(1-x)La2/3Ca 1/3 MnO 3/xSb2O 5复合体系的电子输运和磁电阻行为

用两步法制备了（1-x）La2／3Ca1／3MnO3／xSb2O5复合样品．零场下电阻温度关系测量表明，对x〈3％范围。随Sb2O5含量增加，复合样品电阻率增大，绝缘体一金属转变温度降低；而对x〉3％范围，随Sb2O5含量增加。复合样品电阻率减小，绝缘体一金属转变温度提高．磁电阻测量表明，少量Sb2O5同La,2／3C＆1／3MnO3复合，可明显增强磁电阻效应．     

La0.67Ca0.33MnO3/MgO复合体系中的电输运和磁电阻效应

用化学方法制备了（1-x）La0．67Ca0．33MnO3（LCMO）／xMgO颗粒复合体系．通过选择不同的前期预烧温度（Ts1）控制LCMO原粉的颗粒大小．研究表明，MgO的含量和LCMO的前期预烧温度对复合体系的电输运和磁电阻效应有显著的影响．对瓦1=1100℃的样品，仅在纯LCMO和x=1mol％的复合样品中可以观察到绝缘体金属转变．而对Ts1=900℃的样品，在x=7mol％的复合样品中还可以观察到绝缘体金属转变，其最大低场磁电阻（H=0．3T）从纯LCMO的5％增加到27％．SEM形貌分析表明MgO含量增加或LCMO前期预烧温度升高都使复合体系中LCMO颗粒之间的联结性减弱．运用自旋极化隧穿机理，对实验结果进行了讨论．     

Ti掺杂对La0.67Ba0.33MnO3磁性和磁电阻影响

系统地研究了Ti掺杂对La0.67Ba0．33MnO3颗粒材料磁性、电性和磁电阻效应的影响，随着Ti含量的增加，材料的磁化强度和居里温度快速下降，电阻率急剧增大，电阻率的峰值逐渐向低温移动。Ti的掺杂对材料低温下低场磁电阻影响不大，主要是显著提高了材料的本征磁电阻。1％的Ti掺杂使材料的室温磁电阻得到显著增强，1T磁场下，室温磁电阻达到-8．4％，比未掺杂的La0.67Ba0．33MnO3材料增强了50％。     

La0.60Sr0.40-xNaxMnO3钙钛矿材料在室温附近磁电阻的温度稳定性

采用溶胶-凝胶法(sol-gel)制备了名义组分为La0.60Sr0.40-xNaxMnO3(x=0.00,0.10,0.15,0.20,0.30,0.33,0.35)的类钙钛矿型稀土锰氧化物多晶样品。发现用Na+替代部分Sr+2后,可使样品的居里温度降至室温附近,并且使样品的室温磁电阻比替代前明显增大。在1.8T的磁场作用下,样品La0.60Sr0.07Na0.33MnO3在292K时磁电阻为24.4%,比不含Na的La0.60Sr0.40MnO3增大了2.8倍;样品La0.60Sr0.25Na0.15MnO3在285K～345K温区内磁电阻保持在3.9%(±0.2%)左右,受温度影响不大,因此显著提高了样品的室温磁电阻和其温度稳定性。迄今为止还未见这类材料在室温附近具有如此宽范围和高温度上限的MR温度稳定性报道。这对于该类磁电阻材料的应用有很大意义。     

La0.67Ba0.33MnO3中Cu掺杂对电特性和室温磁电阻的影响

在溶胶-凝胶法制备的La0.47Ba0.38MnO3(LBMO)微粉中掺入CuO粉,制成一系列(LBMO)／／(CuO),(x=0．01～0．1,为摩尔比)掺杂材料,实验结果发现．随着Cu掺杂量的增加,材料的磁化强度和居里温度变化不大,材料的电阻率先快速减小,而后缓慢增大,当x=0．01时在全温范围内电阻率都达到最小值,这与Cu离子的价态变化有关。实验还发现Cu离子的掺入可以使材料的室温磁电阻逐步提高．当掺入10%的Cu时,室温磁电阻比达到-8．4％。比未掺杂的LBMO提高了50％。低电阻率导电陶瓷材料和大的室温磁电阻效应都是应用研究所关注的课题。     

