NiZnCo铁氧体包覆铁填充碳纳米管的吸波性能

利用溶胶凝胶法制备了Ni0.5 Zn0.45 Co0.05 FezO4/铁填充碳纳米管复合粉末,实现了Ni0.5Zn0.45 Co0.05Fe2O4纳米颗粒对碳管的包覆.并用同轴法测量了纳米复合粉末与石蜡混合物的电磁参数,其中纳米复合粉末的添加量分别为30%和60%,根据电磁参数计算了材料的反射率.结果表明纳米复合粉末的主要吸波频段在2～6GHz,当纳米复合粉末添加量为60%(质量分数),厚度为2mm时,微波吸收峰值出现在大约4GHz处,达到5.8dB.与纯Ni0.5Zn0.45 Co0.05Fe2O4纳米粉末相比有了比较明显的提高.     

化学复合镀Ni-P-TiO_2光催化降解次甲基蓝

以钛酸丁酯为原料通过溶胶 凝胶法制备出粒径 30nm左右的纳米TiO2 ,利用化学复合镀在钢铁基底上形成Ni P 纳米TiO2 复合镀层 ,该复合镀层对次甲基蓝有较好的光催化降解作用 ,其催化性能与粉末状纳米TiO2 的催化性能大致相当。     

纳米陶瓷微米高温合金复合涂层组织与性能

采用溶胶-凝胶化学包覆法制备纳米陶瓷微米高温合金复合粉末,用HVOF喷涂技术制备了复合涂层,采用SEM观察和摩擦磨损实验分析了复合粉末和复合涂层的组织和性能.研究表明:复合粉末是以纳米陶瓷为外壳包覆微米级高温合金颗粒核心的核壳式结构;陶瓷壳在喷涂过程中形成液相与高温合金液相熔合,烧结成致密陶瓷相,部分陶瓷在冷却过程中析出结晶体;复合涂层与基体的结合强度为59.2 MPa,摩擦系数为0.766,磨损率比纯高温合金涂层降低了32%.     

Ni0.5Zn0.5Fe2O4粉末化学镀铜前后的电磁性能

本文用溶胶-凝胶自燃烧法制备了Ni0.5Zn0.5Fe2O4粉末颗粒,以甲醛为还原剂在Ni0.5Zn05Fe2O4颗粒表面进行了化学镀铜,制备了Cu/Ni0.5Zn0.5Fe2O4复合粉体.用扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)和X射线衍射仪(XRD)对镀铜前的Ni0.5Zn0.5Fe2O4颗粒以及镀铜后的复合纳米颗粒进行了表征.对镀铜前的Ni0.5Zn0.5Fe2O4粉体和不同镀铜量的Cu/Ni0.5Zn0.5Fe2O4复合粉体进行了电磁性能的研究,结果表明镀铜后镍锌铁氧体的吸波性能明显提高,增重量为65%的Cu/Ni0.5Zn0.5Fe2O4复合粉体在频率为11GHz处反射率可达-12dB左右.     

聚乙二醇/纳米氢氧化镍溶胶体系稳定性的研究

以Ni(AC)2为原料,采用改进的溶胶凝胶法制备了PEG6000/纳米Ni(OH)2复合溶胶体系.Zeta电位研究了该溶胶中Ac-对体系稳定性的影响,结合红外光谱确定了稳定溶胶的结构.结果表明,Ac-降低了溶胶的稳定性,而 PEG通过与Ni(OH)2的氢键结合或其他弱的相互作用而改变胶体表面的Zeta电位,并通过空间位阻效应增强胶体稳定性.粘度法确定了溶胶的稳定区域.采用稳定溶胶配方制备的纳米NiO粉体,粒径均匀度、粒子分散性均好于不稳定溶胶配方.PEG6000在纳米材料制备过程中起到了水解控制剂、稳定剂、分散剂的作用.     

