炭黑填充聚偏氟乙烯PTC复合材料研究

研究了炭黑（ＣＢ）浓度、热历史和辐照对ＰＶＤＦ／ＣＢ复合物电阻行为的影响。结果表明，最大ＰＴＣ强度发生在临界浓度Φｃ处，Φｃ略大于渗流阈值Φｐ，渗流区以外基本无ＰＴＣ效应。热处理对电阻率－温度行为的影响由结晶状态（结晶度和结晶形态）造成的。结晶形态愈复杂，临界温度以下的正温度系数效应愈明显。结晶度越大，ＰＴＣ强度越大。并用ＤＳＣ测试结果解释了这一现象，４０Ｍｒａｄ以下剂量γ－６０Ｃｏ辐照能削弱ＮＴＣ效应，但不能完全消除。     

电子束辐照对高密度聚乙烯/炭黑导电复合材料电阻率的影响

研究了电子束辐照固态和熔融态高密度聚乙烯／炭黑（ＨＤＰＥ／ＣＢ）导电复合材料的电性能随辐照温度和辐照剂量的变化。结果表明,对固态或熔融态辐照材料而言,其电阻率均随温度的升而而增大。等剂量下,固态辐照材料的ＰＴＣ强度比熔嘈态辐照的要高,两各状态经高剂量辐后其材料ＮＴＣ效应消失,,ＤＳＣ测试证明电阻率的２与基体的结晶行为以及交联链的形成密切相关。     

热处理对PVDF／CB导电复合体系结晶行为及PTC特性的影响

研究了在不同的热处理条件下，聚偏氟乙烯与炭黔地电复合体系结晶行为的变化及对ＰＴＣ效应的影响。借助于ＤＳＣ和ＷＡＸＤ为体系的结晶为进行了深入的研究。结果表明，热处理可以改善基体结晶行为，使结晶度提高，从而使导电复合体系的室温电阻率下降，ＰＴＣ强度提高。     

聚氯乙烯结晶行为研究

采用差示扫描量热（ＤＳＣ）法研究了聚氯乙烯（ＰＶＣ）原粉树脂和重结晶试吉晶性能，结果表明，ＰＶＣ原粉树脂具有１１０～２２０℃的结晶融峰，结晶度随聚合物温度的下降而线性增加，退火温度，退火时间等热处理条件对ＰＶＣ的重结晶行为有很大影响，在相同热处理条件下，增塑剂ＤＯＰ的加入使树脂的结晶度下降，聚合度越高的树脂，其结晶度越大。     

结晶 - 非晶界面对辐射效应的影响——异相成核结晶PA1010的辐射交联

尝试引入成核剂改变结晶ＰＡ１０１０的聚集态结构，讨论结晶－非晶界面对辐射效应的影响。用ＥＳＲ、ＤＳＣ、ＷＡＸＤ和凝胶含量测定的方法表征辐照结晶度相近但微晶尺寸（晶粒大小）不同的ＰＡ１０１０。结果表明，辐照的直接作用结果由于结晶表面积的差异而不同；但经退火消除自由基后，辐照的最终结果是相同的，说明辐射后效应主要来源于结晶表面，即结晶表面是俘陷自由基产生后效应的主要贡献者。     

结晶—非晶界面对辐射效应的影响——异相成核结晶PA1010？…

尝试引入成核剂改变结晶ＰＡ１０１０的聚集态结构，讨论结晶－非晶界面对辐射效应的影响。用ＥＳＲ、ＤＳＣ、ＷＡＸＤ和凝胶含量测定的方法表征辐照结晶度相近但微晶尺寸（晶粒大小）不同的ＰＡ１０１０。结果表明，辐照的直接作用结果由于结晶表面积的差异而不同；但经退火消除自由基后，辐照的最终结果是相同的，说明辐射后效应主要来源于结晶表面，即结晶表面是俘陷自由基产生后效应的主要贡献者。     

γ辐照PF尼龙II^#的结晶,熔融与结晶形态

用ＤＳＣ和光学显微镜研究了γ辐照ＰＦ尼龙Ⅱ＾＃（石油发酵尼龙Ⅱ＾＃）的结晶、熔融行为与结晶形态。结果表明，辐照ＰＦ尼龙Ⅱ＾＃的结晶温度Ｔｃ与熔点Ｔｍ均与辐照剂量Ｒ成一定的线性关系。在Ｒ〈Ｒｇ时Ｒ对ＰＦ尼龙Ⅱ＾＃的结晶形态影响甚微；Ｒ≥Ｒｇ时，ＰＦ尼龙Ⅱ＾＃的结晶能力降低，结晶形态如球晶受Ｒ的影响较大。ＰＦ尼龙Ⅱ＾＃球晶的光学正负性不受Ｒ的影响。     

