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介绍了利用反应溅射法制备Ti1-xAlxN薄膜的工艺过程,测量并分析了Ti1-xAlxN薄膜的光学性能及电阻率与薄膜成分的关系。结果表明Ti1-xAlnX薄膜的折射率和消光系数均随薄膜中Al含量x的增加而减小,电阻率则随x的增加而增大。并从薄膜的基本结构变化对实验结果作出解释。 相似文献
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系统地研究了溶胶-凝胶(Sol-Gel)方法制备(Pb1-xLax)Ti(1-x/4)O3(简称PLT)薄膜时催化剂(或pH值)、溶液浓度在室温下对形成溶胶和凝胶的影响规律,用X射线结构分析和SEM研究了热处理工艺对薄膜结构及晶粒尺寸的影响。实验表明,浓度、醋酸含量都存在一个最佳的范围,且随镧(La)含量的增加,该范围减小;实验还发现,随着La含量的增加,薄膜的晶化温度降低。在单晶(100)Si衬 相似文献
3.
本文以四氯化钛(TiCl4)和硅烷(SiH4)为源物质,采用等离子增强化学气相淀积(PECVD)工艺结合常规热退火制备了优良的TiSi2薄膜。研究了淀积和退火条件对薄膜性质的影响。用四探针检测了退火前后薄膜的薄层电阻,用俄歇电子能谱(AES)和X射线衍射分析了薄膜的化学组成和晶体结构。 相似文献
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系统地研究了溶胶-凝胶(Sol-Gel)方法制备(Pb_(1-X)La_x)Ti_(1-x/4)O_3(简称PLT)薄膜时催化剂(或pH值)、溶液浓度在室温下对形成溶胶和凝胶的影响规律,用X射线结构分析和SEM研究了热处理工艺对薄膜结构及晶粒尺寸的影响。实验表明,浓度、醋酸含量都存在一个最佳的范围,且随铜(La)含量的增加,该范围减小;实验还发现,随着La含量的增加,薄膜的晶化温度降低。在单晶(100)Si衬底上成功地制备出了具有钙钛矿型结构、厚度约为200nm、均匀、致密、无裂纹的PLT晶态薄膜。 相似文献
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用扫描电子显微镜(SEM)、能量散射X射线分析(EDX)及X射线双晶摇摆曲线(DCRC)方法对衬底及Hg1-xCdxTe液相外延(LPE)薄膜的生长表面进行了研究。发现采用生长前衬底表面覆盖、回熔LPE生长措施,可以防止衬底沾污对液相外延层形貌的影响,大大改善Hg1-xCdxTe外延层的晶体质量。 相似文献
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利用HL-1装置的等离子体辐照研究了石墨基体上的TiC涂层。对辐照前、后 的样品进行了俄歇电子能谱(AES)、扫描电镜(SEM)和X射线衍射谱(XDS)分析,得 出:TiC涂层内Ti、C分布比较均匀;在高功率托卡马克放电辐照下,化学腐蚀现象 较为严重,但没有改变TiC结构相(立方TiC);并有一定的择优取向。同时还发现 C的优先溅射作用及 Ti向石墨基体深层扩展现象。 相似文献
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多孔陶瓷薄膜表面形貌研究 总被引:4,自引:0,他引:4
用原子力显微镜(AFM)观察Al2O3、Al2O3-SiO2及Al2O3-SiO2-TiO2复合陶瓷薄膜的表面形貌,X射线衍射(XRD)分析表明,Al2O3薄膜的上为γ-Al2O3;Al2O3-SiO2薄由γ-Al2O3和非晶诚SiO2组成;而Al2O3-SiO2-TiO2薄膜的相成分为Al2O3、TiO2、Al4Ti2SiO12和非晶态SiO2,各相的含量随化学成分变化而变化,AFM观察结果表明 相似文献
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TiB2超硬薄膜的合成及性能 总被引:7,自引:0,他引:7
采用离子束溅射方法制备了TiB2硬质薄膜,AFM观察表明薄膜表面非常光谱,AES、XRD和XPS分析证明薄膜中主要是B、Ti比为1.8,六方结构的TiB2多晶体、且呈现强烈的(101)择优取向,由超显微压痕测量系统测得的加载、卸载曲线计算得到的薄膜的显微硬度比高达48GPa 相似文献
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PECVD法淀积氟碳掺杂的氧化硅薄膜表征 总被引:1,自引:0,他引:1
