整平剂L(含氮杂环混合物)组成。先采用CVS(循环伏安剥离)法分析各添加剂对电镀速率的影响,以确定镀液中各组分有效浓度的分析方法。再通过全因子试验研究抑制剂C、光亮剂B和整平剂L对填孔率的影响。结果表明,光亮剂B和整平剂L用量对盲孔填孔效果的影响较大,抑制剂C的影响较小。在由210 g/L Cu SO_4·5H_2O、50 g/L H_2SO_4和50 mg/L氯离子组成的基础镀液中加入0.5 mL/L光亮剂B、10 mL/L整平剂L和15 mL/L抑制剂C时,填孔率大于90%,镀液通电量在200 A·h/L以内可达到良好的填孔效果。镀铜层的延展性和可靠性满足印制线路板(PCB)行业的应用要求。     

整平剂对酸性电镀硬铜的影响

研究了噻唑啉基二硫代丙烷磺酸钠(SH110)、十六烷基三甲基溴化铵(CTMAB)、聚乙烯亚胺烷基盐(PN)以及四氢噻唑硫酮(H1)4种整平剂对酸性电镀铜层表面形貌和显微硬度的影响。基础镀液组成为:Cu SO4·5H2O 220 g/L,H2SO4 55 g/L,Cl-60 mg/L,聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)3 mg/L,聚乙二醇(PEG6000)100 mg/L。在一定范围内,整平剂的质量浓度越高,镀层表面越光滑、平整,显微硬度越高。选择2 g/L H1作为整平剂时,所得镀层的显微硬度可长时间(14 d以上)满足电子雕刻的要求(180~220 HV)。H1与其他3种整平剂之间的协同作用的强度顺序为:H1+SH110H1+CTMABH1+PN。     

单纯形优化法研究改良型全加成PCB的铜电镀液配方

在铜基电镀液配方的基础上,运用单纯形优化法获得了适用于改良型全加成法制作印制电路板(PCB)工艺的优良铜电镀液配方:CuSO_4·5H_2O 71~84 g/L,硫酸96~108 mL/L,Cl~- 44~65 mg/L,加速剂0.5~0.9 mL/L,湿润剂13~20 mL/L。验证试验结果表明,采用该配方在铝板上进行电镀,所获得的铜镀层均匀、稳定,其镀层厚度的变异系数(COV)降至2.71%~4.39%,有利于改善全加成PCB产品的品质。     

盲孔填孔电镀铜添加剂的研究

介绍了一种盲孔电镀铜工艺,镀液组成和工艺条件为:CuSO4·5H2O 200 g/L,H2SO475 g/L,Cl 55 mg/L,抑制剂(乙二醇聚氧乙烯聚氧丙烯单丁醚)30 mL/L,整平剂(含氮杂环化合物)3 mL/L,加速剂(N,N二甲基二硫代羰基丙烷磺酸钠)2 mL/L,温度23°C,电流密度1.4 A/dm2,阴极摇摆16回/min,空气搅拌。研究了抑制剂、加速剂和整平剂对FR-4基材盲孔填孔效果的影响。结果表明,抑制剂和加速剂用量对盲孔填孔效果的影响较大,整平剂的影响较小。镀液中加入适宜含量的上述3种添加剂时,填孔效果良好,填孔率大于95%,所得铜镀层的延展性和可靠性满足印制电路板的应用要求。     

加速剂对铝基覆铜板通孔电镀铜的影响

在由70 g/L硫酸铜、200 g/L浓硫酸、60 mg/L盐酸、200 mg/L聚乙二醇(PEG6000)和1 mg/L健那绿B(JGB)组成的基础镀液中分别添加聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)、3-巯基-1-丙磺酸钠(MPS)和N,N-二甲基二硫代甲酰胺丙烷磺酸钠(DPS)作为加速剂。通过计时电位曲线测试和热冲击试验,研究了不同加速剂对通孔电镀铜的影响。结果表明,镀液中添加2.5 mg/L SPS或9 mg/L DPS作为加速剂时,镀液的深镀能力显著提高,所得Cu镀层的抗热冲击性能合格。     