乙炔端基砜对聚醚醚酮转变温度的影响

用ＴＢＡ、ＤＳＣ、ＷＡＸＳ研究了乙炔端基砜（ＡＴＳ）对聚醚醚酮（ＰＥＥＫ）的玻璃化温度（Ｔｓ）、冷结晶温度（Ｔｃｃ）、降温结晶温度（Ｔｃ）、熔点（Ｔｍ）和结晶度（Ｘｃ）的影响。ＡＴＳ的加入使ＰＥＥＫ的Ｔｇ、Ｔｃｃ提高，Ｔｃ、Ｔｍ和Ｘｃ降低；退火结晶温度提高，ＰＥＥＫ的Ｔｍ提高，但共混物中ＰＥＥＫ的Ｔｍ和Ｘｃ降低。ＷＡＸＳ结果表明，多步退火结晶可形成两种结晶。     

圣几种不同熔融指数HDPE的PTC性能及其改性研究

研究了４种不同熔融指数的ＨＤＰＥ的正温度效应（ＰＴＣ）效应，发现它们经辐射交联后具有相似的ＰＴＣ行为，对此进行了解释，并进一步研究了交联以及填加少量ＥＰＤＭ对改善ＨＤＰＥ的ＰＴＣ性能的影响。     

γ辐照PF尼龙Ⅱ~＃的结晶、熔融与结晶形态

用ＤＳＣ和光学显微镜研究了γ辐照ＰＦ尼龙Ⅱ~＃（石油发酵尼龙Ⅱ~＃）的结晶、熔融行为与结晶形态。结果表明，辐照ＰＦ尼龙Ⅱ~＃的结晶温度Ｔ_ｃ与熔点Ｔ_ｍ均与辐照剂量Ｒ成一定的线性关系。在Ｒ＜Ｒ_ｇ时Ｒ对ＰＦ尼龙Ⅱ~＃的结晶形态影响甚微；Ｒ≥Ｒ_ｇ时，ＰＦ尼龙Ⅱ~＃的结晶能力降低，结晶形态如球晶受Ｒ的影响较大。ＰＦ尼龙Ⅱ~＃球晶的光学正负性不受Ｒ的影响。     

对几种不同熔融指数HDPE的PTC性能及其改性研究

研究了４种不同熔融指数的ＨＤＰＥ的正温度效应（ＰＴＣ）效应，发现它们经辐射交联后具有相似的ＰＴＣ行为，对此进行了解释，并进一步研究了交联以及填加少量ＥＰＤＭ对改善ＨＤＰＥ的ＰＴＣ性能的影响。     

紫外线辐照HDPE与尼龙—6共混材料结构与力学性能的研究

研究了紫外线辐照ＨＤＰＥ与ＰＡ６共混材料的微观形态、结晶结构、熔融行为及力学性能。ＳＥＭ、ＷＡＸＤ、ＤＳＣ结果表明，随紫外线辐照时间的增加，共混物中ＰＡ６的粒径减小，与基体作用加强，ＨＤＰＥ晶面间距增大，熔点、结晶度降低熔程变窄。力学测试结果表明，在紫外线辐照能明显提高共混材料（ｕＨＤＰＥ／ＰＡ６：９０／１０）的拉伸强度、断裂伸长断理解能和冲击强度。当辐照时间超过１４４ｈ，由于ＨＤＰＥ热稳定性明显     

离聚物Surlyn对PBT结构与性能的影响

用ＤＳＣ,ＤＭＡ,ＳＥＭ力学性能测试等方法研究了离聚物Ｓｕｒｌｙｎ对聚对苯二甲酸丁二酯（ＰＢＴ）的结晶行为,力学性能及形态结构的影响,结果表明,Ｓｕｒｌｙｎ可作为ＰＢＴ的结晶成核剂,加快ＰＢＴ的结晶速率,而ＰＢＴ的结晶度无明显下降;ＰＢＴ与Ｓｕｒｌｙｎ存在部分相容性,在ＰＢＴ中掺混少量Ｓｕｒｌｙｎ可提高其力学性能,少量Ｓｕｒｌｙｎ的引入对ＰＢＴ有一定的增韧及增强效应。     

氢化非晶硅激光诱导结晶膜微结构的椭偏谱分析

用ＸｅＣｌ准分子激光器对氢化非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）薄膜进行了诱导晶化处理。测定了结晶膜的椭偏谱。利用多层膜模型与Ｂｒｕｇｇｅｍａｎ有效介质近似（Ｂ－ＥＭＡ）分析了结晶膜的微结构特性。研究表明：低能量密度辐照形成的结晶层需用含有ａ－Ｓｉ：Ｈ的ＥＭＡ混合物表征，说明其结晶度相对较低；而高能量密度辐照形成的结晶层，因基结晶度较高，可用不含ａ－Ｓｉ：Ｈ的ＥＭＡ混合物表征。在结晶膜与衬底之是形成了互混层，其     