以正硅酸乙酯(TEOS)和八氟环丁烷(C4F8)为原料,采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备了氟碳掺杂的氧化硅薄膜(SiCOF).样品的X射线光电子能谱(XPS)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)分析表明薄膜中含有Si-F、Si-O、C-F、C-CFx、CF2等构型.刚淀积的薄膜的折射率约为1.40.对暴露在空气中以及在不同温度下退火后薄膜的折射率做了测量,并对其变化机理进行了讨论,同时表明了理想的淀积温度应是300℃. 相似文献
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C2H2/N2流量比对沉积Ti(C,N)薄膜影响的研究 总被引:4,自引:0,他引:4
以C2H2和N2为反应气体,Ar作载气,用多弧离子法在高速钢基片上沉积Ti(C,N)薄膜。所制轩的薄膜分别用SEM,XRD,XPS等技术进行分析与测试。结果表明,薄膜结构比较致密,膜厚在1.5-2.0μm。 相似文献
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模拟自对硅化物技术的两退火工艺,对超高真空(UHV)下制备的Ti/Si样品依次进行低温退火、腐蚀和高温退火。利用俄歇微探针(AES)和X射线衍射的(XRD)分析样品的组分及晶相、发现高温退火后,薄膜内同时生成了Ti的硅化物及氮化物,这对发展MOS器件工艺中自对硅、氮化物技术很有意义。另外,还利用扫描电(SEM)观察了薄膜形貌,用Van de Pauw法测量薄膜电阻。 相似文献
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目标因子分析法(TFA)是一种对多元系统进行统计分析的计算数学方法。结合这种方法对Ti/Al多层金属薄膜的俄歇电子谱(AES)深度剖析结果进行了仔细的分析,获得了Ti、Al、O、Si各元素的化合状态的深度分布情况,并与X射线光电子谱(XPS)分析结果相一致. 相似文献
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用离子束增强沉积法(IBED)在硅及铜基体上沉积了TiB2薄膜,研究了轰击离子束能量和束流对薄膜的微结构及力学性能的影响。用俄歇电子谱(AES)分析了膜的成分及其界面状况,用X射线衍(XRD)研究了膜的微结构,并测定了膜的硬度及进行膜的高温氧化试验。结果指出:(1)离子束轰击使薄膜晶化,从而影响到膜的硬度及抗高温氧化性能;(2)离子呸增强的二硼化钛薄膜是一种耐高温氧化的高硬膜。 相似文献
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本文研究了磁光盘介质薄膜-AlN和AlSiN薄膜的电子显微结构,通过透射电镜分析了AlN薄膜的多晶结构和c轴垂直取向;通过X射线衍射分析、透射电镜分析和X射线光电子能谱分析,确定了AlSiN薄膜并不是多晶AlN和SiN薄膜的简单组合,而是形成了稳定的非晶特征结构。且AlSiN薄膜由于其非晶结构而比AlN薄膜的磁光克尔效应增强效果更优越。 相似文献
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Al2O3—SiO2—TiO2复合陶瓷薄膜的制备与结构 总被引:1,自引:0,他引:1
本文利用Sol-Gel法制备了Al2O-SiO2-TiO2复合陶瓷薄膜,讨论了主要内容是体系成分(Al:Si:Ti摩尔比)对落膜制备过程及结构的影响。通过分步水解法可以得到稳定的Al2O3-SiO2-TiO2复合溶胶,进而制备复合陶瓷薄膜。组分间的静电作用是溶胶凝结的原因。三组分中,Si/Ti摩尔比是决定溶胶稳定性的主要因素。通过XRD对薄膜的相组成进行了分析,表明复合薄膜由Al4Ti2SiO12 相似文献
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化学热处理表面改性对TiAl基合金抗高温氧化性能的影响EI 总被引:1,自引:1,他引:0
研究了渗碳处理对Ti-48Al-2Cr-2Nb(at.%)合金高温循环氧化性的影响。试验发现,表面渗碳处理能够显著地改善TiAl基合金抗高温氧化能力。使用SEM、波谱分析、能谱分析和X射线衍射分析,研究了渗碳处理提高TiAl基合金抗高温氧化性能的机理。 相似文献
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超高真空电子束蒸发合成晶态AlN薄膜的研究 总被引:4,自引:0,他引:4
用超高真空蒸发Al膜,结合氮化合处理工艺在Si(100)衬底上制备了AlN晶态薄膜,用X射线衍射,傅立叶变换红外光谱和X射线光电子能谱等测试分析技术研究了薄膜的微结构特征。结果表明:经过1000℃分钟氮化处理后,能形成具有(002)择优取向的AlN薄膜。 相似文献