(La0.6Dy0.1)Sr0.3MnO3的磁热效应研究

对庞磁电阻材料(La0.6Dy0．1)Sr0.3MnO3的磁热效应进行了研究．通过不同温度下的等温磁化(M-H)曲线的测量和计算，发现伴随铁磁-顺磁(PM—FM)相变出现大的磁热效应，额外的磁性交换作用将导致额外的磁熵变化．结果表明，(La0.6Dy0．1)Sr0.3MnO3可以作为室温下使用的磁制冷工质候选材料．     

还原处理对La0.67Sr0.20Cu0.10□0.03MnO3材料磁电阻性能的影响

采用溶胶-凝胶（sol-gel）法制备了名义组分为La0．67Sr0．20Cu0．10□0.03MnO3（□代表阳离子空位）的多晶母体粉体材料,在不同温度（200℃,250℃,300℃）的氢气环境中对母体粉体材料还原15分钟后,在1100℃氩气环境中烧结12小时得到系列块体样品。研究了块体样品的相结构,导电性质、磁学性质以及磁电阻效应。实验结果表明,在适当温度的氢气环境中对粉体材料还原,可减少乃至消除粉体样品中的Mn3O4杂相,从而可以使块体样品电阻率降低,磁电阻峰值提高。在1．8T外磁场下,La0．67Sr0．20Cu0．10□0.03MnO3母体样品的磁电阻在319K出现峰值,其峰值为24．6％;在250℃还原15分钟样品,其磁电阻峰值达到31．5％。     

La0.67Sr0.33MnO3中Ag-Ti的掺杂效应

将La0.67Sr0.33MnO3（LSMO）、Ag2O及TiO2粉混合经高温烧结后制备了钙钛矿相/xAg两相复合体系（x是Ag与钙钛矿材料的物质的量比）,系统地研究了Ag-Ti的共掺杂对LSMO电性和磁电阻效应的影响.0.07摩尔比Ti4＋离子的B位掺杂使LSMO的居里温度降至室温.Ag的掺入对Tc影响不大,Tp逐渐升高.由于钙钛矿颗粒属性的改善和金属导电通道的出现,材料的电阻率明显下降.Ag掺杂使室温磁电阻得到显著增强,室温下从x=0.30样品中得到最大的磁电阻,约为32%,是La0.67Sr0.33MnO3样品的8倍,La0.67Sr0.33Mn0.93Ti0.07O3样品的1.6倍.     

Dy和Yb部分替代La0.67Ca0.33MnO3中的La的影响

用Dy和Yb部分替代La0.67Ca0.33MnO3中的La使材料的居里温度单调下降，掺Dy使材料的相变温度单调下降，峰值电阻率迅速增大，磁电阻比急剧增大，掺入13％（原子分数）的Dy可使材料的最大磁电阻比增大近40倍，而掺Yb对磁电阻的影响要小得多，用自旋团簇理论可以解释庞磁电阻的形成。     

La0.67Ba0.33MnO3中Ag的掺杂效应

在溶胶-凝胶法制备的La0.67 Ba0.33 MnO3(LBMO)微粉中掺入Ag2O粉,制成一系列(LBMO)／(Ag2O)x／2(x=0～0．35,为摩尔比)掺杂材料,实验结果发现Ag掺杂可明显降低材料的电阻率。当掺Ag量为x=0．25时,样品的电阻率达到最低值。同时在居里点附近,样品的峰值磁电阻得到显著增强。微量的Ag掺杂有助于提高样品的自旋相关隧穿磁电阻,使低场磁电阻得到显著增强。     

(La2/3Ca1/3)(Mn(3-x)/3)Fex/3)O3体系磁电阻行为的研究

通过系统地测量（La2/3Ca1/3）（Mn（3-x）／3Fex／3）O3（x＝0、0.1、0．2、0．3的体系样品的电阻率-温度关系以及一定温度下磁电阻率与磁场的关系,发现随x的变化其磁电阻率峰和电阻率峰均发生位移,磁电阻率峰值增大,并伴生磁电阻率峰展宽效应．作者认为由于Fe的替代,引起体系中Mn3 ／Mn4 比率及磁矩的变化,加之外场对磁有序结构的调制作用,从而影响了Mn3 －O－Mn4 的双交换作用,最终导致磁电阻行为发生变化．     