新型酸铜电镀加速剂MA的应用研究

酸性电镀铜是重要的电子互连制造技术之一。为解决其工业生产过程中,聚二硫二丙烷磺酸钠（SPS）和3-巯基-1-丙烷磺酸钠（MPS）稳定性欠佳,导致镀液老化,使添加剂监控失效、镀液均镀能力下降和镀层结瘤等问题,通过电化学实验、定量分析实验和电镀实验,研究了巯基丙烷磺酸络二铜（MA）作为电子互连中酸铜电镀加速剂的特性。结果表明,MA能够直接替代原配方中的SPS和MPS,作为酸铜加速剂使用,且工作浓度更低,具有更宽的CVS分析线性区间,能够提供更准确的定量分析结果,在微通孔保型电镀中表现出良好的均镀能力,并能实现微盲孔的超级填充,不改变铜镀层的金相织构等,展现出广阔的应用前景。     

印制线路板酸性镀铜整平剂的研究

以N-乙烯基咪唑和1,4-丁二醇二环氧甘油醚为原料合成了一种带聚醚链的整平剂,采用FT-IR和<'1>H NMR对其结构进行了表征.对由此整平剂与聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)和聚乙二醇(PEG-6000)组成的添加剂体系与市售整平性能较好的添加剂的阴极极化曲线、铜镀层表面形貌和镀液均镀能力作了对比.结果表明,含此整平剂...     

电解铜箔表面黑化工艺优化

研究了电解铜箔黑化液的锌离子、镍离子、硫氰酸钾和黑化剂含量以及工艺参数pH、温度和电流密度对黑化试样颜色、蚀刻性和耐蚀性的影响。得到较理想的电解铜箔表面处理黑化工艺为:Ni~(2+)8.0 g/L(NiSO_4·6H_2O 35.5 g/L),Zn~(2+)1.5 g/L(ZnSO_4·7H_2O 6.5 g/L),硫氰酸钾(KSCN)20~30 g/L,黑化剂10~50 mL/L,焦磷酸钾(K_4P_2O_7·3H_2O)90~200 g/L,pH=9.0~10.0,温度30~40°C,电流密度8~10 A/dm~2,时间3~6 s。     

TiO_2/锂硅粉-H_2O_2体系光催化降解邻苯二甲酸二甲酯机理分析

利用自制的TiO_2/锂硅粉催化剂与H_2O_2联用进行光催化降解邻苯二甲酸二甲酯(DMP)废水研究。实验结果表明,TiO_2/锂硅粉与H_2O_2联用是降解DMP的有效方法,当TiO_2/锂硅粉投加量为1. 2 g/L、H_2O_2体积分数为2. 0 m L/L、初始pH=8. 0时,反应10 h的DMP降解率最大,为89. 18%。通过LC/MS分析反应过程中DMP的降解产物,主要包括侧链缩合成环生成的水杨酸、羟基化产物邻苯二酚和苯环开环生成的2-羟基异丁酸。初步推测TiO_2/锂硅粉-H_2O_2体系下DMP的碳链断裂从侧链开始。     

聚二硫二丙烷磺酸钠对电沉积纳米孪晶铜的影响

以聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)、明胶蛋白胨(GP)、氯离子为添加剂采用直流电镀制备了高度(220)择优取向的纳米孪晶铜，并探究了其形核机理。结果表明，加入SPS会使镀层由(111)和(220)取向转变为具有(220)择优取向的纳米孪晶铜，并且SPS浓度会强烈影响镀层的过渡层厚度。SPS和GP在铜表面竞争性吸附，使镀层的内应力比单一添加剂时更高，镀层通过形成(220)择优取向孪晶铜释放内应力。纳米孪晶铜的形核和生长受到电流密度和添加剂的共同影响，在合适的过电位下镀层才能通过形成孪晶来释放应变能。在20 mg/L SPS、4 A/dm²条件下，孪晶结构最完整，过渡层最薄。     

