等离子体处理对突触晶体管长程塑性的影响

作为神经形态计算系统的基本组成单元,人工突触器件在高性能并行计算、人工智能和自适应学习方面具有巨大的应用潜力。其中,电解质栅突触晶体管(Electrolyte-gated synaptic transistors, EGSTs)以其沟道电导的可控性成为下一代神经形态器件被广泛研究的对象,并用来模拟神经突触功能。EGSTs因双电层的快速自放电效应,导致其存在长程塑性持续时间较短和沟道电导不易调控等问题。本研究采用水诱导的In₂O₃薄膜作为沟道材料,以壳聚糖作为栅电解质材料,制备了基于In₂O₃的EGSTs,并对器件沟道层进行了氧等离子体处理。研究发现,利用氧等离子体中的活性氧自由基在沟道层表面产生陷阱态,使更多氢离子在电解质/沟道界面处被俘获,器件性能表现为回滞窗口增大,对EGSTs器件的长程塑性实现调控。基于双电层的静电耦合效应和电化学掺杂效应,本研究利用EGSTs器件模拟了神经突触的兴奋性突触后电流(EPSC)、双脉冲易化(PPF)、短程塑性(STP)和长程塑性(LTP)等突触行为。同时,基于该器...     

基于氧化钨和氧化镍的电致变色器件研究进展

电致变色器件(Electrochromic Devices, ECDs)是一种颜色变化受电压调控的智能装置, 具有工作温度范围宽、光学对比度高、可逆双稳态性能好、驱动电压低和能耗低等优点, 在智能动态调光窗、全彩色电子显示屏、防眩光护目镜、自适应双隐身伪装以及可视化储能等领域展现出了巨大的应用潜力。阴极着色材料氧化钨(WO₃)和阳极着色材料氧化镍(NiO)是两种被广泛研究的无机电致变色材料, 由WO₃和NiO薄膜组成的互补型电致变色器件在大规模智能窗的应用中具有极高的商业价值。改善电致变色器件的综合性能如光学调制范围、响应速度、循环寿命和耐候性等问题一直备受关注。本文围绕互补型电致变色器件的结构组成, 综述了基于WO₃和NiO的电致变色全器件的近期研究进展。首先分别阐述了WO₃和NiO薄膜的电致变色机理和衰退机制, 讨论了改进制备工艺、元素掺杂改性、设计纳米结构和引入复合材料这四种薄膜性能优化策略的作用和最新研究进展, 其次, 按照器件的组成成分和结构设计介绍了互补型电致变色全器件的分类体系, 总结了各组分材料的选择和器件结构对器件综合性能的影响, 最后对电致变色器件的应用前景和发展趋势进行了展望。     

自适应光学技术进展——1991年SPIE国际光学应用科学和工程讨论会综述

SPIE(国际光学工程学会)的1991年国际光学应用科学和工程讨论会上,发表了大批有关自适应光学系统和元件的论文,反映了自适应光学近年来获得的新进展。本文综合报导该讨论会的内容,包括能动光学系统、激光发射和成象观测自适应光学系统、波前探测器、波前校正器和能动光学器件以及激光导引星等。本文还报导自适应光学的发展动向和近年来的新突破。     

基于CeO_(2-x)-TiO_(2)薄膜厚度的数模阻变转换机理EI北大核心

采用溶胶凝胶法和旋涂工艺在FTO衬底制备阻变层CeO_(2-x)-TiO_(2)薄膜,通过在CeO_(2-x)-TiO_(2)薄膜表面热蒸镀Al电极制备Al/CeO_(2-x)-TiO_(2)/FTO阻变器件,采用XRD和XPS表征CeO_(2-x)-TiO_(2)薄膜的晶相组成和晶体结构。结果表明:阻变层中主要由TiO_(2)和CeO_(2-x)组成。与Al/CeO_(2)/FTO器件相比,Al/CeO_(2-x)-TiO_(2)/FTO阻变器件的电学性能得到提升。I-V测试表明Al/CeO_(2-x)-TiO_(2)/FTO器件具有无初始化过程的双极性阻变特性。对不同CeO_(2-x)-TiO_(2)厚度下的阻变器件进行电学分析,研究表明Al/CeO_(2-x)-TiO_(2)/FTO器件在不同CeO_(2-x)-TiO_(2)膜厚下其低阻态呈欧姆导电机制。随着CeO_(2-x)-TiO_(2)厚度的增加,高阻态的阻变机制会发生本质变化,器件的阻变机制从氧空位导电细丝机制转变为缺陷对电荷的捕获/释放机制。研究发现Al/CeO_(2-x)-TiO_(2)界面处的AlO_(x)层是阻变机制转变的关键,AlO_(x)层的增厚使器件从“数字型”转变为“模拟型”。     

