激光用感光高分子材料

大规模和超大规模集成电路(VLSI)的发展,要求光刻线条越来越细,因而促进了光刻用感光高分子材料的开发。近年来,国外正在研制激光蚀刻新技术,以及适用于此技术的激光用感光高分子材料。它具有可直接制版,减少VLSI的制造工序,节省人力、资源等许多优点,引起了人们的极大兴趣。本文主要介绍光交联型和光聚合型激光用感光高分子材料。     

化学机械抛光技术及SiO2抛光浆料研究进展

随着半导体工业和集成电路(IC)工艺的飞速发展,化学机械抛光(CMP)作为目前唯一能提供超大规模集成电路(VLSI)制造过程中全面平坦化的一种新技术,已成为各国争相研究的热点。介绍了CMP技术的产生、优势、发展、理论、设备与耗材;着重介绍了SiO2浆料的国内外研究现状,并展望了CMP技术及SiO2浆料的研究开发和应用前景。     

中子嬗变掺杂直拉硅的一些问题

一、引言近十几年来,半导体集成电路(IC)已从中小规模跨入了大规模(LSI)时代,并正迅速向超大规模(VLSI)、超超大规模(ULSI)推进。目前已有1兆位VLSI产品。器件的迅速发展也就要求其衬底单晶硅在所有质量参数上和加工工艺技术上必须迅速提高,否则就要限制集成电路的发展。在单晶硅生长过程中,由于生长条件的制约,晶体的电阻率分布总是不均匀的,在电路工艺技术进入亚微米、微米级时代,这种衬底的不均匀性会直接影响IC     

超大规模集成电路测试技术

随着系统集成度与加工技术的飞速发展，超大规模集成电路测试已经成为一个越来越困难的问题。测试的理论与技术已经成为VLSI领域中的一个重要研究方向。本文较全面的介绍了各种VLSI测试方法，并分析了各自的特点。最后预计了VLSI测试技术的发展趋势。     

国外远紫外光刻胶发展概况

一、概况超大规模集成电路(VLSI)是大规模集成电路(LSI)发展的必然趋势。美国准备把它作为八十年代的“法宝”,垄断世界市场。日本则于1976年由政府出面,集中了富士通、日立、三菱电机、日本电气和东芝五大公司的精华,组成了VLSI技术研究协会,开始了为期四年的研制计划,准备在这“决定日本电子工业沉浮”的大事中与美国争雄。现在,对VLSI,一般公认的界限是,每     

微电子领域中的聚酰亚胺

聚酰亚胺(简称 PI)自六十年代问世以来,在工业上广泛用作耐高温密封剂、电工绝缘、以及印刷电路的柔韧性基片等。从七十年代开始,一方面由于集成电路向高集成度、高速度方向发展;另一方面由于 PI 薄膜超薄技术的开发成功和 PI 薄膜精细图形的获得,使 PI 作为一种新的薄膜技术进入了大规模集成电路(LSI)和超大规模集成电路(VLSI)等领域。现在,PI 薄膜已作为 LSI的多层内联系统中的绝缘隔层、表面钝化涂     

国外电子气体供气系统洁净技术

电子气体是发展大规模、超大规模和兆位级集成电路必不可少的材料。目前国外256K DRAM(动态存取存储器)已进入成熟期,1兆位DRAM进入全盛期,4兆位DRAM已正式销售,1987年首先由日本开发成功16兆位DRAM。为适应IC(集成电路)发展对材料的需求,国外许多特种气体公司先后开发出电子级、超大规模集成电路级(VLSI)和兆位级电子气体。线宽进入亚微米级后,尘埃、金属粒子污染问题更为人们所关注。本文简介粒子污染及其洁净技术的进展。一、尘埃和金属粒子源及其对半导体器件质量的影响在用于制造半导体器件的气体中,如存     

开拓超高真空的世界（五）：支撑高技术的基础

九、不断发展的等离子体离子束应用技术现代半导体工厂第六章介绍了等离子加工中的溅射镀膜技术。第七、第八章介绍了作为清洁真空的基础的超高真空技术,并以表面科学和分子束外延为例说明了超高真空技术的应用。超高真空技术不仅仅是高技术,而且也是不断应用于实际的技术。这一章将介绍半导体工厂的超大规模集成电路生产中使用的硅片刻蚀工艺。超大规模集成电路的制造工序十分复杂,往往需要反复使用多种半导体制造装置才能完     

AOI光学检测在生产过程中的应用

PCB的检测最早使用的事人工目测的方法,但是随着PCB生产技术的不断进步,我们所使用的器件的体积越来越小,同一块PCB上继承的器件密度越来越高,单单靠人工目测,已经无法确保检验结果是精准的和检验过程是有效率的。对于要求如此之高的检测任务,我们引进自动光学检测系统AOI(AutomaticOpticInspection)。主要讨论自动光学检测系统AOI的技术原理以及在生产过程中的具体应用,最后利用假设认证如何确保我们的改善是真实有效的。最后,阐述自动光学检测系统(AOI)的发展前景,它是一种适应生产需求的检测方法,因此充满强大的生命力。     

利用同步加速器辐射光在抗蚀膜上加工微细图形

日本通产省工业技术院电子技术总合研究所于1982年十一月三十日宣布,该研究所已确立了采用同步加速器辐射光照相制版方面在硅片表面的抗蚀膜上,加工线宽0.6微米微细图形的技术。这种技术所得图形的污点量仅为用强 X 射线源的 X 线照相制版方法的二十分之一,可望用于超大规模集成电路(VLSI)等电子器件。作为同步加速器辐射光利用技术开发之一,该所进行了制作超微细的电子线路图形的基础研究,并使用最近完成的六百兆电子伏特电子存储环,进行了同步加速器辐射光     

