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介绍了一种超长含硅一维纳米材料的新的制备方法。使用的设备为一石英管式炉,制备温度在1100℃左右,氩气保护。当采用的前驱体分别为聚二甲基硅油、六甲基二硅烷或六甲基二硅胺烷时分别可得到长度为毫米级的SiC/SiO_2纳米电缆、SiC纳米线和SiCN纳米线。采用上述原料但采用不同催化剂、不同气氛及不同基板时可得到不同成分、不同形貌的含硅一维纳米材料,产物除了上述一维纳米材料外,还可制备非晶SiO_2纳米线、SiCN/SiON纳米电缆、SiC—SiO_2并行复合纳米线、以及非晶SiCN纳米线等。 相似文献
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为了研究纳米半导体材料的量子限域效应与形貌和结构的关系,本文以SnCl4.5H2O和不同的有机酸以及不同的胺类有机物为反应物,通过溶剂热法制备了不同形貌的氧化锡纳米材料。在其它实验条件相同的前提下,通过配制不同的反应物体系,通过在同一反应体系中经过不同的溶剂热反应时间,均成功获得了从零维到一维递变的不同长径比的氧化锡纳米材料,包括纳米点、纳米棒、纳米线等。本文还尝试了在同一反应体系中使用不同的表面活性剂的方法,虽然没有获得从零维到一维递变的产物,但产物仍然具有不同形貌。 相似文献
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高频热等离子体制备形状可控的一维结构纳米材料 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了采用高频热等离子体宏量制备ZnO、ZnS和A1N等一维结构纳米材料。研究了不同工艺条件对形貌的影响;采用锌粉为原料,成功制备了不同长径比的氧化锌纳米棒;同样,采用锌粉和硫粉混合物为原料,获得了均匀的棒状和四角状等不同形貌的一维结构纳米ZnS;采用铝粉与氨气在等离子体中的反应,获得了一维结构纳米A1N。通过控制不同的参数可以调控合成产物的大小、长径比和形貌等。在等离子体合成过程中,合成产物可以达到50g/min,而且,产物的大小和形貌均匀。XRD、SEM、HRTEM和拉曼光谱等表征了合成产物的结构和形貌。在高频常压热等离子体合成过程中,一维结构纳米材料的生长过程只有数秒,而合成的一维纳米材料的长度甚至可以达到几十微米。通过分析发现,在等离子体合成过程中,一维纳米材料的生长符合VS机制,而且,生长过程是双向进行的。 相似文献
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纳米碳管是性能优异的具有准一维特征的纳米材料,CVD法是制备纳米碳管的典型工艺之一。本文以乙炔气体为原料气体、循环失效后的贮氢电极舍金材料作为反应催化剂,研究了在相同反应条件下,CVD法制备纳米碳管过程中载气对纳米碳管形貌和产率的影响。通过对产物TEM观察和TG分析发现,虽然载气不直接参与合成反应但对产物产率和形貌有很大的影响,氢气作为载气可以获得形貌和热稳定性更好的纳米碳管。 相似文献
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硅纳米管作为一种新型一维纳米材料,因其独特的性质有望在纳米电子器件、锂离子电池、传感器、场效应晶体管、磁性纳米器件、储氢器、光电子器件、场发射显示器件和量子计算机等方面获得非常广泛的应用.虽然研究人员早已在实验室中制备出硅纳米管,但是目前关于硅纳米管的研究报道不多,特别是关于硅纳米管的各种制备方法和不同种类型硅纳米管表征的综述类报道非常少.本文综述了关于硅纳米管几种最新及典型的制备方法,同时分析了几种典型硅纳米管的表征.最后总结了关于硅纳米管各种制备方法的优缺点,并且提出了几种改善硅纳米管性能的方法及在未来的研究重点.通过对硅纳米管最新研究进展的介绍以及相关叙述,希望能对硅纳米管未来的研究和应用提供帮助. 相似文献