以萘为π-中心的双芪类衍生物的电致发光特性研究

以自制的"D-π-D"对称型有机绿色发光分子1,4-双(4'-N,N-二甲基氨基苯乙烯基)萘(简称 BMABN)为发光层,在结构为ITO/NPB/BMABN/BCP/Mg∶Ag的器件中,研究了空穴阻挡层厚度对器件发光性能的影响.结果表明,空穴阻挡层的增厚使得器件的起亮电压有所增加,但器件的亮度、电流效率和稳定性显著增加.该器件在5V开启,18V电压下亮度和效率分别为2000cd/m2和0.4lm/W.     

家用摄像讲座——第三讲 家用摄像机的结构·原理·功用(续一)

二、摄像器件 摄像器件又叫做成像器件、图像感应器。它是摄像机头的关键部件。位于镜头的成像位置(相当于照相机胶片的位置)。它的主要作用是把景物的光像转换成随时间变化的电信号。并把这个反映图像的电信号以隔行扫描的方式传送出去。摄像器件分两大类:即摄像管和固体器件。固体器件又叫半导体器件。摄像管以氧化铅管和硒砷碲管最为普遍。CCD(电荷耦合器件)是常用的半导体器件。按摄像器件成像尺寸又有5/4英寸、1英寸、2/3英寸、1/2英寸、1/3英寸等多种规格。家用机CCD的尺寸有1/2英     

聚3,4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸复合LB膜在OLED器件上的应用

采用Langmuir-Blodgett(LB)膜静电诱导沉积法制备聚3,4-乙烯二氧噻吩(PEDOT)高度有序导电聚合物复合薄膜,研究了薄膜的导电性能并进一步研究薄膜在改善器件性能方面的作用.并将其应用于有机电致发光二极管(OLED)器件的空穴缓冲层,将聚3,4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(PEDOT/PSS)复合LB沉积于纳米铟锡金属氧化物(ITO)电极上,制备了以复合LB膜为空穴缓冲层的OLED器件.发现复合LB膜改善了器件性能(启动电压降低,最大亮度增加),但进一步的研究表明LB膜器件在一定时间后出现性能劣化.I-V特性和X射线反射率(XRR)分析表明,薄膜的结构发生一定程度的改变是导致器件性能变差的可能原因.     

固体聚合物电解质中聚3-甲基噻吩复合膜的电致变色性质

在氧化铟锡玻璃上分别涂有LiBF_4的聚醚基氨酯(PEU_(T21)和PEU_(T37))膜层,电化学聚合得到聚3-甲基噻吩(PMT)-PEU_(T21)和PMT-PEU_(T37)两种复合膜。由ITO玻璃/PMT-PEU_(T21) (或PEU_(T37))复合膜/LiBF_4-PEU_(T21)聚合物电解质/ITO玻璃粘合成电致变色器件,并表征了器件的电致变色性质。结果表明:使用PMT-PEU_(T37)复合膜制成的器件与由PMT-PEU_(T21)复合膜制成的器件相比,经掺杂和不掺杂过程在800nm处有较大的透过率差、较快的响应时间和较长的循环次数。     

