热释光剂量计在中子场的刻度和应用

介绍了用热释光剂量计进行个人中子剂量监测,对剂量计的刻度,方法作了详细有描述。用Ａｍ－Ｂｅ参考中子辐射场测量了剂量计的线性和响应因子,相对刻度总不确定度为７．６％（Ｋ＝１）。该剂量计已在辽河油田、江苏油田、华北油田等测井公司应用。     

热释光剂量计刻度过程中有关电子平衡的Monte-Carlo模拟计算与实验验证

采用Monte-Carle模拟和实验测量的方法,开展在不同能量X射线辐照时LiF(Mg,Cu,P)热释光剂量计(TLD)达到电子平衡所需补偿材料厚度的研究.实验结果表明:模拟计算和实验测量的结果符合较好,在X射线有效能量为83 keV、118 key、208 keV时,均需在TLD照射面添加一定厚度的补偿材料,且厚度随能量不断增加.     

高能粒子辐照对InGaN材料电子浓度和光致发光的影响

研究了高能粒子辐照对InGaN材料的电子浓度变化和PL光谱强度在不同温度下变化的影响.高能粒子辐照使InGaN材料的电子浓度明显增加,表明辐照损伤在InGaN材料中产生的本征点缺陷主要是类施主点缺陷,高能粒子辐照产生的高浓度本征点缺陷最终将缺陷的Fermi能稳定在EFs处.在低温和室温条件下,InGaN材料的PL光谱随高能粒子辐照剂量的增加而变宽,且PL峰能向高能方向偏移.InGaN材料的PL光谱随辐照剂量的增加而变宽,原因是该材料中电子浓度的增加以及k选择的紊乱.研究结果表明,与一般的太阳能电池材料GaAs和GaInP相比,InGaN材料具有非常优越的抗辐照性能.     

大面积塑料闪烁探测器剂量线性测量及修正

针对γ射线剂量增大时,大面积塑料闪烁探测器剂量线性会变差这一问题,采用能谱测量方式对塑料闪烁探测器的剂量线性进行修正。首先在单能辐射场中,探测器通过能谱测量电路在上位机形成辐射场能谱,然后按照能量线性规律算出每道址的权重因子,以标准剂量仪所测剂量率为参考值得到修正公式,接下来对待测辐射场进行能谱采样,根据每道计数和修正公式,得到修正后的总计数率和剂量率,从而对塑料闪烁探测器的剂量线性进行修正。结果表明:经过修正以后,在137Cs辐射场中剂量测量最大相对误差由-24.32%变为-6.90%,在60Co辐射场中最大相对误差由-72.22%变为-27.78%。可以看出,经过修正的探测器剂量线性得到很大改善,可为辐射场中γ射线剂量的准确测量提供技术参考。     

环境水平X射线辐射质的建立及监测仪表校准方法研究北大核心CSCD

随着辐射环境监测网络的建立和运行,辐射环境自动监测是保障核与辐射安全监管工作的一项重要手段。为了确保环境监测剂量仪表在低剂量率时的准确测量,需要对其进行量值溯源和刻度。建立了低空气比释动能率系列的辐射质,利用环境级标准电离室进行辐射场的测量,其剂量率在25 μGy/h左右,对3种环境监测的探测器进行了校准,得到其能量响应曲线,比较了不同测量仪器的性能差别,为极低剂量率条件下的测量提供了依据。     

InGaAs红外探测器的γ辐照研究

研究了γ射线辐照对InGaAs红外探测器性能的影响。γ射线的辐照剂量分别为10Mrad、20Mrad、30Mrad。测量了器件在不同γ辐照剂量下的响应光谱、电流一电压特性、信号、噪声。通过对实验结果的分析,发现器件的响应光谱和信号没有发生明显变化;暗电流和噪声随γ辐照剂量增加而递增,表明探测器的性能随γ辐照剂量的增加而逐步衰减。     

