九五瓷热压铸制品活性炭排蜡

一、前言九五瓷是一种Al_2O_3含量在92～97％的高频陶瓷。其主晶相为α-Al_2O_3,杂质含量非常少,具有机械强度高、热稳定性好、电气性能优良和化学稳定性好等特性。现在大量用作各种耐高温零件、火花塞、集成电路基板和封装外壳、电真空器件及半导体器件中的各种支撑件、封接件、绝缘件、能量输出件等。     

有机电致发光器件封装技术的研究进展

有机电致发光器件(OLED)对O2和水汽非常敏感,渗入器件内部的O2和水汽会严重影响器件的发光寿命。因此,OLED器件的封装很重要。介绍了不同衬底或基板OLED封装技术的研究状况,包括以玻璃为基板的封装技术如等离子体化学气相沉积、原子层沉积、化学气相沉积聚合物薄膜和光聚合聚丙烯酸酯薄膜等;以塑料为基板的封装技术通常采用多层或迭层的复合封装技术如有机–无机复合膜和金属–有机复合膜的封装技术等。     

陶瓷金属化研究现状及发展趋势

陶瓷作为一种导热率较高的新兴散热材料,在大功率电子元器件封装散热领域优势凸显。陶瓷表面金属化是陶瓷基板在功率型电子封装领域获得实际应用的重要环节,且金属化层的好坏将直接影响到功率型电子元器件的可靠性与使用寿命。本文在查阅并参考国内外权威文献资料的基础上,系统论述了陶瓷作为高导热的散热基板材料,其表面金属化的研究现状及发展趋势。并着重介绍了陶瓷金属化的新工艺及在其它领域的新应用。     

氮化铝粉体制备的研究及展望

氮化铝陶瓷具有高的热导率、良好的电绝缘性、低的介电常数和介电损耗,以及与硅相匹配的热膨胀系数,是现今最为理想的基板材料和电子器件封装材料.氮化铝陶瓷的优良性能基于其粉体的高质量,因此,高质量氮化铝粉体的制备是获得性能优良氮化铝陶瓷的关键.本文综述了氮化铝粉体制备技术的研究进展,并对其未来发展方向进行了展望.     

高性能氮化硅陶瓷的制备与应用新进展

氮化硅陶瓷是一种具有巨大应用前景的结构陶瓷。其力学性能优异(抗弯强度、硬度较高),耐磨损、耐腐蚀,耐高温,而且理论热导率值较高,因此被广泛应用于现代工业与制造业之中。本文从原料、烧结助剂、烧结方法等方面论述了氮化硅陶瓷制备工艺,并在此基础上总结介绍了氮化硅陶瓷在陶瓷轴承以及高导热电子封装基板中的应用。     

高导热微电子封装与基板材料的产业化开发

正一、成果简介目前国内用于微电子封装的基板材料、介质材料和金属材料还远落后于国外产品。封装材料的落后严重制约国内封装技术的进步和微电子产品性能的提高。例如,占半导体器件封装总量95%的环氧模塑料(CMC),高性能的产品大多数还是来自于国外公司或合资公司,国内产品只能占据低端市场,产品附加值很低。低温共烧多层陶瓷基板(LTCC)、高导热陶瓷基板(AlN、Si3N4)国内尚没有成熟产品。     

AlN 陶瓷的性能及应用

AlN陶瓷具有高硬度、与硅相接近的线膨胀系数、高电阻率、低介电常数、低介电损耗以及无毒、耐高温、耐腐蚀等特性,力学性能良好,在电子、机械、复合材料等领域有着广泛的应用。尤其是因为具有高热导率,Al N陶瓷已经成为理想的半导体基板和封装材料之一。本文回顾了Al N陶瓷的发展历程,着重评述了Al N陶瓷的制备技术、性能及应用等方面的研究进展,并对其面临的技术困难及发展方向进行了展望。     

电子封装用高导热AlN陶瓷基板研究进展

高导热AlN陶瓷是新型功率电子器件重要的基板材料,在5G通讯、微波TR组件、IGBT模块等高端电子器件领域具有广泛的应用。综述了国内外电子封装用高导热AlN陶瓷基板及其制备技术的研究进展。探讨了晶格氧、非晶层、AlN晶粒尺寸、晶界相及气孔等微结构因素对AlN陶瓷热导率的影响。提出选用高纯超细AlN粉体原料,合理选取烧结助剂的类型与添加量,优化排胶、高温烧结与热处理工艺是改善AlN陶瓷结构,实现AlN陶瓷热导率提升的有效途径。     

二氧化硅掺杂对黑色氧化铝陶瓷的改性

用超微细氧化铝(Al2O3),二氧化硅(SiO2)粉体及适量的过渡金属氧化物,用固相反应法在1 350 ℃空气中烧结得到了致密的黑色Al2O3陶瓷.研究了SiO2掺杂对陶瓷显微结构和电性能的影响.实验表明:在黑色Al2O3陶瓷中,SiO2是一种较好的掺杂剂,它不仅可以降低烧结温度,使陶瓷晶粒细小均匀,同时还可以改善材料的电气性能,使之满足用作晶体振荡器件、光电器件及集成电路器件等的基板及避光封装外壳的要求.     

AlN陶瓷烧结技术及性能优化研究进展

微电子技术的飞速发展对芯片基板和封装材料性能的要求越来越高.AlN陶瓷因其高热导率、高强度、线膨胀系数与硅接近、介电常数小、耐高温和耐腐蚀性能优异而被用作芯片基板和封装材料.主要从烧结技术和烧结助剂对AlN陶瓷性能影响方面综述了AlN陶瓷的研究进展,并指出了AlN陶瓷在制备及应用过程中存在的问题,展望了AlN陶瓷的发展...     

