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高技术陶瓷的销售额从1989年的35亿美元增加到1999年的81亿美元,平均年增长率为8.7%。据美国商业资讯公司的调查,在高技术陶瓷市场中,电子陶瓷不仅将继续占有最大市场份额,而且是未来增长的领头羊,结构陶瓷紧随其后。1999年,美国高技术陶瓷部件的总产值大约为81亿美元,预 相似文献
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结构陶瓷—一个需要耐心的行业 总被引:2,自引:0,他引:2
众所周知,要制备高质量的先进陶瓷零部件、元器件,粉料的质量是个关键环节。近15年来,通过国际陶瓷界(当然还有国内)对制备方法和工艺技术的精心研究,粉料的纯度、细度、颗粒分布以及性能的重现性均有极大的进展,导致高性能结构陶瓷的性能有了显著的提高(当然还包括配方、工艺的改进,这里只是强调了粉料)。例如:①力学性能由20MPa提高到2GPa;②K_(IC)由1提高到 相似文献
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BaTiO_3、SrTiO_3陶瓷半导化机理的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
探讨了烧结温度、冷却条件及 Nb_2O_5添加量对 BaTiO_3、SrTiO_3陶瓷半导化的影响。实验结果表明:在添加0.1~0.7mol%的 Nb_2O_5时,SrTiO_3陶瓷的电导率随 Nb_2O_5添加量的增加而增大,而 BaTiO_3陶瓷在0.15mol%附近出现最大值。烧结温度和冷却条件对 SrTiO_3陶瓷和添加量>0.15mol%的 BaTiO_3陶瓷的半导化都有很大影响。采取适当的冷却条件,也能使 Nb_2O_5添加量>0.15mol%的 BaTiO_3陶瓷的电阻率显著降低到10Ω·cm 左右。本文讨论了 BaTiO_3和 SrTiO_3陶瓷的半导化机理,认为 SrTiO_3陶瓷的半导化是施主离子所诱发出的晶格中的氧挥发所致,而 BaTiO_3陶瓷则由两种机制所控制。在 Nb_2O_5添加量<0.15mol%时,电价补偿起主要作用;当 Nb_2O_5含量增加到>0.15mol%时,就变成取决于冷却条件的氧挥发所控制。喇曼光谱实验也证明了这一点。 相似文献
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本文比较全面地介绍了十几年来国内外对α-Fe_2O_3气敏陶瓷的研究状况,并对其中典型的研究结果进行了分析和比较,总结出了一些带有一定普遍意义的规律;同时也提出了研究中存在的一些问题。最后,本文提出了我们对α-Fe_2O_3陶瓷气敏性来源的看法,并着重指出了先前没有被大多数研究者引起足够重视、且对功能陶瓷来说是至关重要的问题,即α-Fe_2O_3陶瓷的显微结构及其与气敏性之间的关系。在此基础上我们提出了今后研究方向的一些看法。 相似文献
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Pechini法制备铌酸锂陶瓷的结晶性能研究 总被引:6,自引:1,他引:5
以Li2CO3、Nb2O5、K2CO3为初始原料,采用Pechini法制备了铌酸锂(LiNbO3)陶瓷。用XRD、SEM等分析了LiNbO3陶瓷的结晶特性。分析结果表明Li2O对于铌酸锂陶瓷的烧结及致密度有着重要的影响,经980℃烧结得到的LiNbO3陶瓷晶粒发育良好,当烧结温度>1100℃时,Li2O有较大的损失,所得到的LiNbO3陶瓷组分与化学计量比有一定偏差。因此应采用多种技术方法来减少Li2O的损失以得到致密、结晶性良好的铌酸锂陶瓷。 相似文献
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通过在 KNbO_3合成料中添加钾锗玻璃的方法,烧结后得到了 KNbO_3半导瓷,其样品有较大电阻率,并在 KNbO_3晶体的两个相变点附近发生 PTC 电阻反常。样品的制备工艺参数如烧结温度、保温时间等对其成瓷性能、电学性能和显微结构等均有影响。对样品所做的 SEM 和 TG 分析结果表明:在 KNbO_3陶瓷中,K_2O 在烧结温度下发生明显的挥发,样品中晶粒和晶粒之间含有较多气孔。KNbO_3材料的固有特性和成瓷特性使该半导瓷具有一些独特的电学性能。 相似文献
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10nm钛酸钡粉用两种方法烧结得到致密的钛酸钡陶瓷。在6GPa的超高压辅助条件下烧结得到的钛酸钡陶瓷的晶粒大小约为30nm;在常规的无压条件下烧结得到的钛酸钡陶瓷的晶粒大小约为1200nm。研究表明,由于超高压能够压碎纳米粉体中的团聚体、增加烧结的驱动力、降低戍核的势垒而使戍核速率增加和由于扩散能力的降低而使生长速率减小,所以超高压烧结能在较低的温度和较短的时间内得到致密的纳米钛酸钡陶瓷。 相似文献