溶胶-凝胶法制备Al_2O_3感湿薄膜

采用溶胶－凝胶法制备Ａｌ＿２Ｏ＿３感湿薄膜，并通过大量实验，研究了溶胶的配制、涂覆层数及热处理工艺，对其感湿特性也进行了测试．     

溶胶——凝胶法制备SiO2薄膜

本研究采用ＴＥＯＳ－ＥｔＯＨ－Ｈ２Ｏ－ＨＣｌ体系原料，应用低温合成技术，成功地在玻璃在底上制备了完整透明的ＳｉＯ２薄膜。对合成材料进行了差热－失重分析，Ｘ射线衍射分析，红外透射光谱分析及理化检验。结果表明，无序ＳｉＯ４四面体网络已经形成，薄膜的固体物理状态可控制的晶态，非晶态，并赋予基底优良的理化性能。     

硫酸氧钛－水－乙二醇系溶胶浸涂制备TiO_2薄膜

用ＴｉＯＳＯ４·ｎＨ２Ｏ为原料，制成ＴｉＯＳＯ４－Ｈ２Ｏ－乙二醇系溶胶，然后浸涂制备ＴｉＯ２薄膜．研究了此ＴｉＯ２薄膜的形成过程、晶相组成和微观结构．６００℃热处理得到的ＴｉＯ２薄膜为锐钛矿相，底层小颗粒与玻璃基板具有良好的附着．     

微波电子回旋共振等离子体溅射法沉积ZnO薄膜

ＺｎＯ薄膜具有强的压电和光电效应，广泛用于制作各种声电和声光器件中．本文报道了用微波ＥＣＲ等离子体溅射法沉积了ＺｎＯ薄膜，并研究了该法制备ＺｎＯ膜的工艺．结果表明，所形成的ＺｎＯ膜的性质强烈地依赖于溅射沉积条件．     

WO3薄膜的结构和电致变色性质的热处理效应

本文用溶胶－凝胶法在ＩＴＯ导电玻璃上制备了ＷＯ３薄膜,并在１５０－５００℃的空气环境中将薄膜进行了处理处理,用ＳＥＭ、ＸＲＤ观察了薄膜的表面形貌,分析了薄膜的微观结构及热处理温度对薄膜的结构和电致色性能的影响,讨论了薄膜的致色机理。     

溶胶—凝胶工艺参数对PLT10薄膜显微结构的影响

研究了溶胶－凝胶工艺中溶胶陈化时间，热处理工艺条件和衬底材料对ＰＬＴ１０（Ｐｂ０．９Ｌａ０．１Ｔｉ０．９７５Ｏ３的简称）薄膜显微结构的影响。结果表明，在（１００）Ｓｉ单晶基片上制备的ＰＬＴ１０薄膜为钙钛矿结构的多晶陶瓷膜；在（１００）ＳｒＴｉＯ３衬底上制备的ＰＬＴ１０薄膜为（００１）择优取向的具有钙钛矿结构的单晶膜，（００１）择优取向度高达０．９５。溶胶陈化时间愈长，薄膜择优取向度愈高。热处理温度越高，ＰＬＴ１０薄膜钙钛矿结构发展越充分，薄膜晶粒尺寸越大。     

溶胶—凝胶法制备WO3电致变色薄膜

本文以六氯化钨和乙醇为主要原料,采用溶胶－凝胶法制备了ＷＯ３非晶态电致变色薄膜,研究了ＷＯ３薄膜的结构,化学组成,电致变色性能,结果表明用该法制备的非晶态ＷＯ３薄膜具有良好的电致变色特性。     

溶胶—凝胶法制备WO_3电致变色薄膜

本文以六氯化钨和乙醇为主要原料, 采用溶胶—凝胶法制备了ＷＯ３ 非晶态电致变色薄膜, 研究了ＷＯ３ 薄膜的结构、化学组成、电致变色性能, 结果表明用该法制备的非晶态ＷＯ３ 薄膜具有良好的电致变色特性     

SnCl_4结晶水对SnO_2成膜的光电性质影响

报道了用无水ＳｎＣｌ４和ＳｎＣｌ４·５Ｈ２Ｏ为原料，用热喷涂法制备ＳｎＯ２薄膜，在基片温度为５３０℃时，制得薄膜的Ｘ－射线，ＳＥＭ图及其光电性质．总结出含Ｈ２Ｏ的ＳｎＣｌ４制得的薄膜生长速度快，电阻率低，两者在结构上无明显差异。     

