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采用元素粉作为原料,通过热等静压技术(HIP)制备出50% SiP/Al-Cu和70%SiP/Al-Cu(体积分数)复合材料,研究固溶处理和峰值时效处理对复合材料显微组织、Al2Cu相溶解过程及力学性能的影响.结果表明:热等静压技术制备的SiP/Al-Cu复合材料完全致密,组织均匀细小,材料由Si相、Al相和Al2 Cu组成,白色Al2Cu相产生于原始的Cu粉与Al粉界面处.在516℃固溶处理2h后,70% SiP/Al-Cu复合材料中的Al2Cu相全部溶入Al基体中,而50% SiP/Al-Cu复合材料中还残留少量Al2Cu相.经过峰值时效处理后,50% SiP/Al-Cu和70% SiP/Al-Cu复合材料的抗弯强度为548 MPa和404 MPa,相对于热等静压态分别提高了38.81%和13.51%,复合材料的强度显著增强. 相似文献
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扇出WLP是在晶圆一级加工的埋置型封装,也是一个I/O数量大,集成灵活性高的主要先进封装工艺。而且,它能在一个封装内实现垂直和水平方向多芯片集成且不用衬底。这样,扇出WLP技术目前正在发展成为下一代封装技术,如多芯片、低剖面封装和3D SiP。扇出WLP不仅用于电子封装,而且用于传感器、功率IC和LED封装。本文报导作为先进封装解决方案的下一代扇出WLP的进展情况。 相似文献
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采用注射成型方法制备了SiCP封装盒体的预成型坯, 用压力浸渗方法将熔融铝浸渗到SiCP封装盒体的预成型坯中, 制备出含SiCP体积分数为65 %的SiCP / Al 复合材料的封装盒体。SEM 观察表明, 经过压力浸渗后SiCP / Al 复合材料组织均匀且致密化高, 室温热膨胀系数为8. 0 ×10-6 / K, 热导率接近130 W/ (m·K) , 密度为2198 g/ cm3 , 能够很好地满足电子封装的要求。 相似文献
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填料在环氧树脂基封装材料中的研究近况 总被引:2,自引:0,他引:2
简述了国内外环氧树脂封装料中所用TiO2、MgO、Al(OH)3、CaCO3、BN、BeO等填料的特点,包括填料的形状、颗粒大小、密度以及特殊性能.根据封装材料不同发展阶段的要求,重点叙述了SiO2、Al2O3、AlN等3种粉体作为填料及其所制备的封装材料各自的优势.结合国内外研究现状,指出了环氧树脂电子封装材料用填料应朝着纳米化、功能化、低膨胀系数、绿色化、低成本化的方向发展. 相似文献
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放电等离子烧结制备高导热SiC_P/Al电子封装材料 总被引:1,自引:0,他引:1
为了满足电子封装材料越来越高的性能要求,采用放电等离子烧结(SPS)工艺制备了SiCP/Al复合材料。研究了烧结温度和保温时间等工艺条件对SiCP/Al复合材料组织形貌和性能的影响。结果表明:采用SPS烧结,温度为700℃、保温时间为5 min时,所制备的70 vol%SiCP/Al复合材料热导率达到195.5 W(m.K)-1,与传统15%W-Cu合金相当,是Kovar合金的10倍,但密度小,仅为3.0 g.cm-3;其热膨胀系数为6.8×10-6K-1,与基板材料热膨胀系数接近;抗弯强度为410 MPa,抗拉强度为190 MPa,达到了电子封装材料对热学性能和力学性能的要求。 相似文献
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