检定中子防护剂量仪表的谱中子标准辐射场

为了满足中子辐射防护剂量仪表检定和个人中子剂量计刻度的需要，我们建立了一个以Am－Be中子源为参考标准的标准中子辐射场。用于定度该场的中子周围剂量当量率，可由下式给出：式中Q是仪器定度参考点位置上的参考辐射场中子人射注量率，h”是中子注量——中子周围剂量当量转换系数，其数值由规程JJG852－93给出。在距源中心为D的参考点处，中子源直接射束导致的中子周围剂量当量率为：式中Q为参考辐射中子源的已知强度，f（）为中子源发射率各向异性修正因子，b（D）为空气对中子束的衰减修正因子。本工作在固定的源——探测器距离，…     

基于单分子层模型的ZnO热控涂层电子辐照光学性能退化研究

在分析电子辐照对ZnO类热控涂层光学性能退化机理的基础上,提出了单分子层电子色心产生模型,推导了"色心浓度"表达式及材料光学性能退化随辐照剂量的变化关系。用该理论对100keV电子辐照下S781白漆太阳吸收比变化Δαs的实验数据的拟合结果表明,单分子层模型能够很好地预测ZnO类热控涂层在电子辐照环境下光学特性退化趋势。该理论可扩展应用于其它热控材料在空间不同辐射环境下光学性能退化趋势的预测。     

40~125kV脉冲X射线参考辐射场的建立

为解决用于X射线诊断、安检等涉及到的脉冲X射线剂量监测仪表的时间响应修正问题,建立了模拟上述辐射条件的40~125kV脉冲X射线参考辐射场。该参考辐射场同时具备了常规辐射场特性和脉冲辐射场特性。基于栅控技术的高压发生器可以调控光管产生不同脉冲特性的X射线,使用脉冲时间测量模块对产生X射线的脉冲特性(上升和下降沿时间、曝光时间等)进行测量,得到的结果表明该参考辐射场可用于主动式剂量监测设备的时间响应修正和剂量溯源。     

低本底环境低能X射线参考辐射场的研究

在平均γ射线剂量率为9.9 nSv/h的环境下进行10 ～50 keV低能X射线参考辐射场研究.利用电离室RC6M测量辐射野的均匀性,使用9种材料的K荧光刻度碲化镉探测器,测量了微型X光机能谱,并计算了空气比释动能率.结果显示:在距X射线出口55 cm处水平方向均匀性好于95％辐射野尺寸约为14 cm,竖直方向辐射野尺寸为16 cm,按窄谱系列附加过滤后能谱与ISO4037中标准模拟谱基本吻合.     

空间高能电子辐照对氟橡胶性能的影响

本文研究了相同电子能量、不同剂量率的辐照对氟橡胶(Fluorine Rubber,FPM)电阻率特性和力学性能的影响。电子能量是2MeV,剂量率分别是1.5×10~5rad(Si)/h,1.5×10~6rad(Si)/h,1.5×10~7rad(Si)/h。结果表明:FPM的电阻率呈下降趋势,并且辐照剂量越大电阻率下降得越快;FPM的拉伸强度先变大,而后随着辐照剂量的增加拉伸强度又持续变小;FPM的断裂伸长率随着辐照剂量的增加而降低,与辐照剂量率没有关系。该研究获得的试验数据,对航天器设计过程中材料的选择和使用都具有实际的指导意义。     

BNCT医院中子照射器辐射场特性参数初步测量

为验证BNCT医院中子照射器的设计效果,对其辐射场的特性参数如中子能谱、中子通量密度及其空间分布、中子和γ吸收剂量率及其空间分布等进行了测量。针对该照射器的特点,建立了一套由多球谱仪、235U裂变电离室、金箔、组织等效正比计数器和热释光探测器组成的测量系统,利用蒙特卡洛计算方法优化设计探测器的结构,以提高超热能区的分辨率和甄别不同能量成分中子的能力。初步测量结果表明,该照射器的中子通量密度达到了预期设计要求。     

Pseudo-MOS方法表征SIMOX SOI材料总剂量辐照效应

为了缩短SOI材料的改性研究周期,利用pseudo-MOS方法研究了SIMOX SOI材料的总剂量辐照效应.试验采用硅注入绝缘埋层后退火得到改性的SIMOX SOI材料,通过对比改性前后样品在辐照前后的pseudo-MOSFET ID-VG特性曲线,分析改性工艺的影响.研究结果表明,合适的改性工艺能有效提高材料抗总剂量辐照效应的能力,pseudo-MOS方法在大大缩短SOI材料改性周期的基础上,能准确、快捷地对材料的总剂量辐照效应进行表征.     