纳米纤维素与蒙脱土对聚乳酸性能的影响

对纳米纤维素（ＣＮＣ）和蒙脱土（ＭＭＴ）进行有机改性,制备了一系列的经纳米纤维素、蒙脱土,以及两者混合改性的聚乳酸（ＰＬＡ）薄膜,并通过红外测试研究了薄膜的化学结构. 用拉伸实验研究了纳米纤维素和有机蒙脱土（ＯＭＭＴ）对ＰＬＡ薄膜机械性能的影响,结果显示,ＣＮＣ和ＯＭＭＴ的加入分别提升了ＰＬＡ的断裂伸长率和拉伸强度. 两种改性剂同时改性的复合薄膜的拉伸强度及断裂伸长率均得到提高,且优于单一添加. 热重分析测试结果显示,ＯＭＭＴ使得聚乳酸热稳定性明显提高,但ＣＮＣ的加入会使聚乳酸的热稳定性有所降低. 通过扫描电镜观察薄膜的表面形貌,发现两种添加剂均在聚乳酸中均匀分散,而在添加两种添加剂的复合薄膜中,蒙脱土的分布呈海岛结构.     

组合法制备Pb（ZrxTi（1-x））O3组分梯度薄膜

在无蒸馏和无惰性气氛保护的条件下,快速制备了用于组合合成Pb(ZrxTi1-x)O3薄膜的前驱溶液PT和PZ。采用组合法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了一系列Pb(ZrxTi1-x)O3组分梯度薄膜。经XRD分析表明,薄膜具有钙钛矿结构,择优取向为(111)。SEM结果显示薄膜厚度在500nm左右。电滞回线的测试表明,下梯度薄膜PZT-654表现出良好的铁电性能,明显优于其它薄膜。PZT-654梯度薄膜的剩余极化强度Pr为38.4μC/cm2,矫顽场Ec为75.0kV/cm,有较大的极化偏移,Poffset为12.9μC/cm2,表现出梯度铁电薄膜的特性。     

The domain structure and polarization retention properties of PT/PZT/PT ferroelectric thin film

The highly oriented perovskite-phase PT/PZT/PT ferroelectric thin film was pre- pared by sol-gel method. The domain structures and polarization retention proper- ties were investigated by scanning force microscopy. The amplitude and phase images of piezoresponse show complex various contrasts of dark, bright and gray. The complex variation of contrast in piezoresponse images results from the per- plexing orientation of grains and arrangement of domains in the ferroelectric films. The bright and dark areas in phase images correspond to top-to-bottom and bot- tom-to-top polarization oriented c-domain, respectively. The gray areas are c-domains with the polarization vector deviating from the direction normal to the film plane. The surface potential images of EFM are bright contrast, which is due to positive charges trapped on the film surface after being polarized by positive volt- age. And the brighter contrast is obtained from the higher electric field. The time-dependent surface potential images and line potential profiles show that the potential decays with time. And the decay in the region polarized by higher electric field is faster, especially at 15 min. This indicates that the polarization retention is related to the polarized electric field. Better retention properties may be obtained from a proper polarized electric field.     

TiO_2薄膜表面粗糙度对光学特性的影响

薄膜表面粗糙度是影响薄膜光学性能的一个重要指标,采用Taylor Hobson表面轮廓仪对离子束辅助电子束热蒸发沉积的二氧化钛(TiO2)薄膜表面粗糙度进行了研究.采用椭偏仪通过选择不同的结构模型研究了不同基底粗糙度上沉积的TiO2薄膜的折射率和消光系数.研究结果表明:0.3 nm/s的沉积速率获得的TiO2薄膜表面粗糙度较小;在基底粗糙度较小时,TiO2薄膜具有一定的平滑作用.通过减小基底的粗糙度和考虑混合模型,TiO2薄膜特性有一定的提升,随着薄膜表面粗糙度的增加其折射率趋于2.08,消光系数趋于0.04.     

溶胶-凝胶模板法制备有序多孔二氧化铈薄膜

采用乳液共聚法制备了聚苯乙烯-丙烯酸羟乙酯[P(St-HEA)]微球,通过流延成膜法制备了P(St-HEA)薄膜,再利用溶胶-凝胶模板法煅烧得到有序多孔二氧化铈(CeO2)薄膜.采用红外光谱、扫描电镜以及X射线衍射分析对P(St-HEA)微球单分散性及有序多孔CeO2薄膜表面形貌和结构进行了表征.结果表明,当丙烯酸羟乙酯(HEA)用量占总单体的用量低于10%(质量分数)时,制备的P(St-HEA)微球单分散性和表面较好.通过P(St-HEA)的胶体晶体模板制备了有序多孔CeO2薄膜,所得孔径约为190 nm,X-射线衍射分析显示有序多孔CeO2薄膜是立方萤石结构.     

