硅基热线式气敏元件及其特性􀀁

利用射频溅射在硅衬底上制作Ｐｔ膜电极,以溶胶－凝胶法制作的低阻ＳｎＯｘ为敏感层制成平面热线式气敏元件。研究了工艺条件,掺杂行为及其对气敏特性的影响,掺Ｓｂ及Ｐｔ石棉在７００℃烧结１．５ｈ的元件对Ｈ２,ＮＨ３灵敏度较高。     

射频溅射—热处理法研制SnO2薄膜

本文比较详细地研究射频溅射Sn膜—热处理氧化制备SnO_2薄膜的工艺因素对薄膜结构的影响,得到了采用该新工艺制备SnO_2薄膜的最佳条件:首先采用350W×0.10Pa×20min的射频溅射工艺制备 β-Sn膜;然后采用在550～650℃温度条件下保温2～3h的热处理工艺制备出SnO_2薄膜。X-射线衍射实验结果表明,在该工艺条件下可以得到非常细小均匀的纳米级SnO_2晶体结构,为薄膜型SnO_2气敏元件新工艺研究提供了基础性资料。     

Ni膜热敏电阻的制备

本文介绍了用射频溅射法制备的Ｎｉ膜热敏电阻的特性及相应工艺条件。     

溶胶—凝胶法制备SnO2薄膜气敏特性的实验研究

本文介绍了，以ＳｎＣｌ．２Ｈ２Ｏ为原材料，用ｓｏｌ－ｇｅｌ技术制备Ｌａ２Ｏ３掺杂的ＳｎＯ２薄膜气敏材料。研究掺杂量、工艺条件、衬底材料对气特性的影响。     

溅射条件对InSb薄膜方块电阻的影响

本文介绍了用射频溅射技术制备ＩｎＳｂ薄膜的方法，探索了溅射电压，工作气压，衬底温度及其片电压等条件对膜的特性和结构的影响，着重讨论了溅射条件对膜方块电阻的影响，并初步得出其变化规律。     

Sn-Ag心电电极电性能的研究

本文选用Ｓｎ－Ａｇ合金为金属材料，制成心电电极电以研究Ｓｎ－Ａｇ电有的电性能（主要是交流阻抗颤恢复性能），研究得出：Ｓｎ－Ａｇ电极的交流较低，其值约在３００－３３６０Ω；模拟除颤恢复性能较优，它们均符合要求，同时发现，将锡－银电极预腐蚀，电极的电性能得到进一步的改善，因此，Ｓｎ－Ａｇ是一种性能较好的心电电极材料。     

SnO2导电薄膜的制备及电学性能研究

利用等离子体化学气相沉积制备了ＳｎＯ２导电薄膜，分析了膜的电学性能与沉积参数的关系，同时测得ＳｎＯ２膜具有负温阻特性，这是一种Ｎ型半导体膜。     

一种新型金属复合氧化物半导体气敏材料体系

用ＮＨ４）２ＣＯ３作沉淀剂制得Ｃｄ：Ｓｎ＝１：１的粉料，经７５０℃、１５ｈ热处理可得单相钛铁矿型β－ＣｄＳｎＯ３。元件的电导－温度（Ｇ－ｔ）特征表明β－ＣｄＳｎＯ３为典型的表面电阻控制型气敏材料，无需掺贵金属催化剂就对还原性气体响很高的灵敏度。因此，β－ＣｄＳｎＯ３很有希望作为一种新型的气敏材料体系。     

ZnO/SnO2双层膜的结构及敏感特性研究

将ＳｎＯ２及ＺｎＯ粉末压制成靶材，采用溅射衍制备了ＺｎＯ／ＳｎＯ２双层薄膜，用ＸＰＳ，ＸＲＤ，ＳＥＭ等手段对制得的薄膜进行分析测试，发现双层膜表面有一定量的吸附氧存在，双层膜中锌、锡有一定的相互扩散，比较了单层ＳｎＯ２及ＺｎＯ膜与双层膜的气敏特性，结果表明双层膜在灵敏度及选择性方面都优于单层膜。     

表面覆膜法氢敏元件的研制及其选择性的研究

本文介绍了采用表面修饰技术，利用气敏元件表面覆盖生长的ＳｉＯ２分子膜的滤过作用，得到高选择性ＳｎＯ２半导体Ｈ２敏感元件的方法，并对元件的特性及机理进行了分析。     

200MHz高传输效率薄膜变压器的设计与制备

实现了一种新型的基于硅IC工艺的微波铁氧体集成薄膜变压器.铁氧体薄膜采用射频磁控溅射法制备,SEM观察了SiO2层上铁氧体膜的表面形貌,表明薄膜容易开裂;能谱仪对薄膜成分的分析表明铁氧体薄膜与SiO2层和Al膜附着性差.通过溅射工艺参数及增加热处理等工艺初步解决了以上存在的薄膜制备工艺与IC工艺之间的兼容性问题.采用标准硅基IC工艺设计和制备了这种新型结构的薄膜变压器,对一组薄膜变压器样品的实验参数在20～210 MHz的频率范围内作了测试.测试结果表明:对于设计的匝数比为1的薄膜变压器,在90～210 MHz的频率范围内能获得最高为79%的变压比和良好的波形传输能力.     

The electrical and optical properties of AZO thin film under different post-annealing temperatures

In this study, the Aluminum element doped zinc oxide (Al:ZnO) thin film was deposited on the Corning glass substrate by RF magnetron sputtering technology and annealing treatment. After sputtering, all thin films are then annealed on nitrogen atmosphere and temperature of 300, 500 and 550 °C, respectively. The structural, electric and optical characteristics were then investigated. All films illustrate strong (002) for ZnO and (335) for Al preferential orientation by using XRD analysis. The lower resistivity can be observed at nitrogen annealing and temperature of 400 °C. The transmittance property of AZO thin film exhibited an excellent transparency in the visible light range. The transmittance reached to nearly 81.4 % for all Al:ZnO film. It can be clearly observed that the grain size of AZO thin film is very uniform by utilizing SEM technology.     

