集成电路用铜基引线框架材料的发展与展望

综述了集成电路对铜基引线框架材料的性能要求,指出好的导电导热和强度性能是引线框架材料最主要的性能要求;讨论了铜基引线框架材料的国内外研究现状,指出我国的引线框架材料无论是质量还是数量都与其他工业发达国家有很大的差距,并指出微合金化铜基材料具有成为高强高导引线框架材料的潜力.     

铜基引线框架材料研究进展

引线框架是集成电路中极为关键的部件之一,其主要功能是支撑芯片、散失工作热量和连接外部电路等。铜合金以其优良的性能成为重要的引线框架材料。本文综述了铜基引线框架的国内外研究现状,并重点介绍了在Cu-Ni-Si合金中加入微量合金元素P、Cr、Ag的微合金化研究成果。     

集成电路用引线框架材料的研究现状与趋势

作为集成电框架材料的一些研究进展,包括引线框架的功能、制备工艺、成分设计及其对材料的性能要求等,重点介绍了铜基引线框架材料的特性和研发动态,最后,提出了今后引线框架材料的研究方向.     

铜基引线框架材料的研究与发展

引线框架材料是半导体元器件和集成电路封装的主要材料之一，其主要功能为电路连接、散热、机械支撑等。随着IC向高密度、小型化、大功率、低成本方向发展，集成电路I/O数目增多、引脚间距减小，对引线框架材料提出了高强度、高导电、高导热等多方面性能上的要求。由于拥有良好的导电导热性能，铜合金已成为主要的引线框架材料。本文对电子封装铜合金引线框架材料的性能要求、国内外研究与发展等进行了综述。     

铍青铜和不含铍的铜基弥散强化弹性合金

一、前言在种类繁多的仪表弹性合金中铜基合金占有重要位置。铍青铜和其它铜基弹性合金传统地被用来制造诸如膜片,弹簧管,波纹管,各类弹簧、簧片等弹性敏感元件。随着信息时代的到来,电子计算机和大规模集成电路迅猛发展,铜基弹性合金作为金属电子材料广泛用于制造各种导电接点载体弹簧,接插元件,引线框架等重要元器件和零部件。本文叙述了铍青铜强化过程的新发展和不含铍的铜基弥散强化弹性合金的特性及其应用前景。     

FeNi42引线框架材料的研究进展

FeNi42合金常被用于制作高可靠性陶瓷封装集成电路的引线框架.随着集成电路向高集成度、多功能化和小型化方向发展,其引线数增多、引线间距减小,因此对引线框架材料的强度和冲裁加工性能提出了更高的要求.主要概述了在提高引线框架用FeNi42合金薄带强度和冲裁加工性能方面的研究进展,指出合金中非金属夹杂物的数量、尺寸和分布对带材性能有重要的影响,同时分析了国产该材料存在的主要问题.     

引线框架材料的研究发展现状

引线框架材料是半导体元器件和集成电路封装的主要材料之一,其主要功能为电路连接、散热、机械支撑等作用.随着IC向高密度、小型化、低成本方向的发展,对引线框架材料提出了高强度、高导电、高导热等多方面性能上的要求.由于拥有良好的导热性能,铜合金已成为主要的引线框架材料.对电子封装引线框架材料的性能要求、设计理论以及国内外研究发展现状等进行了综述.     

IC引线框架材料的发展动向

本文着重介绍集成电路引线框架材料目前的应用状况及发展趋势,叙述了IC的发展对框架材料的要求;并展望Fe-Ni42合金、铜合金及复合材料的应用前景。     

集成电路用金属铜基引线框架和电子封装材料研究进展

针对集成电路向高密度、小型化、多功能化发展，介绍了国内外传统的和以铜为基复合新型的引线框架和电子封装材料的性能、研究、生产现状以及存在的问题，同时展望了铜合金及其复合的引线框架和电子封装材料的发展趋势。     

