超微细TiO2湿敏材料研究

介绍了以化学沉淀法制备超微细TiO2粉体方法,通过对材料半导化改性,使TiO2由绝缘体变成半导体,并具有感湿特性,通过表面修饰技术,改善了湿敏元件的阻-湿特性及长期稳定性.     

碱金属氧化物掺杂 对TiO2-V2O5系湿敏陶瓷的影响 ’

本文研究了碱金属氧化物掺杂对TiO2-V2O5系湿敏陶瓷的影响．结果表明：掺入碱金属氧化物和烧结温度等将影响材料的微结构及湿敏性能，其中含K2O材料有较高的湿敏性能．元件经聚合正硅酸酯溶液浸泡在50℃，85％RH下老化50h，提高了元件的湿度灵敏度和稳定性。     

TiO2系湿敏元件研究和进展

TiO2化学性质稳定,感湿性能优良,来源广泛,价格低廉,因而TiO2系湿敏元件得到了广泛的研究和应用,是一类十分有前途的湿敏材料.本文综述了TiO2系湿敏元件的研究和进展,详细介绍了几种TiO2系湿敏元件的材料配方,制备工艺,元件型式及湿敏性能.     

聚乙烯吡咯烷酮改进TiO2薄膜的可见光增强氧敏特性

室温下工作的半导体气敏材料是一个有吸引力的研究方向。本文以钛酸四丁酯和乙醇胺为主要原料,用溶胶-凝胶法在氧化铝陶瓷片上制备了一种TiO2气敏膜。在可见光照射下,这种气敏膜在室温附近就有明显的可见光增强氧敏性;通过不同溶胶体系的对比,溶胶中添加聚乙烯吡咯烷酮(PVP),烧结后的TiO2膜光增强氧敏性最好,但在添加PVP的同时再添加柠檬酸,则光增强氧敏性下降;扫描电镜下观察,添加PVP的溶胶烧结后获得一种多孔结构的TiO2膜;而不加PVP,或添加PVP的同时再添加柠檬酸的溶胶烧结后获得的是一种连续,致密和有微裂纹的的TiO2膜。对上述PVP促进多孔结构形成的机理进行了分析,最后对半导体可见光增强气敏性的原理和气敏材料改进的方法进行了简要的讨论。     

超微细TiO_2湿敏材料研究

介绍了以化学沉淀法制备超微细TiO2 粉体方法 ,通过对材料半导化改性 ,使TiO2 由绝缘体变成半导体 ,并具有感湿特性 ,通过表面修饰技术 ,改善了湿敏元件的阻 -湿特性及长期稳定性。     

ZrO2:TiO2复合纳米纤维湿度传感器的直、交流特性研究

利用ZrO2:TiO2复合纳米纤维制作了特性良好的电容型湿度传感器.该湿敏元件在100 Hz测量频率下灵敏度较高,线性度较好.其电容值在11％ ～98％相对湿度范围内从20 pF变化到1.5×105 pF.文中从直流特性(伏安特性、极性反转瞬时性)和交流特性(复阻抗)的角度分析了该湿敏元件的感湿机理.利用瞬时直流极性反...     

SnO2-LiZnVO4系湿敏陶瓷烧结工艺与电性能关系的复阻抗分析

采用共沉淀法制备出SnO2-LiZnVO4系湿敏试样,分别在不同烧结温度和保温时间下于空气中烧成,测量试样的湿敏特性,并通过复阻抗分析方法,研究了SnO2系湿敏元件烧结工艺与电性能的关系,探讨烧结工艺对敏感材料微结构的影响.结果表明: 适当调整烧结工艺参数可明显改善材料的微结构和湿敏性能,850℃×1h试样具有高湿电阻小灵敏度适中的湿敏特性;复阻抗分析表明,试样的电容在低频范围随烧结温度的升高和保温时间的延长先减小后增大,但高频范围几乎不随烧结温度的变化,且随时间的延长,试样的复阻抗谱的半圆弧弧长逐渐增大.     

Ti2O5-V2O5-Li2O系湿敏陶瓷材料的改性研究

研究了接杂对一刃一系湿敏材料结构及性能的影响结果表明接 杂改善了材杆徽结构, 提高了材料的硬度、烧结温度、湿度灵敏度及稳定性改性材 杆以为主相, 粗界生成‘ 感湿玻瑞, 其中低。掺杂的材料孔隙率及灵 敏度较高, 高接杂的材料固有阻值低接杂材抖的烧结温度为一℃     

多孔Al_2O_3薄膜感湿材料的湿敏特性研究

通过对阳极氧化多孔Al2 O3 薄膜感湿材料的制备工艺及其电容湿敏特性进行研究 ,将阳极氧化参数对多孔Al2 O3 薄膜的结构和形态的影响与多孔Al2 O3 薄膜作为湿度传感器感湿材料的湿敏特性联系起来进行分析 ,为优化制备工艺参数提供更充分的实验数据 ,使新型多孔Al2 O3 薄膜湿度传感器具有更好的感湿特性。     

TiO_2系薄膜型氧敏材料的研究与发展综述

介绍了TiO2薄膜型氧敏材料的特性、氧敏机理及发展优势。就TiO2薄膜型氧敏材料的制备新方法和几种新型TiO2系薄膜以及相应的氧敏性能等重要方面进行了探讨,并对今后的研究与发展方向提出几点建议。     