高效稳定性有机黄光电致发光器件

主要通过红绿磷光材料R-4B和GIr1掺杂的方法,制备了黄光OLED器件,器件结构为ITO/MoO3(X)/NPB(40nm)/TCTA(10nm)/CBP:GIr1 14%:R-4B2%(30nm)/BCP(10nm)/Alq3(40nm)/LiF(1nm)/Al(100nm),TCTA和BCP分别为电子和空穴阻挡材料,同时结合TCTA和BCP对载流子的高效阻挡作用,研究了MoO3对器件效率和稳定性的影响。发现当增加MoO3的厚度为90nm时,在较大的电压范围内,器件都具有较高的效率和色坐标稳定性。在电流密度为7.13mA/cm2时,器件达到最高电流效率29.2cd/A,亮度为2081cd/m2;电流密度为151.7mA/cm2时,获得最高亮度为24430cd/m2,电流效率为16.0cd/A;器件色坐标稳定性较好,当电压为5、10、15V时,色坐标分别为(0.5020,0.4812)、(0.4862,0.4962)、(0.4786,0.5027)。器件性能的改善主要归因于载流子注入与传输的平衡以及阻挡层对发光区域的有效限定。     

基于一种高效空穴传输材料的有机电致发光器件研究

开发了一种新型的空穴传输材料H40,以其制成的器件(ITO/H40/Alq3/LiFAl)最高发光强度达到10300cd/m2;未经封装的另一种器件(ITO/H40\Alq3\MgAg),发光强度由150cd/m2衰减到50cd/m2的时间达到1h.与传统的空穴传输材料TPD相比,H40制成的器件具有更好的热稳定性,器件的工作寿命也长得多.同时发现通过适量的掺杂能够调节器件的发光颜色.     

α-六噻吩OTFT器件痕量NO2气体传感器的制备及特性研究

以α-六噻吩(α-sexithiophene,α-6T)为有源层,二氧化硅(SiO2)为绝缘层,钛/金(Ti/Au)为电极,分别制备了沟道宽长比为40、160和640的有机薄膜晶体管(Organic thin-film transistors,OTFT)器件。讨论了OTFT器件的宽长比对二氧化氮气敏性能的影响。结果表明,基于α-6T的OTFT器件对二氧化氮气体具有较高的实时响应;OTFT器件对二氧化氮气体的气敏性能与沟道宽长比有依赖关系,随着沟道宽长比的增大,器件的响应灵敏度提高、响应时间延长,宽长比为160的器件气敏性能最佳。     

金属薄膜磁阻传感器及其应用

本文主要介绍了金属薄膜磁阻传感器的基本工作原理、设计、制备及主要特性。利用82Ni—Fe 薄膜制备的 CZC 3—1型器件已得到40mV/mA的输出,其开关器件在—80℃～ 150℃的范围内工作。同时,还叙述了利用 CZC 3—1磁阻传感元件制备的无触点开关器件及其应用。     