橡胶肋硫化剂—甲基丙烯酸镁

<正> 甲基丙烯酸镁(简称MMg)分子式为:C_8H_(10)O_4Mg·2H_2O,分子量230.5,为白包粉末,酸值2～1.4毫克KOH/克。用干二烯类橡胶,不仅是过氧化物(DCP)硫化的助硫化剂,而且也是多种硫化体系硫化丁晴橡胶的耐热添加剂和增硬剂。作为DCP的助硫化剂,可以多方面的改进DCP硫化胶的性能,对未填充和填充的丁晴均有     

气相色谱法测定6种邻苯二甲酸酯痕量组分的固相萃取条件研究

利用固相萃取技术富集了水中6种邻苯二甲酸酯类:邻苯二甲酸二(2-乙基己基)酯(DEHP)、邻苯二甲酸二甲酯(DMP)、邻苯二甲酸二乙酯(DEP)、邻苯二甲酸二丁酯(DBP)、邻苯二甲酸二辛酯(DOP)、邻苯二甲酸丁基苄基酯(BBP)。借助均匀设计法及计算机回归建模优化技术对6种邻苯二甲酸酯类的固相萃取条件进行了设计与优化,得到最佳固相萃取条件为:洗脱剂配比(正己烷与丙酮的体积比)30∶1,洗脱体积2 mL,洗脱速率为4 mL/min,上样速率8 mL/min。富集后的样品用带电子捕获器的毛细管气相色谱检测,方法的线性范围为1~1 000μg/L(DMP、DEP、DOP),0.2~100μg/L(DBP、DEHP),0.1~100μg/L(BBP);线性回归方程的相关系数为0.997 0~1.000,检测限为0.01~0.4μg/L,方法回收率为69.0%~117.0%,相对标准偏差为2.2%~9.5%。     

微波印制电路板电镀铜溶液优化及镀层性能

通过赫尔槽试验对微波印制电路板用光亮电镀铜的添加剂和其他组分的用量进行优化,得到分散能力和覆盖能力较好的配方:硫酸260 g/L,CuSO_4·5H_2O 60 g/L,Cl-60 mg/L,光亮剂(有机磺酸盐)1.0 mL/L,整平剂(杂环类化合物)20 mL/L。采用较佳配方在温度25°C、电流密度1.2 A/dm~2、阴极移动速率1.8 m/min、空气搅拌的条件下进行通孔电镀时,铜层的厚度、微观结构、附着力、可靠性、延展性、拉伸强度等性能均满足微波印制电路板电镀铜的质量要求,与后续电镀金工艺的兼容性良好。     

腐殖酸/Fe~(2+)/PMS体系降解DMP的研究

研究投加了腐殖酸(HA)的Fe⁽²⁺⁾/过一硫酸盐(PMS)体系对邻苯二甲酸二甲酯(DMP)的降解。考察了体系沉淀物、腐殖酸浓度对降解DMP的影响。通过活性自由基和中间产物的鉴定推测了DMP的降解过程。结果表明,腐殖酸/Fe(2+)/过一硫酸盐(PMS)体系对邻苯二甲酸二甲酯(DMP)的降解。考察了体系沉淀物、腐殖酸浓度对降解DMP的影响。通过活性自由基和中间产物的鉴定推测了DMP的降解过程。结果表明,腐殖酸/Fe⁽²⁺⁾/PMS体系对DMP的降解明显优于其他体系,DMP的降解率可达100%。体系中生成的沉淀物是腐殖酸与铁的络合物,是促进DMP降解的重要物质。当腐殖酸浓度从1 mg/L增加至20 mg/L时,DMP的降解速率呈先增大后减小趋势。·OH和SO_4(2+)/PMS体系对DMP的降解明显优于其他体系,DMP的降解率可达100%。体系中生成的沉淀物是腐殖酸与铁的络合物,是促进DMP降解的重要物质。当腐殖酸浓度从1 mg/L增加至20 mg/L时,DMP的降解速率呈先增大后减小趋势。·OH和SO_4^(·-)是体系中主要的活性自由基。DMP降解的中间产物主要为邻苯二甲酸单甲酯、邻苯二甲酸和苯甲酸。