质子、电子综合辐照作用下Teflon FEP/Al辐照损伤效应研究

在地面模拟研究了能量为30keV的质子与电子辐照对Teflon FEP/Al的光学性能退化的综合影响。结果表明,质子辐照引起Teflon FEP/Al在可见光区反射性能退化,而电子引起其在可见光与近红外区反射性能的全面下降。电子辐照更多的是使材料的大分子形成激发态进而轰击出主链上的F原子,形成自由基以及游离态的C。质子辐照时,除产生上述的辐照缺陷外,H~*的离子注入还使材料中形成各种新的官能团。质子与电子辐照的顺序不同,Teflon FEP/Al的C_(1s)谱也明显不同。     

电子辐照下氧化锌涂层光学特性变化的解析

本文在分析以氧化锌为颜料的S781热控白漆电子辐照作用机理的基础上,结合材料的辐照剂量深度分布理论、材料对光子的吸收理论等,采用对材料分层解析的方法,建立了表达材料光谱吸收率变化与电子辐照能量和注量关系的模型。结合实验数据,使用Matlab软件中运用最小二乘法解决曲线拟合问题的方法,计算出了模型中的待定参数。本模型的准确性和计算方法的可行性得到了实验的验证,可应用于氧化锌白漆类热控涂层空间辐照环境下光学特性退化的预测。     

空间电子作用对ZnO-有机硅热控涂层光学性能影响研究

研究了空间电子辐照作用下ZnO-有机硅热控涂层光学性能的变化规律.通过扫描电镜、原子力显微镜和电子能谱分析了电子辐照前后试样表面形貌和元素组成变化,探讨了电子辐照的损伤机理.试验结果表明,在相同能量情况下,随电子的辐照剂量的增加,有机硅热控涂层的表面硅树脂发生了降解,产生了碳化,因而导致了ZnO-有机硅热控涂层的光学性能下降.     

密封在塑料袋和多孔培养板中各种组织液的辐照方法及剂量计算

介绍了使用医用电子直线加速器产生的6MV-X射线对密封在塑料袋和多孔培养板中各种组织液的辐照方法及剂量计算,并分析了被照材料的剂量分布和照射的均匀性及各种照射方法的优缺点。     

激光辐照参数对光导型光电探测器响应的影响

文章针对激光照射下光导型碲镉汞光电探测器的响应特性展开了研究,主要讨论了强激光照射下辐照时间、波长及光功率密度对探测器响应特性的影响.从传统载流子的漂移扩散模型出发,在考虑温度的变化下推导出描述半导体载流子的动态方程,并通过数值模拟,给出了理论上的激光辐照主要参数对探测器电阻及输出电压的影响.结果表明:半导体探测器材料...     

Xe/Pb离子辐照对注碳SiO_2发光特性的影响

先用100keV碳离子注入非晶态SiO_2薄膜,再用高能Xe或Pb离子辐照对样品室温下辐照,然后用光谱仪对样品进行分析。实验结果显示,高能Xe或Pb离子的辐照能显著影响样品的发光特性,发光峰的改变与碳的注入剂量、高能离子的种类和能量以及辐照剂量密切相关,发光强度会随着高能离子的辐照剂量增加而变化,具有较大电子能损值的入射离子能更高效的导致材料的发光特性改变。发光特性的改变与薄膜内部微结构的变化有关,入射离子对应的电子能损大将会造成更大的材料损伤,从而能更显著的影响样品的发光。对离子辐照导致薄膜发光峰演化与薄膜微结构改变的关联进行了简单讨论。     

Kapton/Al薄膜的电子辐照损伤

使用空间综合辐照设备对Kapton/Al薄膜进行了电子辐照的地面模拟实验,研究了Kapton薄膜的表面形貌、光学性能变化和辐照损伤机制.结果表明,辐照使Kapton薄膜表面发生了明显的充放电效应;在500-1000 nm波长区间光谱反射系数明显降低,太阳吸收比随着电子辐照剂量的增加而增高;在辐照过程中Kapton薄膜发生酰亚胺基团的破坏、羰基和桥氧键的断裂以及O在N 逸出空位处的替换,并有较复杂的新结构生成.