CZTS薄膜太阳能电池无镉缓冲层材料的研究进展

Cu(In,Ga) Se_2(CIGS)薄膜太阳能电池是单结转换效率最高(～22. 6%)的光伏器件,但In、Ga是稀缺元素,从而限制了CIGS电池的产业化。新型材料Cu_2ZnSnS_4(CZTS)是结构与光电性能均与CIGS十分相似的直接带隙半导体材料,它在CIGS器件结构中可替代CIGS吸收层,并得到新型CZTS薄膜太阳能电池。与CIGS相反,CZTS的原料丰富、无毒。大量研究表明,CZTS薄膜太阳能电池具有较高的转换效率和良好的稳定性,且可采用低成本、非真空的溶液法薄膜沉积技术来制造,因此CZTS器件是一种低成本、环境友好、极具产业化前景的薄膜太阳能电池。CZTS器件具有与CIGS器件一样的堆层结构{SLG/Mo/CZTS/CdS/i-ZnO/n-ZnO},目前转换效率最高(～12. 6%)的CZTS器件仍沿用CIGS器件的CdS缓冲层,因而大规模生产与应用中存在高毒重金属镉污染的危险,寻找能替代CdS的无镉缓冲层材料来消除潜在的镉污染问题十分必要。此外,与高效率的{CIGS/CdS}器件相比,{CZTS/CdS}器件界面的能带匹配可能并不是最优,CZTS器件的转换效率还远不如CIGS器件,因此需要寻找新的无镉缓冲层材料。在确定新缓冲层材料时,必须考虑{CZTS/新缓冲层}界面的能级对齐效应。CIGS和CZTS器件的缓冲层新材料基本上可归纳为3种半导体材料:硫化物、硫氧化物、氧化物。这些材料的薄膜均可用化学浴(CBD)法等多种方法来制备。材料选取很大程度上取决于其与CZTS或CIGS吸收层接触所形成界面上的导带带阶情况,因为导带带阶对器件性能参数有很大的影响。大的正导带带阶(尖刺状带阶)对少子(电子)收集存在一个势垒而降低短路电流密度J_(sc);相反,负导带带阶(断崖状带阶)导致缓冲层与吸收层界面上的复合增大而降低了开路电压V_(oc);理想情况是器件有一个小(0～0. 4 eV)的正导带带阶(尖刺状带阶),正如在使用CdS缓冲层的CIGSSe器件中所发现的那样。为了研发低成本、环境友好的CZTS电池器件的新型缓冲层材料,本文综述了CZTS和CIGS器件的无镉缓冲层材料的研究进展,讨论了无镉缓冲层材料的选用条件,以及多种硫化物(如ZnS和In_2S_3)、硫氧化物(如Zn(S,O)和In(S,O,OH))、氧化物(如ZnO、TiO_2、Zn_(1-x)Mg_xO_y和Zn_(1-x)Sn_xO_y等)薄膜作为CZTS缓冲层的性能特点(特别是它们的导带带阶)以及存在的问题,探讨了其发展方向。对于含硒CZTSSe器件,In2S3、Zn(S,O)是良好的无镉缓冲层材料,而对于更环保、低成本的全硫CZTS器件,Zn_(1-x)Mg_xO_y和Zn_(1-x)Sn_xO_y可提供良好性能的缓冲层。     

含Tb(acac)2(AA)phen的变色电致发光器件

报道了以具有聚合活性的含铽络合物单体Tb（acac)2(AA)phen和芳香族二胺类衍生物TPD组成的变色电致发光器件。器件的结构为ITO／TPD／Tb(acac)2(AA)phen/Al。在直流正向偏压的驱动下,随着电压由低到高,器件发出的光由蓝紫→蓝绿→绿色变化。通过对器件光谱及电学特性的测量、分析,讨论了导致该器件变色电致发光的原因。     

电子材料

正英国元素六公司推出最新量子器件级金刚石材料英国元素六(ElementSix)公司推出通用化学气相沉积(CVD)量子级金刚石材料DNV—B14~(TM),有望成为制作磁场器件、射频传感器、固态陀螺仪和室温磁化器等量子器件的理想材料。DNV—B14~(TM)可提供均匀和高密度的氮空位(NV)自旋中心,与DNV~(TM)系列的第1种材料DNV—B1~(TM)相比,氮空位密度增加了10倍以上。元素六公司是金刚石和超硬材料制造领域的先驱,其工程级金刚石材料已实现多项量子研究突破,包括伦敦帝国学院开发的世界上第一个连续波的室温固态激光器、洛克希德·马丁公司新型磁力计等。(工业和信息化部电子科学技术情报研究所)     

光学设计用于全固态电致变色器件的高溅射效率三明治结构电解质

全固态电致变色器件以其光学对比度高、响应速度快以及良好的循环稳定性等特点而广泛应用于节能窗、屏幕显示、多功能储能设备等诸多领域。然而, 传统的基于单层电解质体系的全固态电致变色器件常受限于光学透过率和溅射效率的不足。本工作利用反应直流磁控溅射技术成功制备了基于LiAlO_x/Ta₂O₅/LiAlO_x(ATA)三明治结构电解质的全固态电致变色器件。通过引入ATA三明治结构电解质, 所制得的七层体系电致变色器件(ITO/NiO/LiAlO_x/Ta₂O₅/LiAlO_x/WO₃/ITO)兼具了优异的透光率和可观的溅射效率。该全固态电致变色器件取得了令人满意的着色效率(79.6 cm²/C), 更快的响应速度(着色时间1.9 s, 褪色时间1.6 s)以及数百次循环的良好稳定性。此外, ATA三明治结构电解质充分利用了Ta₂O₅优异的离子传输速率和稳定性, 并提供了足够的锂离子以满足快速变色切换的需求。因而, 通过连续直流溅射制备的基于ATA三明治结构电解质的全固态电致变色器件有望为高性能电致变色器件的量产和实际应用提供重要的指导。     

