热处理对卤化银多晶光纤显微结构的影响

热挤压法成型的卤化银多晶光纤,经不同温度热处理后;光纤的显微结构发生了变化．扫描电镜形貌分析结果显示;热处理温度Ｔ≤１７０℃,显微结构未发生变化,晶粒尺寸１～２μｍ． Ｔ＝２００℃时,晶粒尺寸１０～２００μｍ; Ｔ＝２５０℃时,晶粒尺寸２０～３０μｍ ;Ｔ＝３００℃时,晶粒尺寸３０～４０μｍ．光纤显微硬度测量结果也显示,热处理温度＞１７０℃后,光纤的显微硬度随热处理温度的升高而降低,在２００℃附近硬度降至最低值．     

热处理对卤化银多晶光纤显微结构的影响Q

热挤压法成型的卤化银多晶光纤,经不同温度热处理后,光纤的显微结构发生了变化.扫描电镜形貌分析结果显示,热处理温度T≤170℃,显微结构未发生变化,晶粒尺寸12.T=200℃时,晶粒尺寸10～20μm;T=250℃时,晶粒尺寸20～30μm;T=300℃时,晶粒尺寸30～40μm.光纤显微硬度测量结果也显示,热处理温度>170℃后,光纤的显微硬度随热处理温度的升高而降低,在200℃附近硬度降至最低值.     

卤化银多晶光纤传输CO2激光性能的研究

通过采用高真空熔炼、反应气氛下区域融熔和高真空石英安瓿内单晶生长等特殊工艺方法对卤化银原料进行提纯,并用热挤压成型方法制得卤化银光纤．本文研究了卤化银原料的提纯和光纤成型工艺对损耗的影响,研究结果表明,增加提纯次数可降低卤化银光纤预制棒的吸收系数．通过合理控制工艺参数,提纯后的卤化银原料制成的光纤预制棒,经ＣＯ_２激光量热计法测量在１０．６μｍ处的吸收系数＜５×１０^－4ｃｍ^－１,热挤压成型的光纤在１０．６μｍ处的损耗为０.３～０.５ｄＢ／ｍ,直径φ１０ｍｍ、长度１．６４ｍ的光纤可传输ＣＯ_２激光功率＞２０Ｗ．     

反应氯气气氛下卤化银光纤原料的超提纯

采用反应氯气气氛下水平区域熔融生长单晶的方法对卤化银原料进行超提纯,反应氯气气氛是由裂解低沸点碳氯化合物得到;化合物的通式为ＣＨ_ｎＣｌ_４－ｎ(ｎ＝０,１,２)．提纯的温度为４５０~５００℃,温区移动速度为０．２~０．８ｍｍ/ｍｉｎ;载流气体Ａｒ的流量为８０~１６０ｍＬ/ｍｉｎ．提纯后的卤化银原料红外吸收光谱显示,在４０００~８００ｃｍ^－１(２．５~１２．５μｍ)区域内的吸收随波长的增加而降低,中红外４０００~６００ｃｍ^－１(２．５~１６μｍ)区域是卤化银材料最佳的传输波段．用此原料制成的光纤可传输３．３~１６μｍ中红外光谱;传输１０．６μｍＣＯ_２激光的损耗为０．３~０．５ｄＢ/ｍ．     

卤化银多晶红外光纤显微结构与相关性能的研究

借助ＴＥＭ、ＸＲＤ、硬度微观测量等方法,研究了卤化银多晶红外光纤的显微结构与相关性能的关系．发现光纤是以ＡｇＣｌ_ｘＢｒ_１－ｘ。多晶体为主骨架,纳米晶粒Ａｇ镶嵌其中．由纳米晶粒带来的损耗光纤的散射损耗增加很小,即ＡＮλ^－４通过控制光纤的制备工艺条件,可以改变光纤的晶粒大小和光纤硬度．     

卤化银光纤式CO2激光手术刀

卤化银多晶光纤「ＡｇＣｌｘＢｒ（１－ｘ），０≤ｘ≤１」是一种性能优良的中红外传能光纤。光纤原料采用高真空熔炼、氯气气氛下区域融熔和高真厂长发瓿内单昌生长等特殊工艺方法提纯，光纤用热挤压法成型。已制成的直径Φ１．０（ｍｍ）光纤Ｌ＝１．６４（ｍ）输出ＣＯ２激光功率〉２０（Ｗ），损耗０．３￣０．５ｄＢ／ｍ，Ｆｏｒｕｒｉｅｒ红外光谱（ＦＴＩＲ）测量结果显示，光纤在４￣１６μｍ波段内有良好的透过率，用光纤制     