我国铜系引线框架材料的发展

当今世界已步入信息时代,电子信息、高新技术得到迅速发展,特别是构成各种电子设备的组成元件,其制造质量和数量均有大的飞跃。随着电子设备向高性能化、小型化方向急剧发展,半导体元器件向微小化和集成化的进程加速发展,引线框架材料作为电子技术工业的几大基础材料之一,广泛应用于电子分离器件和集成电路(IC)的制造。因此对引线框架材料的需求也进一步加大。     

引线框架铜合金氧化特性的研究现状

铜合金由于具有优良的导电导热性能，已在现代集成电路塑料封装中占据了引线框架材料80%的份额。但铜合金容易氧化，其氧化膜被认为是塑料封装再流焊工艺中的分层和裂纹的主要原因之一，因此引线框架铜合金的氧化特性引起了人们的广泛注意。为获得铜合金引线框架良好的可靠性，不少材料工作者对铜合金在塑料封装中的氧化特性及其对铜合金与环氧树脂模压料（EMC）的粘接强度的影响进行了研究，为此，本文对引线框架合金的氧化物结构及动力学、铜合金与环氧树脂模塑料（EMC）粘接强度的影响因素等领域的研究进行了综述。     

高强高导铜合金的研究状况

高强高导电铜合金是一类具有优良综合性能的功能材料和结构材料,被广泛应用于电子、机械等领域,本文阐述了高强高导铜合金的研究现状,系统介绍了此类合金的强化机理、制备方法及组织和性能特点,并且分析了稀土的作用机制及对该类铜合金性能的影响,最后展望了该类合金的发展前景。     

Novel Ceramic‐Based Material for the Applications of Molded Interconnect Devices (3D‐MID) Based on Laser Direct Structuring

Molded interconnect devices (MID) based on laser direct structuring LPKF‐LDS^® technology are widely used in the realm of electronics. Nowaday, design and development of new materials with improved properties for 3D‐MID are in focus. In this work, novel materials based on alumina ceramic with copper oxide additives are developed for this technology. The effect of the sintering temperature and the doping amount of copper oxide on the metallization quality is investigated. Furthermore, the influence of laser process parameters (e.g., laser power, velocity’, and frequency) on process output namely groove dimensions, groove profile, characteristics of structured area, and quality of the final 3D‐MID products are discussed. The novel ceramic materials show high flexibility to realize very fine structures. Moreover, the laser‐structured and metallized area shows a free edge lap with good quality. After metallization high accuracy with copper line/pitch of 16 μm/20 μm is achieved.

     

高强高导铜合金的研究概述EI

高强高导铜合金是一类很有应用潜力的功能材料，近年来研究和开发应用高强高导铜基合金取得了显著成效。本文叙述了开发和研究高强高导铜合金的基本原理及制备方法，并对国内外高强高导铜合金的研究和开发应用现状进行了综述，同时，阐述了高强高导铜合金的发展方向及应用前景。     

In-line monitoring of advanced microelectronic processes using combined X-ray techniques

Accurate and reliable in-line monitoring of the different films thickness that occur throughout the integrated circuit manufacturing process is mandatory to develop and produce advanced microelectronic devices. X-ray reflectivity (XRR) is a fundamental and suitable metrology technique to precisely determine the thickness of both transparent and metallic thin films. Furthermore, XRR is very sensitive to surface and interface roughness, and also provides information about the film density. X-ray fluorescence (XRF) is currently used as a metrology technique to control the thickness and the elemental composition of relatively thick films. The performance of a new in-line metrology tool, which gathers XRR and XRF data to monitor film thickness, has been assessed. Results on the monitoring of high κ thin films, low κ materials, copper barrier and copper seed layers are presented.     

大规模集成电路用高纯铜及铜合金靶材研究与应用现状

随着大规模集成电路制程向高密集度的方向发展,器件的特征尺寸不断缩小,集成度越来越高。在90 nm后随着布线的宽度变窄,高纯铜及铜合金靶材的应用成为一个研究热点。本文通过多个专利及相关文献的检索,总结了高纯铜及铜合金靶材的分类,分析了高纯铜的纯度、合金元素的种类以及分布对高纯铜靶材溅射性能的影响,展望了今后大规模集成电路靶材的发展趋势。