光电子领域中的纳米半导体材料

近年来，纳米半导体材料特别是纳米硅在光电子领域中的研究已经越来越引起人们的注意，由于纳米半导体材料的量子限域效应，尺寸效应等影响使得它们在光电转移，电子器件等方面有着优异的性能，必将在未来的微电子以及纳米电子发展中发挥令人鼓舞的作用，详细介绍了纳米半导体材料在光电子领域中的发展历史，研究情况以及存在的问题等。     

中国首次成功制备GaAs基长波长激光器

由中科院半导体所半导体超晶格国家重点实验室承担的GaAs基近红外波段半导体光电子材料生长和激光器研究项目获得重要突破。     

“十五”我国电子信息材料市场需求分析

从事半导体材料生产的企业的生产设备和工艺还都比较落后,电子信息材料是发展电子信息产业的先导和基础,涉及到国民经济和国防建设各个领域,改革开放以来在国家各级领导和部门的重视支持下,取得了长足的发展,为电子信息产业中的微电子、光电子技术和新型元器件的发展奠定了基础。一、发展现状 （一）半导体材料 以半导体器件为主的世界电子产品预计2001年增长率分别达到18.2％。世界用于生产单晶硅的多晶原料需求也相应上升,目前多晶硅总的年生产能力约为2.6亿吨,     

第3代半导体材料在光电器件方面的发展和应用

<正>一、第3代半导体材料概述第3代半导体材料是继第1代半导体材料和第2代半导体材料之后,近20年刚刚发展起来的新型宽禁带半导体材料。第3代半导体材料以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)和氮化铝(AlN)等宽禁带化合物半导体为代表,其具有高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及高抗辐射能力等特点,因而更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件,在光电子领     

半导体所研制成功氮化镓基激光器

中科院知识创新工程重要方向项目“氮化镓基激光器（KGCX2-SW-115）”通过了专家验收。氮化镓基半导体材料是继硅和砷化镓基材料后的新一代半导体材料，被称为第三代半导体材料，它具有宽的带隙，优异的物理性能和化学性能，在光电子领域具有广泛的应用前景和研究价值。用氮化镓基半导体材料研制成的氮化镓基激光器在国防安全领域和光信息存储、激光全色显示、激光打印、大气环境检测、水下通信、双色激光探测等领域具有重要的应用价值。     

硅单晶市场分析

随着二十一世纪的到来,全球经济在信息产业的蓬勃发展中快速前进,这其中要得益于电子信息材料技术的提高及新材料的应用。由半导体材料及辅料、光电子材料和新型元器件用材料组成的三大系列,涵盖了现代信息新材料领域的主要方面。信息新材料作为现代信息产业的基石,支撑着通信、计算机、信息家电与网络技术的发展。 在当今全球超过2000亿美元的电子通信半导体市场中,95％以上的半导体器件是用硅材料制作的,集成电路的99％以上是用硅制作的。相对于其它半导体材料,硅具有廉价丰富、易于生长大尺寸高纯度晶体及热性能与机械性能优良等优点。各国对硅单晶材料的消耗量反映了各国集成电路制造业     

中国应用表面物理国家重点实验室

实验室密切注视国际学术界发展的新动向,适时拓展研究方向。开展了计算凝聚态物理、表面物理与工程、半导体光电子物理、表面与超薄膜磁性、光子晶体等5个方面的研究工作。主要研究内容包括：表面界面与电子态声子态理论,微结构和介观体系理论,化合物半导体表面的结构与电子态,半导体异质界面,用STM／AFM研究表面结构,硅基光电子材料与低维量子结构,     

新型半导体材料

在最近的将来,硅仍是生产集成电路的主要半导体材料。但是,硅集成电路已接近物理极限,其速度和集成密度很难进一步大幅度提高。此外,硅的发光特性差,不适合于光电子应用。其它一些半导体,主要是Ⅲ-V簇化合物如砷化镓(GaAs),虽然会发光,也可用来制造速度快得多的集成电路,但是它们的机械强度和散热等特性远不如硅,而且昂贵得多。工业和科学的发展,需要兼有硅和GaAs两者的优良特性的新半导体材料。在过去十年中,研究者把薄膜工艺和表     

国家重点发展17类新材料

中国科学院半导体研究所王占国院士日前在第八届科博会中国可持续发展战略论坛上透露，新材料产业“十一五”规划将重点发展17类新材料。首先是硅基微纳电子材料。其次是半导体固体照明工程材料与器件。第三是平板显示材料与器件。此外，“十一五”我国还将发展光电子材料、全固态激光材料、稀土功能材料、功能陶瓷材料、超级钢材材料与技术、航空航天用关键材料、核能工程材料、高速铁路以及汽车用材料、新型能源材料、生物医用材料、生态环境材料、海水淡化材料与技术、纳米材料与技术以及超导材料。     

功能晶体材料的发展

功能晶体材料是光电功能材料的主体.本文概述了功能晶体材料从天然晶体到人工晶体,从电子材料到光电子材料的发展历程,并着重探讨了今后的发展动向.