溶胶-凝胶法制备纳米TiO2

用溶胶 -凝胶法制备纳米TiO2 粉晶。用X射线粉末衍射 (XRD)对不同温度热处理的系列粉末进行了研究 ,结果表明用溶胶 -凝胶法制备的TiO2 纳米晶其晶型转变温度与凝胶时间有关     

旋涂法制备纳米有机／无机复合腠成膜过程的研究

以醋酸镍为原料采用改进的溶胶—凝胶法制备了PEG6000／纳米Ni(OH)2复合溶胶，粘度法确定了溶胶的稳定区域，稳定溶胶有两种流型：牛顿体和假塑体．以稳定溶胶牛顿体配方采用旋涂法制备了纳米NiO薄膜．研究表明，在旋转涂膜过程中旋转角速度(ω)、旋涂液表观粘度(η)、纳米Ni(OH)2含量(M)是影响薄膜厚度(d)的主要因素，符合关系式：d=Kη^0.74M^2.1/ω^0.54．溶胶的流变型影响薄膜质量：以牛顿体制备的薄膜表面较平整，而以假塑体制备的薄膜表面起伏不平．Ni(OH)2和PEG6000的相对含量主要影响薄膜表面孔隙度，Ni(OH)2含量低而PEG6000含量高，则薄膜表面纳米NiO粒子排列较为稀疏，反之则排列较为紧密．多次涂膜可得均匀致密的薄膜。     

络合剂对溶胶凝胶制备纳米铜及其催化性能影响

为研究络合剂对纳米铜粉体的制备及其催化性能的影响,分别以柠檬酸、葡萄糖为络合剂,采用溶胶-凝胶法制备纳米铜.考察了两种络合剂对制备过程以及产物结构的影响,通过催化苯氧化合成苯酚的反应考察制得的纳米铜粉的催化性能.研究表明:葡萄糖为络合剂制得的纳米铜(G-Cu)平均粒径较小(30 nm),比表面积为5.203 m2/g,在催化苯制苯酚反应时,具有较高的苯转化率(50.30%),但对苯酚的选择性较差;而柠檬酸为络合剂制得的纳米铜(C-Cu)平均粒径为55 nm,比表面积19.517 m2/g,催化苯转化率为21.95%,选择性为38.46%.此外,通过对溶胶凝胶法制备机理分析可知,在形成的胶体结构中,柠檬酸和葡萄糖中的羧基和羟基分别与铜离子进行配位.     

直接还原碳化法制备TiC-WC-Ni超细粉末

TiC-WC是一种重要的复式碳化物,原料粉末颗粒的大小对材料的性能有重要影响.以TiCl4、AMT、Ni(NO3)2为主要原料,采用溶胶-凝胶工艺制得纳米氧化物复合粉末,再经直接还原碳化合成了TiC-WC-Ni超细粉末,研究了碳化温度对反应的影响.结果表明,用该方法可以在1580℃碳化2h制备出粒径为0.2～0.3μm的超细TiC-WC-Ni粉末,其制备温度比传统碳化温度低100℃以上.     

化学镀法制备纳米Ni-B包覆Al复合粉末

以硼氢化钾(KBH4)为还原剂,采用化学镀法制备了纳米Ni-B包覆Al复合粉末,研究了镀液组分及工艺对包覆效果的影响,获得了制备复合粉末的优化条件。采用SEM,XRD,ICP和BET对复合粉末的表面形貌、物相结构、元素组成和比表面积进行了表征分析。结果表明:纳米Ni-B在Al表面包覆连续、均匀,且纳米Ni-B呈非晶态,粒径80~100nm,化学组成约为Ni72B28,纳米Ni-B/Al复合粉末比表面积达到了26.21m2.g-1。     

锌粉还原法制备2,5-二甲氧基-4-苯胺的研究

采用乙醇和水的混合溶液为介质,用锌粉还原2,5-二甲氧基-4-氯硝基苯制备中间体2,5-二甲氧基-4-氯苯胺.最佳反应条件如下:2,5-二甲氧基-4-氯硝基苯与锌粉的摩尔比为1:4;2,5-二甲氧基-4-氯硝基苯与冰醋酸的摩尔比为1:0.1;混合溶剂中乙醇和水的体积比为3:2;以氯化铵为电解质,2,5-二甲氧基-4-氯硝基苯与氯化铵的摩尔比为1:0.06.在此反应条件下得到的还原产物收率可达91.45%、熔点为116～117℃、胺基值为97.33%.     