脉冲直流磁控溅射技术在光盘生产中的应用研究

脉冲直流磁控溅射技术兼有射频溅射和磁控溅射的优点,尤其在制备低溅射率的材料薄膜上,更体现良好的性价比,是一种低成本的工艺方案,目前在DVD DL和BD上都有了可靠的生产工艺方案。本文将对脉冲直流磁控溅射技术在光盘生产工艺上的应用进行介绍。     

Improving the ethanol sensing of ZnO nano-particle thin films—The correlation between the grain size and the sensing mechanism

ZnO and Sn doped ZnO (ZnO:Sn) thin films at various doping concentrations from 1 to 10 at.% were prepared by the sol-gel method for an ethanol sensing application. The Sn doping significantly influenced the film growth, grain size and response of the films. The XRD patterns showed that the hexagonal wurtzite structure of the ZnO film was retained even after the Sn doping. The crystallite grain sizes of the ZnO:Sn thin films at 0, 2 and 4 at.% were estimated by using the typical Scherrer's equation. The crystalline quality of the films at 6, 8 and 10 at.% of Sn was degenerated. Typical FESEM images demonstrated the different morphologies for the ZnO:Sn thin films at various Sn concentrations; many pores of various dimensions were observed depending on the doping level. A TEM analysis of the ZnO:Sn thin films at 0, 2 and 4 at.% was performed to verify the grain size. The optimum Sn doping level of ZnO:Sn thin film for ethanol sensing was estimated to be 4 at.%. The 4 at.% sample obtained the highest response to ethanol vapor in the 10-400 ppm level range at a low operating temperature of 250 °C. The sensing mechanism was explained by a variation in the sensitivity model from a neck-grain-boundary controlled sensitivity to a neck-controlled sensitivity. Our work demonstrates the ability to reduce the working temperature as well as to increase the response of ZnO thin film based gas sensors to detect ethanol, which would be of great merit for commercialized applications.     

基于电子印刷工艺的薄膜热电偶研制

薄膜热电偶由于具有体积小、热容量小及响应速度快等优点成为近年来学者们研究的重点。薄膜制备常用的方法有射频溅射法、离子镀膜法以及直流脉冲磁控溅射法等,但这些方法操作设备复杂,制作时间长,效率低,成功率低且复现性差。用电子印刷工艺制备薄膜热电偶,将Au,Pt的溶液化微纳米材料印制在基板上,印刷成为Au-Pt薄膜热电偶,该方法操作方便快捷,对电极材料污染小。通过试验证明:采用电子印刷工艺制备的Au-Pt薄膜热电偶符合Au-Pt热电偶检定规程的要求,热电偶精度高,重复性和一致性好。     

掺钯二氧化锡气敏薄膜的实验研究

XPS分析表明,用直流溅射法制备的掺钯薄膜气敏元件,钯的溅射率比锡高,在薄膜中钯的含量高于靶中的含量、和纯SnO_2薄膜相比,此元件对还原性气体有很高的灵敏度,尤其对H_2和CH_4.对于该元件的气敏机理也作了初步探讨.     

薄膜铂电阻元件稳定性测试与分析

高端军事应用环境对测温传感器提出了小结构、高精度、良好的长期稳定性等要求,采用溅射方式制备的薄膜铂电阻元件成为了首选。通过分析薄膜铂电阻元件的结构、工艺,探讨影响稳定性的主要因素,包括薄膜缺陷、杂质、电迁移、结构封装应用与温度应力等。选择薄膜铂电阻在水三相点下的电阻值作为稳定性的比较基准,设计了一款不大于3mK的高精度测试系统。通过对薄膜铂电阻元件进行高温电寿命试验和温度冲击试验,评估得出薄膜铂电阻元件长期稳定性达到10mK,满足设计需求。     

MEMS结构氧传感器的研究

采用微加工技术研制了一种以硅为基底材料,具有MEMS结构的氧传感器.阐述了该传感器的工作原理、结构设计、工艺流程以及特性分析.给出了溅射制备TiO2薄膜的方法及锐钛矿型晶体结构能谱,讨论了二氧化钛的氧敏机理.研究表明与传统的气体传感器相比,此种传感器具有体积小、低功耗、可集成的特点.     

NiCr薄膜微加热器在低温环境下的电学特性研究

设计了一种适用于深低温环境的微型加热器。使用AC磁控溅射技术将NiCr(80/20 at.%)合金沉积到SiO2/Si基底上,并采用微加工工艺实现薄膜图形化,作为加热器的加热元件。研究了NiCr薄膜的电学性能和晶体结构与退火条件之间的关系。实验表明:在450℃氮气环境下退火30min,可以获得深低温性能优良的NiCr加热器。该加热器在20K时的电阻温度系数(TCR)为80.80×10-6/K。X射线衍射(XRD)分析显示NiCr薄膜在450℃氮气环境下退火后,薄膜的结晶度增大,因此,退火条件对薄膜的电阻率和电阻温度系数有较大的影响。     

Cr薄膜的沉积与湿法刻蚀工艺研究

通过台阶仪和扫描电镜、原子力显微镜测试观察了PVD方法制作Cr薄膜的溅射速率和表面形貌,实验分析了相关工艺参数对溅射速率的影响情况,并对薄膜的湿法刻蚀工艺进行了初步研究.同时给出了Cr膜与其腐蚀后的电阻图形的显微镜照片.