紫外线辐照HDPE与尼龙－6共混材料结构与力学性能的研究

研究了紫外线辐照ＨＤＰＥ与ＰＡ６共混材料的微观形态、结晶结构、熔融行为及力学性能。ＳＥＭ、ＷＡＸＤ、ＤＳＣ结果表明，随紫外线辐照时间的增加，共混物中ＰＡ６的粒径减小，与基体作用加强，ＨＤＰＥ晶面间距增大，熔点、结晶度降低，熔程变窄。力学性能测试结果表明，紫外线辐照能明显提高共混材料（ｕＨＤＰＥ／ＰＡ６：９０／１０）的拉伸强度、断裂伸长率、拉伸断裂能和冲击强度。当辐照时间超过１４４ｈ由于ＨＤＰＥ热稳定性明显降低，共混过程中ＨＤＰＥ热降解严重，共混物的韧性突降。     

HPB－b－PMMA增容PVC／PE共混物球晶和结晶行为研究

以小角激光散射（ＳＡＬＳ）和广角Ｘ光衍射（ＷＡＸＤ）技术，测定了氢化聚丁二烯－聚甲基丙烯酸甲基嵌段共聚物（ＨＰＢ－ｂ－ＰＭＭＡ）增容的聚氯乙烯（ＰＶＣ）和聚乙烯（ＰＥ）共混物的球晶形态和结晶度。从该共混物中ＰＥ的结晶状况得出，增容剂ＨＰＢ－ｂ－ＰＭＭＡｄ在降低ＰＥ结晶能力、增加ＰＥ／ＰＶＣ界面粘合并形成ＰＶＣ和ＰＥ相间的部分相容性有着重要的作用。     

导电SBS／SBR复合材料的研究

本文研究了碳黑填充充ＳＢＳ／ＳＢＲ复合材料的基本电性能，对复合材料电阻率随温度的变化特性进行了详细研究，讨论了碳黑种类，结构和性质，填充浓度以及ＳＢＳ含量对复合材料电阻率和电阻－温度特性的影响，实验结果指出，碳黑（Ｎ５５０）／ＳＢＳ／ＳＢＲ（ＳＢＳ：ＳＢＲ＝１：１ｗｔ）复合材料的电阻率随温度的变化呈一定温度的正温度系数（ＰＴＣ）效应。     

导电SBS/SBR复合材料的研究

本文研究了碳黑填充ＳＢＳ／ＳＢＲ复合材料的基本电性能，对复合材料电阻率随温度的变化特性进行了详细研究。讨论了碳黑种类、结构和性质、填充浓度以及ＳＢＳ含量对复合材料电阻率和电阻——温度特性的影响。实验结果指出，碳黑（Ｎ５５０）／ＳＢＳ／ＳＢＲ（ＳＢＳＳＢＲ＝１１ｗｔ）复合材料的电阻率随温度的变化呈一定强度的正温度系数（ＰＴＣ）效应。     

温度对高密度聚乙烯－炭黑材料电性能的影响

讨论了ＨＤＰＥ－ＣＢＰＴＣ导电材料的电性能与温度的关系，发现在一定温度范围内，Ｒ－Ｔ关系符合Ｒ＝Ｒ·ｅｘｐ（αＴ），α为材料电阻随温度变化的温度系数，α值受聚合物基材的影响，ＣＢ含量及热处理不改变α的值，但可改ＩｎＲ－Ｔ成线性关系的温度范围，随着温度升高，表征材料导电性质的Ｂ值并非全都升高。对热－冷循环过程中ＰＥ－ＣＢ材料的Ｒ－Ｔ关系的研究表明：升温曲线与冷却曲线存在不同程度的偏离，热处理及交联处理可减小这种偏离，交联可以有效地消除ＰＴＣ材料的ＮＴＣ现象。     

镍基合金上离子束辅助沉积双轴取向的YSZ膜—YBCO超导膜缓冲层

用双离子束辅助沉积（ＩｏｎＢｅａｍＡｓｉｓｔｅｄＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，ＩＢＡＤ）方法在Ｎｉ－Ｃｒ合金上合成了具有（００ｌ）择优取向，平面双轴排列的ＹＳＺ膜（Ｙ２Ｏ３－ＺｒＯ２）作为ＹＢＣＯ超导膜缓冲层。辅助轰击离子束方向与衬底法线的夹角５４０左右时可获得最佳的（００ｌ）择优效果。８０００Ｃ高温退火后其结构有较大的改善。在其上用ＭＯＣＶＤ方法生长的ＹＢＣＯ膜的Ｔｃ＝８８Ｋ，Ｊｃ＝１０×１０４Ａ／ｃｍ２（０Ｔ，７７Ｋ），并且从Φ扫描的结果说明了ＹＳＺ缓冲层上ＹＢＣＯ膜的生长机制。