SnO_2-LiZnVO_4系纳米湿敏陶瓷湿敏特性研究

采用共沉淀法制备出SnO2-L iZnVO4系纳米湿敏粉体,考察了液相掺杂L iZnVO4对材料湿敏特性的影响,并从氧化物表面的吸附理论出发,给出了反映湿敏特性的微观参数n值,湿敏线性越好的材料其微观参数n值与0.5越靠近。实验结果表明:适当的L iZnVO4液相掺杂可使材料具有低湿电阻小、灵敏度适中的特性。理论计算得到的阻湿特性参数与实验结果符合得很好。     

Fe_2O_3-MgO(K_2O)陶瓷湿敏特性的研究

报导了不同含量的MgO、K_2O掺杂对Fe_2O_3为基的陶瓷材料湿敏特性影响的研究结果.确定了使材料湿敏特性得到很大改善的掺杂含量.并通过XRD、SEM的分析,对其感湿机理进行了讨论。还报导了环境温度变化对材料湿敏特性的影响情况.     

ZnO-SnO2-Cr2O3系半导体陶瓷高温湿敏特性研究

研究了ＺｎＯ－ＳｎＯ２－Ｃｒ２Ｏ３系半导体陶瓷在高温下的湿敏特性，根据实验结果，对其敏感机理进行了探讨。     

硝酸处理对MgCr_2O_4-Bi_2O_3陶瓷湿敏元件性能的影响

报道了硝酸老化处理方法对MgCr_2O_4—Bi_2O_3陶瓷湿敏元件的结构和性能的影响。实验结果表明,硝酸老化处理不仅是一种可行的造孔方法,而且对元件的力学和电学性能有重要影响。用浓度适宜的硝酸处理后,会得到性能较好的元件。     

K2O-SnO2-LiZnVO4系湿敏陶瓷特性的研究

采用共沉淀法制备出K2O-SnO2-LiZnVO4系湿敏陶瓷材料,考察了液相掺杂K 对材料湿敏特性的影响,研究了材料的灵敏度、电容特性、阻抗特性等湿敏性能.实验结果表明: K 液相掺杂为10 mol%时可使材料具有低湿电阻小,灵敏度适中的特性.测试频率对试样的阻抗-相对湿度特性曲线影响较大,100 Hz时曲线的线性度最好.试样的电容在低频范围随相对湿度的升高而增大,但高频范围几乎不随相对湿度变化.     

降低高分子电容式湿敏元件湿滞的实验研究

针对高分子电容式湿敏元件的湿滞无法通过后续电路完全实现补偿的问题,提出了从高分子电容式湿敏元件本身降低湿滞的方法。主要从制作工艺、湿敏材料的选择两方面进行了实验验证,并对制作完成的高分子电容式湿敏元件进行性能测试与数据分析。实验结果表明：通过控制制作工艺和对湿敏材料进行改性可以降低湿滞,湿滞优于1.5%RH。采用该方法制作的湿敏元件无需再次通过后续电路进行湿滞补偿。     

K_2O-SnO_2-LiZnVO_4系湿敏陶瓷电性能的复阻抗分析

采用共沉淀法制备出K2O-SnO2-L iZnVO4系湿敏陶瓷材料,考察了液相掺杂K+对材料湿敏特性的影响,通过复阻抗分析方法,研究了材料的电性能,并进一步分析了试样在不同湿度中的导电机理和等效电路。结果表明:K+液相掺杂的摩尔分数为10%时可使材料具有低湿电阻小,灵敏度适中的特性。复阻抗分析表明:试样的电容在低频范围随相对湿度的升高而增大,但高频范围几乎不随相对湿度变化,且试样在低湿时主要以电子导电为主,高湿时以离子导电为主。     

两种陶瓷湿敏元件阻湿特性的分析

通过对ZrSiNb和ZrSiNaPNb元件的X射线衍射与扫描结果的分析 ,解释两种元件的阻 -湿特性 ,并对其老化原因进行了探讨     

高空湿度探测用加热式湿度传感器的研制

为实现高空高湿环境下对湿度的准确测量,本文设计和研究了集成加热功能的湿度传感器,在探空仪进行高空湿度探过程中利用两只加热式湿度传感器进行轮流加热除湿和湿度测量。通过对聚酰亚胺湿敏材料进行改性和合成,设计和制作了加热式的电容型湿度传感器,其灵敏度为0.2195 pF/%RH、响应时间小于1 s、湿滞为4.8%RH、半年漂移量在±0.3%RH以内。通过分析不同温度下的加热恢复时间,制定了加热式湿度传感器轮流工作的机制,轮流加热时间和周期分别为2s和120 s。并利用数据采集电路以及GPS探空仪对加热式湿度传感器进行了地面静态性能和高空动态性能测试,其高空湿度探测结果与VA SALA RS92的显示出较好的一致性和较低的湿度误差。本文研制的加热式湿度传感器能具有良好的地面性能,实现了交替加热除湿和湿度测量的功能,具有高空湿度探测的应用潜力。     

多孔Al2O3电容式湿度传感器 长期漂移的机理研究

本文通过对多孔Al_2O_3薄膜的显微结构形貌和晶相组成的跟踪检测,观察了多孔Al_2O_3薄膜几何结构和晶相的经时变化.对其原因进行了探讨,从而对多孔Al_2O_3电容式湿度传感器响应的长期漂移机理进行了详细讨论,并指出了克服或改善这类湿度传感器漂移的方向.