氧化增强注氧隔离工艺制备绝缘体上的硅锗

提出一种氧化增强注氧隔离工艺,在退火前氧化得到SiO2层,再进行高温退火得到绝缘体上的硅锗材料.经X射线摇摆曲线和拉曼测试发现所制备的绝缘体上的SiGe材料锗含量没有发生损失,且应变弛豫完全.透射电镜和二次离子质谱分析结果显示样品多层结构清晰,埋氧层质量完好、平整度高、无不连续、无硅岛.研究表明,氧化增加工艺的引入是绝缘体上的硅锗材料锗质量提高的关键.     

化学沉积RE-Ni-Mo-P-WC复合镀层组织结构及性能研究

研究了化学沉积RE-Ni-Mo-P-WC复合镀层的组织结构及性能.结果发现:加入稀土元素能使镀层表面的晶粒急剧细化,分散性大大加强.镀层结构由非晶态转化为晶态结构.镀层的耐蚀性略有下降.硬度随WC浓度增加而增加,钼酸钠浓度为0.05g/L并经过200 ℃热处理后,显微硬度增大.氧化膜的质量随温度的升高逐渐增加,但在600 ℃以下氧化温度对镀层增重不明显.     

磁控溅射Ni-Mn-Ga薄膜的磁致应变

采用直流磁控溅射的方法,在NaCl基底上沉积了Ni-Mn-Ga薄膜,对薄膜进行了形貌观察、微区成分及结构分析,并测量了薄膜的磁致应变.结果表明,薄膜表面可见大小不一的团簇颗粒,具有明显的岛状结构,表明Ni-Mn-Ga薄膜的形成为典型的核生长型机制.热处理前的薄膜具有部分非晶存在,热处理后薄膜晶化为多晶形态.无约束薄膜在磁场下呈现负的磁致应变,在1.3T磁场下,其最大应变值可达-0.008%,并且可以完全恢复.     

陶瓷废渣的再生利用技术及方向

阐述了当前陶瓷废渣所带来的环境危害以及利用现状，提出了以超细技术为基础，通过深加工，创新出陶瓷废渣利用的一条新的路子，同时提出了新的发展方向。     

管带式冷凝器的腐蚀实验研究

本文介绍了不同材料、不同材料组合和不同表面涂层的管带式冷凝器海水对比实验,得出了不同冷凝器的海水实验数据,通过分析和总结,在寿命方面对设计提出了建议.     

添加微量元素的Sn-Ag-Sb-Zn系无铅焊料性能研究

在Sn-Ag-Sb-Zn焊料合金中添加微量元素P、Bi、In和Ga,进行了力学性能和物理性能试验.结果表明:试验合金的密度比Sn-37Pb合金降低9.26%-10.55%;剪切强度比Sn-37Pb合金增加6%-51.3%;但熔点有所提高,结晶温度在6.32-7.88℃之间.微量元素的加入对合金的润湿性能有所改善;并能明显提高接头剪切强度.新开发的焊料合金的综合性能已经超过了Sn-37Pb焊料.     

高效液相色谱法测定航空煤油中2,6-二叔丁基对甲酚的含量

本文介绍了用高效液相色谱仪分析航煤中2,6-二叔丁基对甲酚含量的方法。用自制的标准航空煤油样品建立工作曲线,采用外标法定量。测量范围从5mg/L─200mg/L。     

不同栅结构的部分耗尽NMOSFET/SIMOX的总剂量辐照效应研究

研究了在改性注氧隔离(SIMOX)材料上制备的具有环栅和H型栅结构的部分耗尽NMOS晶体管在三种不同偏置状态的总剂量辐照效应.实验表明在10keV的X-射线总剂量辐照下,器件的背栅、正栅阈值电压负向漂移和漏电流都控制在较小的水平;在2Mrad(SiO2)的辐照下仍能正常工作.研究证实了无论哪种栅结构,对于背栅,PG均为最劣偏置,其次是OFF偏置,而ON偏置下器件受辐照的影响最小;而对于正栅,ON均为最劣偏置.通过拟合计算出了绝缘埋层(BOX,即埋氧)中的饱和净正电荷密度Not和空穴俘获分数α.     

充气垫作为小型家电缓冲包装的可行性研究

提出将充气垫取代传统的泡沫作为小型家电产品的缓冲包装,可以减少"白色污染",有利于再次利用;在充气垫的性能方面,通过一系列试验对充气垫、泡沫的性能作了对比测试,证明其可行性.