绝缘栅双极晶体管弧焊逆变器的研究

分析了采用新型功率器件绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）设计的弧焊逆变器的主电路、控制电路、驱动电路的构成及工作原理,并介绍了抗干扰措施。     

IGBT在电力牵引机车斩波回馈制动中的应用

绝缘栅晶体管（ＩＧＢＴ）集场效应管（ＭＯＳＦＥＴ）和大功率晶体管（ＧＴＲ）的优点于一体,因此,在电气传动和其他领域中得到了广泛的应用。文中介绍了ＩＧＢＴ的工作原理和其在暂波回馈制动实验装置中的应用。     

晶体管开关参数自动测试系统

晶体管开关参数的自动测试一直是人闪关注但尚未解决的问题，本文介绍了一种晶体管开关参数自动测试系统ＴＳＰ－ＡＴＳ。文中ＴＳＰ－ＡＴＳ的原理、方案论证、系统设计及测试结果作了详尽的叙述。     

窄脉宽工作下的大功率晶体管及其驱动的研究

通常我们总是把大功率晶体管及其驱动定这一环节视为一个有固定放大倍数的理想功率放大器，事实上，当GTR开关电路工作在窄脉宽或高频调制情况下时，其开关时间与工作脉宽相比不能再，此时GTR及驱动定环节的放大倍数发生了很大的变化，本文对窄脉宽工作下晶体管及其驱动所表现出的这一特性进行了详细的分析，以及从电路设计的角度提出了这一问题的解决方法。     

电路新颖的晶体管驱动电源

晶体管步进电机驱动电源分单一电压驱动和高低压驱动。本文主要讨论具有定电流控制的高低压驱动电源。     

功率晶体管模块静态特性的测试

介绍采用通用示波器测量功率晶体管模块输出特性和转移特性的方法,研制成功单片机控制阶梯波恒流驱动电源,对日本富士电机公司生产的５０Ａ／１０００Ｖ（２ＤＩ５０Ｄ－１００）功率晶体管模块进行了测试,并给出了测试结果。     

场效应晶体管短路失效的数值模型

为了分析碳化硅和硅两种材料的场效应晶体管的短路失效机理,利用半导体器件模拟软件建立了能够反映碳化硅场效应晶体管和硅场效应晶体管短路失效的数值模型。模型引入了自热效应模拟高电应力下晶体管内部温度变化及热传递过程,引入了福勒-诺德海姆(Fowler-Nordheim)隧穿和蒲尔-弗朗克(Poole-Frenkel)发射模拟氧化层的泄漏电流;短路实验结果验证了所建立的数值模型的准确性。通过对比两种晶体管数值模型在相同的短路条件下栅极驱动电压的变化、晶体管内电流线和温度的分布,结果表明,碳化硅场效应晶体管的短路失效主要是晶体管内的温度传递到表面引起金属电极的熔化以及栅极氧化层的严重退化,而硅场效应晶体管的短路失效是由于寄生双极型晶体管的导通导致其体内泄漏电流不可控而引起的灾难性的破坏。     

快速电流传感器和故障电流控制

本文介绍了一种光电隔离器差动连接的快速电流传感器。在大功率晶体管逆变器——电动机驱动系统中,它不但可用来对电动机电流的波形、相位、幅值和频率进行精细控制,而且能快速地检测出故障电流。本文也同时介绍了在晶体管逆变器支路上串入适当数值的保护电感,自动地限制故障电流上升率的方法。该方法与上述快速电流传感器相配合,可对大功率晶体管逆变器的短路事故,实现可靠保护。     