Dy掺杂La2／3Ca1/3MnO3锰氧化物制备及低磁场下电输运性质

用溶胶-凝胶法制备了系列掺杂（La1-xDyx）2/3Ca1／3MnO3多晶纳米晶体,粒度在100nm左右。对系列样品电输运性质的研究表明,（La1-xDyx）2/3Ca1／3MnO3体系的电输运行为对Dy掺杂量极为敏感。随着Dy含量的增加,样品的转变温度向低温方向移动,峰值电阻显著变大;随着磁场的增加,其转变温度向高温方向略有移动;磁场增加引起的材料磁有序状态提高,使材料的磁电阻进一步变大。     

La0.67Ca0.33MnO3/YBa2Cu4O8/La0.67Ca0.33MnO3三层膜的时间效应研究

报导了La0.67Ca0.33MnO3/YBa2Cu4O8/La0.67Ca0.33MnO3薄膜中超导特性的时间效应.样品在空气中存放11个月后,超导转变温度都降低,而且每个系列样品的临界厚度增加.对用La0.67Ca0.33MnO3作保护层的YBa2Cu4O8薄膜进行时间效应测量,结果表明当La0.67Ca0.33MnO3层的厚度大于40nm时可以防止水对YBa2Cu4O8薄膜的影响.     

La_(0.60)Sr_(0.40-x)K_xMnO_3系列材料的磁电阻效应

利用溶胶-凝胶法(sol-gel)制备了多晶类钙钛矿型稀土锰氧化物La0.60Sr0.40-xKxMnO3(x=0.00,0.15,0.20,0.30)。发现K+取代部分Sr2+后,可使样品的居里温度降至室温附近,并且使样品的室温磁电阻比替代前明显增大。在1.8T的磁场下,x=0.30的样品磁电阻峰值为21%,相应的峰值温度为304K。而母体La0.60Sr0.40MnO3的磁电阻峰值仅为6.4%,峰值温度为373K。可见K+离子替代使室温附近样品的庞磁电阻效应有了明显的改善。     

Bi掺杂对La0.67Ca0.33MnO3化合物磁性和导电特性的影响

与La的离子半径基本相同的Bi掺杂对钙钛矿锰氧化物La0.67Ca0.33MnO3的磁性和电输运性质有显著影响。掺杂使居里温度和磁化强度单调降低，电阻率和磁电阻随掺杂量增加先得到加强，然后又随着掺杂量的继续增加而降低。掺杂量达x=0.2时，试样在5－300K温度范围内表现为半导体特性，在ρ（T）及M（T）曲线上有两个以上相变，认为是铁磁相互作用与电荷有序转变竞争的结果。     

La-Gd-Ca-Mn-O的磁性、电性和磁电阻效应

在La0 67Ca0 33 MnO3 中进行了掺Gd研究 ,结果发现 ,经 140 0℃烧结的样品 ,获得了最佳的磁电阻效应。随掺Gd量增加 ,材料的相变温度逐渐下降 ,对应的峰值电阻率大幅度增加 ,居里温度逐渐下降 ,磁电阻比明显提高。掺入 11%的Gd后 ,可以使磁电阻比提高一个数量级。这些变化可以用晶格效应来解释。     

Lattice Effects and Irreversible Magnetoresistance in Gd Doped La—Ca—Mn—O

The Gd substituting effects for La in La0.67Ca0.33MnO3 has been studied .With increasing the substituting amount of Gd,the phase transition temperature of metal-isolator for the samples decreases,the corresponding peak resistivity increases,the Curie temperature decreases monotonically.The substitution of La-Ca-Mn-O with 11% Gd for La improved the magnetoresistance ratio by an order of magnitude.The effects of substituting Gd can be explained in terms of the lattice effects.An irreversible MR behaviour was observed in Gd-substituting compounds.This effect became marked when the substituting amount of Gd was greater than 7%.A maximum irreversible increment of MR ratio as large as 91% was obtained when Gd substituting amount was 11%.