Ag2Se量子点共敏化固态染料敏化太阳能电池光电性能研究

采用水相共沉积法制备Ag₂Se量子点(QDs), 并与染料共敏化制备固态染料敏化太阳能电池(DSSCs)。考察了Ag₂Se量子点不同敏化方式(TiO₂/N719/QDs, TiO₂/QDs/N719)及敏化时间(0~5 h)对DSSCs性能的影响。通过透射电子显微镜(TEM)和紫外-可见光谱图(UV-Vis)对Ag₂Se量子点结构及光学性质进行了表征; 采用光调制光电流/电压谱(IMPS/VS)以及交流阻抗谱(EIS)对器件中载流子传输过程进行了研究。TiO₂/QDs/N719的电池器件比TiO₂/ N719/QDs具有更高的单色光量子转化效率(IPCE)及光电转化效率, 这是由于TiO₂/QDs/N719可以吸附更多的量子点和染料。随着Ag₂Se量子点敏化时间的延长, 光电转化效率先提高后降低, 最高达到3.97%。Ag₂Se量子点在器件中起到了阻挡层作用, 可以促进电子传输, 抑制电子-空穴复合。而随着量子点敏化时间超过2 h, 电子陷入陷阱的几率增加, 导致器件的光伏性能下降。     

仪表材料文献索引

0.仪表与仪表材料一般问题004072超大规模集成电路—(Kreilin‘J.), 《Bell Lab.Reeord》,1980,58,恤11, 360一370(英文) 美国贝尔研究所付所长K .D.B。,ers谈超大规模集成电路。004073集成光学—(Tien P.K.),《Bell Lab .Reeord》,1980,58,掩11,371一 3 80(英文)004074显示器件技术动向—《二扮夕卜口~ 夕久》,1080,恤8,819一843(英文)004075薄膜应变传感器—《Philips Teeh. Rev.》,1980,39,恤.3/4,95一101(英文)004076材料科学的发展简介—(刘汉鼎), 《武汉工学院学报》,1980,滩2,87~90(中 文) 本文简介了国外材料科学技术的研究…     

新型钙镁铝合金阴极对红光OLED性能的影响研究

采用不同比例的Ca/Mg/Al合金和纯Ca/Al合金阴极分别制备结构为ITO/Mo O_3(30nm)/NPB(40nm)/TCTA(10nm)/CBP:R-4B(30nm)/TPBI(10nm)/Alq3(30nm)/Ca:Mg(X%):Al(100nm)和ITO/Mo O3(30nm)/NPB(40nm)/TCTA(10nm)/CBP:R-4B(30nm)/TPBI(10nm)/Alq3(30nm)/Ca:Al(100nm)的红光有机电致发光二极管(OLED)器件及其对应的电子型器件,研究了阴极材料对器件的影响。结果发现,Ca/Mg/Al合金阴极可以提高阴极发射电子能力。当Mg掺杂质量比为20%时,器件具有最优性能,在电压为13 V时,发光亮度为10250 cd/m2,电流密度为57.099 m A/cm2,最大电流效率为18.8426 cd/A,效率较高且滚降比较平缓。原因为载流子注入比较平衡,形成了较多的激子。     

SiGe/Si异质结光电器件

SiGe/Si异质结光电器件及其光电集成(OEIC)是硅基光电研究的一个非常引人注目的领域.综述了SiGe/Si异质结材料的基本性质,SiGe/Si异质结光电器件的结构、性能、应用及其光电集成.重点介绍了SiGe/Si光电探测器及其与其他相关器件的集成.