简捷的开关型基极驱动电路

提出一种基DC／DC变换器IC大功率晶体管模块的基极驱动电路，减小了驱动损耗，简化了驱动电路与工艺。     

四值T门电路的实现及应用

本文设计出一种用不同阈值电压的ＭＯＳ晶体管构成的四值Ｔ门电路，并使其得到应用。同时，用ＰＳＰＩＣＥ进行电路模拟，给出模拟结果。     

四值T门电路的实现及应用

本文设计出一种用不同阀值电压的ＭＯＳ晶体管构成的四值Ｔ门电路，并使其得到应用，同时，用ＰＳＰＩＣＥ进行电路模拟，给出模拟结果。     

SiC抗辐照特性的分析

用半导体抗辐照的机理说明了ＳｉＣ材料具有良好的抗辐照特性,实验数据的对比表明,ＳｉＣ在器件发光二极管（ＬＥＤ）,结型场效应晶体管（ＪＦＥＴ）和金属氧化物半导体场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）上对辐照影响不敏感。从原理上预测了ＳｉＣ集成电路的单粒子反转（ＳＥＵ）截面,结果说明ＳｉＣ集成电路具有好的抗ＳＥＵ能力。     

新型IGBT的混合IC驱动器的研究

详细介绍了绝缘栅双极性晶体管(IGBT)专用驱动芯片EXB841内部结构、功能及其应用.其独特的负压可靠关断IGBT和过流保护功能,经实验检验有效、稳定、可靠.     

自动调压式场效应晶体管VP＆VT测试仪的设计

介绍一种场效应晶体管ＶＰ＆ＶＴ测试仪,其内部采用了自动调节电路,测量时可以自动调节加在场效应管棚源之间的电压ＶＧＳ,使漏源电流ＩＤＳ等于规定的数值。     

单极型有机半导体酞菁铜晶体管的工作特性

根据试制的Au／CuPc／Al／CuPc／Au结构的垂直导电沟道有机薄膜晶体管的测试结果,分析了该晶体管的工作机理．由实验结果可知,驱动电压低,呈不饱和电流-电压特性．晶体管的工作特性依赖于栅极电压和铝电极的结构,垂直导电沟道有利于改善有机晶体管的工作特性．     

f_T为9GHz的SiGe／Si异质结双极晶体管

叙述了ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的设计考虑，双台面结构的制作方法，并制作出ｆ_Ｔ为９ＧＨｚ的ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ。同时根据对不同尺寸ＨＢＴ的测试结果得到分布参数是影响ｆ_Ｔ的重要因素之一。     

绝缘栅双极型晶体管IGBT

八十年代发展起来的新型复合器件——绝缘栅双极型晶体管IGBT,采用了双导电机制;它的输入级为一种利用MOS栅控的场效应晶体管,具有MOSFET的高输入阻抗和电压控制的特性;输出级为双极型功率晶体管GTR,具有输出阻抗低和电流密度大的特点,而且它的开关速度又远远高于GTR。共等效电路图如图一所示,因此这种器件可以用逻辑电平信号直接驱动控制较大的功率。具有电压型控制的特点:输入阻抗高、需要的驱动功率小,控制电路简单、导通热胆小饱和压降小、开关损耗低、通断速度快工作频率高、电流容量大耐电流冲击范围宽等诸多的优点。由于IGBT集中了MOSFET与GTR的优点于一体,而扬弃了它们的缺点,故而发展迅速,正日益广泛运用于变换器、逆变器、开关电源等回路中。IGBT取代功率双极型晶体管和功率场效应晶体管已是发展的必然趋势。     

IGBT栅极驱动电路的特性分析和应用

分析了功率绝缘栅双极性晶体管IGBT 对驱动电路的特殊要求以及设计驱动电路应该考虑的问题,概述了IGBT驱动电路的常用类型,并给出了几个具有实用意义的典型电路.     

一种三电平高压变频器IGBT驱动电路的实现

三电平高压变频器对绝缘门极双极性晶体管（IGBT）驱动电路有特殊的要求，比如：高低压侧的隔离问题、绝缘等级、动态驱动能力以及快速保护功能都有严格的要求，采用美国UNITRODE公司生产的UC3726／3727驱动IGBT芯片对，两芯片可组合使用，从而可以达到理想的驱动效果。测试结果表明了该方法的可行性。     

IGBT栅极驱动电路的特性分析和应用

分析了功率绝缘栅双极性晶体管IGBT对驱动电路的特殊要求以及设计驱动电路应该考虑的问题，概述了IGBT驱动电路的常用类型，并给出了几个具有实用意义的典型电路。