热致液晶聚酰胺与尼龙66相容原位复合材料研究

合成了半柔性热致液晶聚酰胺(TLCPa),通过熔融共混方法制备了TLCPa/PA66共混物.用差示扫描量热(DSC)、广角X射线衍射(WAXD)、扫描电子显微镜(SEM)和傅里叶红外光谱(FTIR)等分析手段对共混物进行了综合研究.DSC研究表明:TLCPa的加入使共混物的熔融温度和结晶温度向低温方向漂移,结晶速率下降.根据WAXD分析:强剪切有利于TLCPa与PA66分子间形成氢键作用,TLCPa与PA66形成共晶.SEM分析显示:TLCPa与PA66具有良好的相容性,沿流动方向TLCPa变形成为微纤.FTIR分析显示TLCPa与PA66分子间存在氢键作用.     

材料内应力的检测方法

首先介绍了内应力产生的原因,然后分别介绍了内应力的无损检测方法 (X射线衍射法、中子衍射法、磁测法和超声波检测法)及有损检测法(盲孔法)的基本原理、优缺点和研究现状,最后对内应力检测方法的应用前景进行了展望。     

受阻酚/丁腈橡胶复合材料的结构与性能

在丁腈橡胶中添加受阻酚AO-60制备受阻酚/丁腈橡胶复合材料。利用差示扫描量热(DSC)、 扫描电镜(SEM)、 X射线衍射(XRD)、 动态力学分析(DMTA)等测试手段对该复合材料的结构进行了表征, 并对其动态力学性能进行了研究。结果表明: 该复合材料中受阻酚AO-60的结晶性能发生变化, 由结晶态转变为无定形态。AO-60在丁腈橡胶基体中形成了富集区, 在AO-60分子间和AO-60与NBR分子之间形成了大量的氢键。该复合材料不仅存在丁腈橡胶的玻璃化转变, 还有两次异常的松弛过程, 这归因于体系中分子间氢键的解离。该复合材料具有很高的损耗性能, 有很好的阻尼材料应用前景。      

L-半胱氨酸辅助合成AgInS2微球（英文）

通过简单的生物分子辅助溶剂热法,成功地合成出了AgInS2微球.在反应过程中,生物分子L-半胱氨酸既作为硫源也作为络合剂.利用X射线衍射(XRD)、能量色散谱(EDS)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)等分别对所合成的AgInS2的表面形貌、组成和晶型结构等进行了表征.结果表明,所合成的产物为典型的AgInS2正交结构,平均直径约为2μm.讨论了不同温度对AgInS2的形成及其形貌的影响,并根据实验结果对所合成的AgInS2微球可能的形成机理进行了简单的探讨.     

光交联壳聚糖-(PVA-SbQ)共混膜的制备与性能表征

聚乙烯醇一苯乙烯基吡啶盐缩合物(PVA-SbQ)是一种新型光敏聚合物,在紫外光诱导下发生光二聚反应形成大分子网状结构.通过溶液共混法,在壳聚糖(CS)膜中引入具有光二聚特性的PVA-SbQ,成膜后在紫外灯辐照下进行光交联反应,制备了光交联壳聚糖-(PVA-SbQ)共混膜.用扫描电镜、X射线衍射、傅立叶红外等对膜的结构进行表征,并对膜的力学性能、吸湿率、透光率等性能进行研究.实验结果表明:光交联壳聚糖-(PVA-SbQ)共混膜的表面形态比较独特;CS与PVA-SbQ分子间存在一定的氢键相互作用;光交联后,共混膜形成网状结构,有效地改善了壳聚糖膜的力学性能、吸湿性和紫外屏蔽性能.     

化学镀Ni—P镀层的X射线衍射研究

根据X射线衍射分析结果,对化学镀高P(含P>11wt％或19at％)Ni-P镀层加热时效时,镀层成分和加热温度对结构转变的影响作了研究,结果表明,高P共晶、过共晶(含P>11wt％或19at％)合金的结构转变有如下特征:(1)相同加热时效条件下,Ni-P合金的结构转变与成分有密切关系:(2)对同一成分的过共晶合金,Ni-P合金的结构转变与时效温度密切相关;(3)过共晶合金在290～360℃温度范围内时效处理,出现Ni_xP_y介稳相,X射线衍射分析认为Ni_xP_y为Ni_(12)P_5。     

聚苯硫醚砜膜聚集态结构的研究

采用X射线衍射法及激光散射法研究了聚苯硫醚砜(PPSS)膜的聚集态结构,两种方法都得到了一致的结论未经处理的PPSS的样品呈非晶态;经过适当的温度退火处理后,其聚集态结构形成一些次级的有序结构.     

低温剥离法制备高性能石墨烯/ZnO复合材料

采用氧化石墨和七水合硫酸锌作为初始反应物, 在低温下(80℃)合成了氧化石墨/ZnO, 然后通过低温剥离法制备了高质量石墨烯/ZnO (GNS/ZnO)复合材料. 采用X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外(FTIR)光谱、热重分析仪(TG)、X射线光电子能谱(XPS)、拉曼光谱(RS)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)等分析手段对石墨烯/ZnO样品进行了表征. 结果表明: 氧化石墨还原彻底, 纳米ZnO成功地负载到了石墨烯上, 有效地减少了石墨烯片层间的团聚现象. 通过对ZnO和石墨烯/ZnO荧光性能测试, 结果表明: 石墨烯/ZnO发生了荧光淬灭现象, 在光电子领域拥有广阔的应用前景.     

氮化铝薄膜织构的极图法研究

在X射线衍射结果的基础上,采用极图法研究了AIN薄膜以(DO2)和(100)面的取向分布,发现在一定条件下制备的AIN(002)有很强的织构,并通过极图法来确定X射线衍射所无法确定的AIN(100)面择优取向薄膜中各晶粒c轴间的关系.     

X射线衍射技术在薄膜残余应力测量中的应用

残余应力测量在薄膜材料研究中具有重要的意义,综述了薄膜残余应力X射线衍射技术测量的研究现状,其中介绍了强织构薄膜残余应力X射线衍射测量技术;同时对由于G(o)bel平行光镜、毛细管元件及二维探测器等X射线功能附件的发展,以及同步辐射源X射线的应用而带来残余应力分析的新进展进行了介绍.