卤化银光纤原料的超提纯

高纯原料的制备是制造高品质光纤最重要的环节,本文采用氯气氛下水平区熔法生长单晶的提纯方法对卤化银原料进行超提纯．区域熔融提纯后的卤化银原料红外吸收光谱测量显示在800～4000cm^－1范围内吸收随波长的增加而降低．经CO₂激光量热计法测量提纯后的卤化银原料在10．6μm处的吸收系数为5×10^－4Cm^－1,较提纯前降低两个数量级,制成的光纤传输损耗03～0．5dB／m     

溶液温度对电化学沉积氧化亚铜薄膜相成分和显微结构的影响

用电化学方法在不锈钢基体上沉积多晶Ｃｕ２Ｏ薄膜并用Ｘ射线衍射和扫描电进行了分析研究了溶液温度对薄膜相组成、晶粒尺寸和择优取向的影响，当溶液的ＰＨ＝９，温度低于５０℃时得到的是Ｃｕ２Ｏ／Ｃｕ复相薄膜，纯Ｃｕ２Ｏ薄膜可在溶液温度高于５０℃时获得，纯Ｃｕ２Ｏ薄膜具有（１００）择优取向，实验发现薄膜的晶粒尺寸随溶液温度的增加从０．１２μｍ增加到０．６５μｍ。     

卤化银多晶光纤传输CO2激光性能的研究

通过采用高真空熔炼,反应气氛下区域融熔和高真空石英安瓿内单晶生长等特殊工艺方法对卤化银原料进行提纯,并用热挤压成型方法制得卤化银光纤。本文研究了卤化银原料的提纯和光纤成型工艺对损耗的影响,研究结果表明,增加提 次数可降低卤化银光纤预测棒的吸收系数。     

变形温度对镁合金等通道转角挤压晶粒尺寸演变影响的有限元模拟

目的研究变形温度对AZ31B镁合金等通道转角挤压(ECAP)过程中晶粒尺寸演变的影响。方法建立AZ31B镁合金动态再结晶和晶粒长大数学模型,采用Fortran语言编写晶粒演变子程序,并通过商用有限元软件MARC的二次开发接口,建立耦合微观组织演变的AZ31B镁合金等通道转角挤压有限元模型,研究变形温度对等通道转角挤压过程应变场、再结晶百分数和晶粒尺寸的影响规律,并与实验结果进行比较。结果随变形温度从200℃增至400℃,原子热激活效应增强,再结晶百分数从75.37%增加至99%,平均晶粒尺寸从6.67μm增加至25.7μm,且晶粒尺寸分布均匀性增大,但是200℃变形的ECAP试样出现开裂。结论在250~300℃温度区间内进行ECAP变形,有助于获得细小均匀的微观组织,同时避免出现变形开裂。     

IN690合金管热挤压温升与挤压力的研究

温升和挤压力是影响钢管挤压过程的重要指标,利用热模拟实验获得了IN690合金的热加工本构关系,建立了IN690合金钢管热挤压过程的有限元模型.采用正交实验设计的仿真实验系统分析了坯料温度（T b=1000～1200℃）、挤压速度（v=20～200 mm/s）和模具预热温度（T d=300～500℃）对管材成形过程中温升...     

铝镁异种金属复合挤压成形及界面微观组织

基于Deform 2D有限元模拟优化挤压工艺参数,在挤压速率2mm/s,挤压温度470℃下对铝镁双金属进行复合挤压实验,并采用扫描电镜(SEM)、显微硬度测试以及电子背散射衍射(EBSD)对复合挤压件界面结合层进行微观组织观察与分析。结果表明:在铝镁合金接触区反应生成了界面层,层内新的物相为靠近AZ31镁基体一侧的Al_(12)Mg_(17)以及靠近铝基体一侧的Al_3Mg_2。Al_3Mg_2相显微硬度值最高,平均值约为210HV,Al_(12)Mg_(17)相平均硬度约为170HV,因而界面区硬度高于两侧基体母材,形成典型的脆硬结合层,电子背散射衍射(EBSD)结果显示,Al_(12)Mg_(17)相的平均晶粒尺寸为30μm,Al_3Mg_2相的平均晶粒尺寸约为20μm,复合界面结合层区域晶粒取向各异,晶粒尺寸大小也不均匀,而复合外层纯铝基体取向区域均匀,新生成相在晶界上有部分再结晶发生。     

ZA73镁合金热变形行为研究

在应变速率为0.001s(-1)和0.1s(-1),温度为150-300℃的条件下,采用热模拟对ZA73镁合金的高温拉伸变形行为进行了研究,并结合显微组织观察和挤压试验,分析确定了适合该合金的热加工工艺.结果表明:变形温度和应变速率是影响ZA73合金流变应力和塑性的关键参数,应变速率一定时,流变应力随温度的增加而降低;...     