基于静态特征的硬件木马检测

分析了集成电路全球化设计、制造致使集成电路易被植入硬件木马(HT)从而使其存在遭受恶意攻击隐患的硬件安全形势,以及现有硬件木马检测方法的技术特点,在此基础上提出了一种基于静态特征的硬件木马检测新方法——HTChecker。HTChecker基于硬件木马的静态特征利用子图同构技术来检测木马。与其他的检测方法相比,它可以快速精确地找出已知特征的硬件木马。为了不受限于机器内存的大小,该方法借助图数据库来存储电路,这样它对超大规模的电路也可以进行检测。使用ISCAS’89和OpenCores benchmark电路对HTChecker进行了评估,木马电路被随机地插入到这些电路中。实验结果显示HTChecker可以快速精确地找出木马,并且不需要"Golden Chip"的辅助。HTChecker可以有效地处理实际的VLSI设计。     

相移掩模方法及其一维数值模拟

相移掩模方法是一种新的光刻技术，它可以提高现有光刻设备的分辨率，使超大规模集成电路及二元光学的制作迈上一个新台阶。本文介绍了相移掩模方法的基本原理，用部分相干光成象理论分析了用于光刻的投影照相系统的成象特性，导出了一维成象的简化公式，对一维光栅结构进行了计算机数值模拟并给出了模拟结果。     

我国大规模集成电路封装材料在化学所实现突破

日前，中国科学院化学研究所成功开发出可用于超大规模集成电路(VLSI)先进封装材料光敏型BTPA-1000和标准型BTDA1000聚酰亚胺专用树脂，并已申请7项国家发明专利。目前，国内多家半导体企业和科研院所准备将这种新型树脂用于芯片及光电器件的制造，年产几十吨的工业中试装置正在建设，可望于今年7月投产。     

纳米多孔SiO2薄膜疏水性的研究进展

超低介电常数纳米多孔SiO2薄膜在未来超大规模集成电路(ULSI)中有着广阔的应用前景,但其疏水性能的好坏是决定其能否在ULSI中应用的重要因素之一.介绍了国内外有关纳米多孔SiO2薄膜疏水性的原理、工艺以及表征方法.     

线性乘性规划的全局优化算法

本文研究线性乘性规划问题(LMP)的全局最优化算法,线性乘性规划问题在生产运输、工厂布局设计、超大规模集成电路芯片设计等方面有重要的应用。首先将LMP问题转化为等价规划问题(P1),然后利用参数线性化方法在相应的超矩形上求得问题(P1)的目标函数和约束函数线性下界估计,并提出了一个求线性乘性规划全局解的确定性全局优化算法,并证明了算法的收敛性。数值实验表明提出的方法是可行和有效的。     

微电子二元光学器件制作工艺研究

二元光学器件的基本制作工艺是超大规模集成电路中的微电子加工技术，但微电子加工属薄膜图形加工，主要控制的是二维的薄膜图形，而二元光学器件则是一种表面的三维浮雕结构，因为要同时控制平面图形的精细尺寸和纵向深度，所以其加工难度增大。     

超大集成电路互连线电沉积铜的研究动态

铜具有比铝更低的电阻率、更优异的抗电迁移性能,使用铜作为互连线材料不但可以减少RC延迟,而且还能提高集成电路的可靠性.在超大规模集成电路(ULSI)制造中用铜取代铝作为互连材料的铜互连技术发展非常迅速,铜互连工艺采用了许多新的技术,其中电沉积铜就是核心技术之一.介绍了目前ULSI铜互连中电沉积铜技术所涉及到的镀液组成、脉冲电流的应用、电沉积装置和性能等方面的研究状况.     

真空技术和大规模集成电路的发展(一)

集成电路在向高集成度、高性能、高可靠、高生产率的发展过程中对真空技术的依赖日益加深。在大规模集成电路的生产过程中,需要在真空条件或真空设备中进行的工序已占一半以上,而在超大规模集成电路的制备工艺中,则超过75％。研制和生产集成电路的需要不仅推动了传统真空技术的进一步发展,同时刺激了对近代科学技术有深远影响的二个新领域——薄膜技术和表面分析技术——的迅速发展。本文从研究和生产大规模、超大规模集成电路所面临的材料、工艺、薄膜表面和界面问题的角度出发,重点综述与真空科学技术密切相关的、发展集成电路必需的薄膜技术和表面分析技术,以及它们的现状和趋势。主要内容是:一、引言,二、发展大规模集成电路所面临的技术要求,三、薄膜技术(薄膜的沉积生长技术;干法刻蚀;离子轰击效应;薄膜沉积和刻蚀的监测技术),四、表面和界面分析技术。     

球形SiO_2在VLSI封装材料中的应用

随着对VLSI(超大规模集成电路)塑料封装性能要求的不断提高,人们正在开发球形二氧化硅以替代以往角形二氧化硅作为塑封料的填充料。日立公司成功地以球形二氧化硅为填充料开发了超低膨胀系数塑封料,实验室产品的热膨胀系数已降至0.7×10~(-5)/℃,批量生     

激光干涉仪在数控机床测量方面的应用

激光干涉仪作为数控机床的测量装置是集光学、精密机械、电控技术、数据处理、计算机技术于一体的高技术精密检测装置，采用完全非接触测量方式，实现数控车床在自动化方面的飞跃，在未来必将会有更为广阔的发展前景。当然面对不同的数控机床要采用不同的测量方式，并且对不同的测试结果进行科学的分析，要明确激光干涉仪在数控机床上的测量方式，把握双频激光干涉仪在数控车床检测中的应用，加强对激光干涉仪的使用快捷方式进行分析，最大限度地扩大激光干涉仪在数控机床测量方面的普及。