MgSiN_2固相合成的研究进展

MgSiN_2由于具有和AlN相似的晶体结构,引起了人们的广泛关注。它具有高硬度、高电子阻抗、高热导率、低介电常数、相对较好的断裂韧性、良好的抗热震性能、高达920℃以上的抗氧化性等性能。在各个领域尤其是在电子、国防、宇航领域有着较好的应用,在制备高密度集成电路基板材料、封装材料、高热导非氧化物陶瓷、β-Si_3N_4棒晶、发光材料等方面都有着巨大的应用前景。概述了MgSiN_2粉末与陶瓷烧结体制备的研究进展及其在其他方面的应用,并对MgSiN_2的未来发展进行了展望。     

3M公司推出成本效益好的LED芯片封装的陶瓷基板的替代产品

<正>3M公司电子材料解决方案事业部今天宣布推出新的3M LED芯片封装基板,其具有成本效益的陶瓷基板替代产品。该新款基板由铜和聚酰亚胺构造而成,与高效能的陶瓷基板相比,其能够满足高功率LED芯片对电和热性能的要求,且其价格具有竞争力。3M公司提供的基板呈托盘和卷盘样式,卷盘样式的基板     

电子材料用精细陶瓷

本文概述了国外已大规模使用的电子功能陶瓷即火花塞绝缘陶瓷、集成电路基板和封装用陶瓷、介电陶瓷、压电陶瓷、半导体陶瓷。     

电子级塑封材料的研究及应用

<正> 一、前言电子元器件的塑料封装已成为当前器件封装的主流,约有80%的集成电路、90%以上的分立器件采用塑料封装,它比陶瓷、金属封装工艺简单,成本低、体积小、重量轻、可靠性高。随着电子工业的发展,器件封装用树脂和封装工艺的研究已成为各国极为关注、重视的课题。     

氮化铝粉体工程的研究进展

电子技术微型化、轻型化、高集成和大功率的发展,对基板和封装材料提出更高要求。氮化铝陶瓷具有高导热性、绝缘性、热膨胀系数与半导体硅相近、机械强度高、化学稳定性好、无毒无害等优良特性,是理想的基板材料之一,具有很好的发展前景。高质量氮化铝粉体是制备高性能氮化铝陶瓷的关键。本文分别归纳介绍了微米/纳米氮化铝合成的新技术、新方法及其研究进展,并展望了氮化铝粉体合成的发展趋势。     

Al_2O_3粉体与真空电子陶瓷

真空电子器件是电子工业器件中最重要的器件之一,其主要的部件之一是绝缘外壳。外壳的共同要求是真空气密性好、机械强度高、绝缘性能优良等。某些器件(例如真空开关管)还要求真空器件寿命保证20年之久。目前国内外真空开关管绝缘外壳大多采用95%Al_2O_3陶瓷与活性Mo-Mn法封接工艺,产品质量上国内不如国外的,国内产品只应用于低端市场。本人对真空开关管绝缘外壳进行了比较系统的研究分析,提出了我国Al_2O_3粉体和高Al_2O_3陶瓷的不足之处和相应的改进措施。     

适合氮肥企业开发的精细化工产品——高纯氧化镁

高纯氧化镁,分子式MgO,分子量40.3,外观为白色无定形粉末,高温下具有优良的耐酸碱性和电绝缘性,透光性好,导热性高,热膨胀系数大,可广泛用作高温耐热材料。在陶瓷行业用作陶瓷坩锅、基板等原料。在电子、电器行业用作磁性装置填料、绝缘材料及各种载体。此外,用高纯氧化镁作为原料,还可以生产电熔氧化镁单晶、高纯电熔氧化镁、纳米级氧化镁等专用特种氧化镁系列产品。这些产品在电子、电器、光学、仪表、冶金、国防、航空航天等领域中都有广泛的应用。传统的氧化镁有以下3种生产方法。(1)气相法将高纯度金属镁与氧反应生成晶核,然后使颗粒…     

氮化铝陶瓷粉体制备方法研究进展及展望

氮化铝具有良好的热学、电学和机械等性能,是理想的电子封装材料和高性能陶瓷基板材料.本文论述了目前国内外氮化铝陶瓷粉体的主要制备方法及其特点,分析了氮化铝粉体制备的主要影响因素,阐述了主要解决措施,展望了氮化铝陶瓷粉体制备技术研究发展的方向.     

高纯氧化镁开发应用前景广阔

高纯氧化镁分子式MgO，分子量40．3，外观为白色无定形粉末，高温下具有优良的耐酸碱性和电绝缘性，光透过性好，导热性高，热膨胀系数大，广泛用作高温耐热材料，在陶瓷行业用作陶瓷坩锅、基板等原料。在电子、电器行业用作磁性装置填料、绝缘材料及各种载体。此外，用高纯氧化镁作为原料，还可以生产电熔氧化镁单晶、高纯电熔氧化镁、纳米级氧化镁等专用特种氧化镁系列产品，这些产品在电子、电器、光学、仪表、冶金、国防、航空航天等领域中都有广泛的应用。     

高热导率氮化硅散热基板材料的研究进展

针对越来越明显的大功率电子元器件的散热问题,主要综述了目前氮化硅陶瓷作为散热基板材料的研究进展。对影响氮化硅陶瓷热导率的因素、制备高热导率氮化硅陶瓷的方法、烧结助剂的选择、以及氮化硅陶瓷机械性能和介电性能等方面的最新研究进展作了详细论述,最后总结了高热导率氮化硅作为散热基板材料的发展趋势。