固溶处理温度对GH3625合金热挤压管材微观组织和力学性能的影响

采用SEM、EDS和XRD等手段研究了不同固溶处理温度对GH3625合金热挤压管材组织性能的影响。结果表明,1 120℃是合金组织和力学性能的一个转折点。当固溶处理温度为910~1 120℃时,由于晶界处NbC相的钉扎作用,使得晶粒长大缓慢,合金硬度和强度缓慢下降;当固溶温度超过1 120℃时,NbC相大量回溶,钉扎作用减弱或消失,晶粒急剧长大,合金硬度和强度的下降趋势明显增大。随着固溶温度的升高,合金断口中的韧窝变得大而深邃,塑性逐渐提高;当固溶温度超过1 120℃时,拉伸断口基本以韧窝为主。GH3625合金热挤压管材在固溶处理时间为1h时的最佳固溶处理温度为1 120℃。     

Ba0.65Sr0.35TiO3陶瓷材料的制备及介电特性研究

采用溶胶-凝胶工艺制备了Ba_0.65Sr_0.35TiO₃粉体,并利用微波烧结技术对粉体进行了合成和烧结,研究分析了样品的介电特性,并与传统制备工艺获得的样品进行了性能比较.实验结果表明,获得的Ba_0.65Sr_0.35TiO₃粉体颗粒较细,其合成温度和烧结成瓷温度都较传统工艺有大幅度降低,分别为900和1310℃;可以获得晶粒尺寸在1μm以内的陶瓷;随晶粒的减小,材料的相对介电常数变化不大,而介电损耗大大降低.     

工艺参数对20MnSi热轧棒材力学性能的影响

通过研究规格为φ14mm的20MnSi热轧棒材工艺参数,指出在终轧温度为850℃左右时,以0．5～2．0℃／s的速度冷却至650℃,得到的20MnSi热轧成品棒材组织晶粒更细小,力学性能更高。与常规轧制相比,对20MnSi热轧棒材参数进行控制,抗拉强度提高60MPa,晶粒直径平均缩小2．2μm。     

空芯光纤中沉积多晶态GeO2薄膜的实验研究

通过缩短高温炉冷却器的距离,使化学反应与沉积区的温度梯度增加到约9℃／mm,进而使GeCl4与O2可在内径为1.0mm的空芯石英管内壁沉积上颗粒度约0.1um,厚度为3.0um的多晶态GeO2介质膜,使表面更加光滑,提高了光纤的传输性能,光纤的传输损耗小于0.8dB／m.     

搅拌铸造SiCp/2024复合材料热挤压-轧制变形组织及性能

利用搅拌铸造-热挤压-轧制工艺制备SiCp/2024复合材料薄板。通过金相观察(OM)、扫描电镜(SEM)及力学测试等手段研究了该复合材料在铸态、热挤压态及轧制态下的显微组织及力学性能,分析了材料在塑性变形过程中显微组织及力学性能的演变。结果表明,该复合材料铸坯主要由80～100μm的等轴晶组成,粗大的晶界第二相呈非连续状分布,SiC颗粒较均匀地分布于合金基体中;热挤压变形后,晶粒沿挤压方向被拉长,SiC颗粒及破碎的第二相呈流线分布特征;轧制变形后,基体合金组织进一步细化,晶粒尺寸为30～40μm,SiC颗粒破碎明显,颗粒分布趋于均匀,轧制变形对挤压过程中形成的SiC颗粒层带状不均匀组织有显著的改善作用。数学概率统计指出,塑性变形有利于提高颗粒分布的均匀性。力学测试表明,塑性变形后,复合材料的抗拉强度、屈服强度和延伸率显著提高。SiCp/2024铝基复合材料主要的断裂方式为:合金基体的延性断裂、SiC颗粒断裂及SiC/Al界面脱粘。