75％TiO2-25％SiO2氧化物的机械合金化

金红石TiO2是常用的钛阳极耐蚀载体材料。鉴于SiO2具有更高的耐蚀性、耐磨性和稳定性，而且价格低廉。因此，本文尝试以锐钛矿TiO2和石英SiO2颗粒原料，采用机械合金化（MA）方法制备TiO2-SiO2二元氧化物。本文通过30小时机械合金化作用，制备了摩尔浓度为75％TiO2-25％SiO2二元氧化物载体材料。通过XRD、DTA和TEM分析并观测了所获材料的组织结构和晶粒形貌。结果发现在MA作用下，该载体材料中的锐钛矿TiO2显著细化，有部分纳米晶粒出现，SiO2晶粒细化效果相对较弱；透射电镜下，粉末颗粒呈理想的等轴形态；产生了锐钛矿TiO2向金红石TiO2的相变，其相变温度比采用常规方法下的相变温度明显降低了约350℃：获得SiO2、TiO2互溶的固溶体组织，特别是生成了采用常规方法难以获得的TiO2．SiO2非平衡间隙固溶体。     

磁性形状记忆合金Ni2MnGa的研究现状及发展

本文系统地阐述了Ni2MnGa合金的晶体结构、马氏体相变行为、相变应变、磁诱导应变及其形状记忆效应机理的研究现状，分析了影响Ni2MnGa合金马氏体相变、应力应变及各物理量的主要因素，介绍了Ni2MnGa合金的制备工艺现状及发展趋势，并提出了Ni2MnGa合金需深入研究的问题。     

真空烧结法制备ZrO2(Y2O3)/Al2O3复合材料

用真空烧结工艺制备了ZrO2（Y2O3）／Al2O3复合材料，分析了ZrO2（3Y）和ZrO2（2Y）含量对Al2O3基陶瓷烧结相对密度、显微结构及相变行为的影响．结果表明：Zro2（Y2O3）的含量对t-ZrO2→m-ZrO2相变量有影响，ZrO2（3Y）和ZrO2（2Y）含量（体积分数）分别为15％和20％时，烧结试样相对密度分别为99．6％和98．5％，ZrO2的晶粒平均尺寸分别为1．1μm和1．8μm，样品断裂前后的最大相变量（体积分数）分别是Vt→m=44％和Vt→m=18％．     

ZrO2陶瓷t→m相变增韧的研究回顾与展望

回顾了国内外学者对ZrO2陶瓷相变增韧机制的理论研究,并对ZrO2陶瓷相变增韧机制的未来研究方向进行了展望.     

钎具用钢22Si2MnCrNi2MoA连续冷却相变的组织变化

用Gleeble-1500热模拟试验机研究钎具用钢22 Si2M nC rNi2M oA连续冷却相变组织变化规律,包括静态和动态连续冷却相变规律等,分析了合金元素作用、冷却速度和热变形对CCT曲线、相变组织及性能的影响.结果表明:Mn、Cr、Mo、Ni等元素的加入是为了使22Si2MnCrNi2MoA钢可以在较宽的冷却速度范围内得到马氏体+贝氏体为主的复相组织;随着冷却速度的增加,变形促进多边形铁素体形成的能力将得到削弱,而变形促进贝氏体形成的能力将得到加强,且贝氏体的形态发生了变化.热变形促进了铁素体和贝氏体相变,细化了贝氏体板条,变形促使马氏体相变转变开始温度略微降低.     

Cu-Zn-Al合金马氏体稳定化与母相有序态SCIEI

采用X射线衍射和内耗测量研究了Cu-Zn-Al合金不同热处理条件对马氏体相变和母相有序态的影响。研究表明,“淬火-时效”试样从室温加热到320℃马氏体完全消失为止始终未发生逆相变。分级淬火短期等温试样出现B2?9R和DO_3?18R两种马氏体相变共存。随着等温时间的增长,B2?9R相变消失,与此同时DO_3?18R相变增强。然而,淬火后立即上淬到100—150℃等温的试样只出现B2?9R相变,即使等温时间增长也能继续保持。显然,从高温快冷不能抑制A2?B2有序,却可以抑制B2?DO_3有序。虽然分级和上淬处理时母相所处的湿度相同,但其有序态却各异,足够的空位浓度是发生B2?DO_3有序转变的必要条件。文中讨论了Cu-Zn-Al合金马氏体稳定化的可能机制。     

