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1.引言
产生高稳定频率控制信号的器件通常要求在谐振模式上具有高Q值.常用的器件有晶体器件,表面声波器件和微波谐振器件等,但是这些器件常常不能满足应用所要求的性能,有的不能在高频工作,或者Q值达不到所需的要求.高次谐波体声波谐振器(HBAR)是由高Q值的非压电基片、压电薄膜和两个电极构成,压电薄膜作为换能器在基片中激发声波,一定激发频率下会在基片里形成驻波,从而导致整个HBAR器件产生谐振.HBAR在谐振模式有高Q值,并且可以在高频下工作,Q-频率的乘积能超过1014,所以HBAR在频率控制和频率选择方面具有十分优越的性能[1]. 相似文献
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一种基于表面微机械和压电薄膜技术的体声波器件新结构,是在多晶硅膜片上演积氧化锌(ZnO)压电薄膜。ZnO膜是在c轴采用S枪磁控反应溅射定向生长,而多晶硅膜片采用表面微机械技术制备。采用平面工艺,对氧化牺牲层化学蚀刻和照像腐蚀,制得表面微结构,其性能与在硅膜片上各向异性的传统制作工艺比较,在制作简易性、生产量和可靠性方面都有重大进展。已制成的微谐振器尺寸为15μm×150μm和250μm×250μm,其谐振频率为559.05MHz。 相似文献
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2.4GHz射频薄膜体声波谐振器的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了基于ZnO压电薄膜多层结构的2.4GHz射频薄膜体声波谐振器,并进行了研究.采用修正后的Mason等效电路模型对器件的谐振特性进行了分析和模拟.给出了采用MEMS工艺制备器件的工艺流程,并利用射频网络分析仪对实验器件进行了测试.利用多点数值拟合的方法消除射频测试中引入的寄生分布参数,提取出器件的实际参数:器件的串联谐振频率fs和并联谐振频率fp分别为2.3714GHz和2.3772GHz,相应的有效机电耦合系数为0.598%;串联谐振频率处和并联谐振频率处的Q值分别为500.3和425.5,f·Q值乘积达到1.2×1012.该谐振器器件的有效直径为200μm,样品实际尺寸为1.2mm×1.2mm×0.3mm,可用来制备体积小、高性能和低相噪的射频振荡器. 相似文献
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氧分压对磁控溅射ZnO薄膜生长行为和光学特性的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
采用反应射频磁控溅射方法, 在Si(001)基片上制备了具有高$c$轴择优取向的ZnO薄膜. 利用原子力显微镜、X射线衍射、透射光谱和室温光致荧光光谱等分析技术, 研究了氧分压对薄膜的表面形貌和光学特性的影响. 研究结果显示: 0.04~0.23Pa的氧分压范围内, ZnO薄膜存在三个不同的生长模式, 薄膜生长模式转变的临界氧分压分别位于0.04~0.08Pa和0.16~0.19Pa之间; 在0.16Pa以下时, ZnO薄膜的表面岛呈+c取向的竹笋状生长; 当氧分压>0.19Pa时, 薄膜的表面岛以-c取向生长为主; ZnO薄膜的折射率、光学带隙宽度以及PL光谱强度均随着氧分压的增大而增大, 氧分压为0.19Pa时, 薄膜的发光峰最窄, 其半峰宽为88meV. 相似文献
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制备了不同摩尔浓度Li 掺杂ZnO-Li0.022陶瓷靶、并用RF射频磁控溅射工艺在Si(100)基片上制备ZnO薄膜,研究了溅射温度、氧分压和溅射功率等对ZnO薄膜微结构、表面形貌和择优取向的影响.结果表明:Li 的最佳掺杂量(摩尔分数)为2.2%,RF溅射的最佳基片温度Ts小于300 ℃,氩氧气氛体积比为Ar:O2=20:5,溅射功率50~60 W;制备出的ZnO薄膜高度c轴(002)择优取向、均匀、致密,其绝缘电阻率ρ为4.12×108 Ω·cm,满足研制声表面波器件(SAW)的要求. 相似文献
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通过磁控溅射氧化锌陶瓷靶材的方法在玻璃基片上制备ZnO薄膜,研究了溅射功率、溅射气压以及基片温度对ZnO薄膜相结构、禁带宽度及光学性能的影响.使用X射线衍射仪(XRD)分析了薄膜相结构,使用台阶仪测试薄膜厚度,采用薄膜测试仪测试薄膜的透过率,采用扫描电镜(SEM)观察薄膜表面形貌.结果表明:不同制备条件下均形成具有(0... 相似文献
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氧化锌(ZnO)属于六角晶系6mm 点群,具有纤锌矿结构,是一种兼有半导性、压电性、光导电性、热电性和荧光性等多功能的电子材料,已用于制作多种电子器件。尤其是 ZnO 压电薄膜业已广泛应用于体声波微波延迟线、声表面波器件、各种传感器、超声显微镜以及声光器件等。本文主要叙述 ZnO 压电薄膜的成膜方法、主要性能及其在几种扫描超声显微镜中应用的近期进展。 相似文献