溶胶凝胶法制备氧化亚铜薄膜及其工艺条件

以单质锂、无水甲醇和氯化铜为原料,葡萄糖为还原剂,醋酸为络合剂,采用溶胶 凝胶法在玻璃基片上制备Cu2O薄膜,并确定了制备的工艺条件:CH3OH及CuCl2·2H2O为原材料,C6H12O6·H2O为还原剂,CH3COOH为络合剂。通过X射线衍射仪、紫外 可见分光光度计和扫描电镜等分析和表征,确定了影响Cu2O薄膜性质的因素。结果表明:用溶胶 凝胶法可以制备具有良好性能的Cu2O薄膜。     

Preparation of Ag-doped TiO_2 Thin Film by Sol-gel Method

The Ag-TiO2 thin film has been prepared on glass substrate by sol-gel process . The structure and properties of the materials were studied by DTA , XRD, and EPR. The photocatalytic activity was examined by the photocatalytic degradation of dichlorophos. The analysis results indicate that the photocatalytic activity of the Ag-TiO2 thin film is higher than that of pure TiO2 thin film. It is also influenced by the content of anatase and heating temperature . The ESR result shows that the Ag-TiO2 thin film has more hydroxide radicals than pure TiO2 thin film after illuminated by UV light.     

可见光下Rhodamine B在钴掺杂TiO2薄膜上的光催化降解

采用溶胶 凝胶法和涂覆成膜技术在钛片上制备了有可见光响应的Co2+掺杂TiO2薄膜(Co-TiO2).应用该薄膜光催化剂在可见光下进行了Rhodamine B（RhB）的光降解研究.结果表明，当Co2+的掺杂摩尔分数为0.02％时，光催化剂对RhB有最佳的光降解效果，而且在降解过程中存在光催化和光敏化的协同效应；同时在酸性体系中光降解RhB比在碱性体系中有较快的速率和较小的最大吸收峰位移，这可能与不同pH下，TiO2表面的荷电状态影响光降解过程有关.Co-TiO2光催化剂的使用，成功地实现了可见光下对RhB的光催化和光敏化协同降解，提高了可见光下RhB的光降解速率.     

Effects of heat treatment process on thin film alloy resistance and its stability

1　INTRODUCTIONSensortechnologyisveryimportantininforma tionacquisitionandprocessingtechniquefields ,fromcosmicexplorationtooceanicexploitation ,andfromproductioncontrollingtomodernizedlife .Sensors ,withgreatprospect ,havebeencomprehensivelyap pliedinmanyfields ,suchasindustry ,agriculture ,nationaldefenseandsoon .Almosteverynationat tachesmuchimportancetothedevelopmentofsensortechnology ,andJapanlistsitasoneofthesixkeytechnologies[1] .Sensortechnologyisalsolistedas“theNinthFive” ,“t…     

掺杂剂对聚苯胺/二氧化钛复合薄膜氨敏特性的影响

室温条件下,采用平面叉指电极式器件,运用原位化学氧化聚合和静电力自组装相结合的方法分别制备了盐酸掺杂和对甲苯磺酸掺杂聚苯胺/纳米二氧化钛(PANI/TiO2)复合薄膜气体传感器,并通过电子扫描显微镜(SEM)对薄膜进行了分析表征,研究了其在常温下对NH3气的敏感特性。实验结果表明,盐酸掺杂PANI/TiO2复合薄膜较对甲苯磺酸掺杂PANI/TiO2薄膜具有更好的灵敏度和响应恢复特性以及更好的稳定性。该研究有助于开发低功耗、高灵敏度的NH3气体传感器。     

InSb薄膜的真空蒸发及磁敏霍尔元件的制作

利用单源真空蒸发方法制备InSb薄膜。研究了基片温度控制和膜层厚度对薄膜电子迁移率的影响。室温下测得InSb薄膜的电子迁移率为4×104cm2/V.s,晶粒尺寸达微米数量级。制作的磁敏霍尔元件输入与输出电阻范围为200~500Ω,乘积灵敏度达90~150V/A·T。