25Cr2Ni2MoV钢焊接接头中焊缝及母材的热膨胀特性

利用BAEHER DIL805高精度差分膨胀仪模拟焊接热循环,分别测量了25Cr2Ni2MoV钢焊接接头中焊缝和母材在焊接条件下的热膨胀特性。结果表明,焊缝金属和母材加热至770～870℃时发生奥氏体相变,应变增量Δε=-0.9×10-3,焊缝金属冷却至470～300℃时发生贝氏体相变,最大应变增量Δε=3.09×10-3,母材金属冷却至360～160℃发生马氏体相变,最大应变增量Δε=3.17×10-3。     

用相变方法制取高纯度超细钽粉的研究

报导了通过相变热处理使Ｋ２ＴａＦ７晶体参数发生变化，以利于制取高纯度超细钽粉的实验依据和结果。结果表明，Ｋ２ＴａＦ７在２００～２５０℃发生可逆相变；相变后Ｋ２ＴａＦ７晶体的粒径可由原来的１３５１．８μｍ减小至７０．８μｍ，极大地提高了比表面积；相变后，杂质极大挥发，提高了Ｋ２ＴａＦ７的纯度。     

Al对ZrO_2增韧Si_3N_4烧结体的相变及性能的影响

在高温 (140 0℃ )、超高压 (4.2GPa)条件下制备了Al ZrO2 (Y2 O3 ) Si3 N4 烧结体。采用XRD分析及力学强度测试等方法 ,研究了Al对ZrO2 相变能力及ZrO2 增韧烧结体作用的影响。结果表明 :在烧结体中加入 2 %Al,利用Al与N反应生成AlN可阻止Zr O N化合物生成 ,避免ZrO2 在Si3 N4 基体中被N稳定生成不可相变t′ ZrO2 ,提高ZrO2 的t→m相变能力 ,使ZrO2 起到增韧氮化硅烧结体的作用 ;当Y2 O3 含量为 2 %～ 2 .5 % (摩尔分数 )时 ,烧结体抗压强度及断裂韧性均较高 ,ZrO2 相变增韧作用最大。     

高岭石中SiO2在高压溶出过程中相变行为的研究

用试验方法研究了高岭石中SiO_2在高压溶出过程里生成的新相与相变规律及溶出条件的关系;并用计算的热力学结果证明了试验相变的合理性。     

ZrO2基陶瓷的t—m马氏体相变异相界面电子结构

分析了ZrO2的两种晶体结构(正方与单斜)中的共价键络，并根据“固体与分子经验电子理论”，在一级近似下计算出了ZrO2陶瓷中t—m马氏体相变后存在位相关系(100)m∥(110)t界面的价电子密度。计算结果表明，t—ZrO2中(110)t晶面上的平均价电子密度为0．003 720nm^—2，m—ZrO2中(100)m晶面上的平均价电子密度为0．003 617nm^—2，两者相差仅2．77％，可见ZrO2的马氏体相变后m—ZrO2与t—ZrO2的相界面上的平均价电子密度是连续的，表明余氏理论和程氏理论对无机非金属材料也是适用的。     

La2NiO4.147体系相变的低频内耗

通过电化学加氧方法获得额外氧含量δ=0．147、结构为Fmmm的La2NiO4 δ样品，低频内耗测量表明，400K温区附近存在一个相变内耗峰，它对应体系从低温正交Fmmm相到高温四方I4／mmm相的转变，模量和内耗的升、降温回滞现象反映此相变为一级相变．变频和改变升温速率内耗实验表明，内耗峰高与测试频率成反比，与升温速率成正比，具有马氏体相转变特征，低δ值的La2NiO4 δ样品无此相变峰，说明此峰应与低温正交Fmmm相中额外氧的三维有序变化相关。     

18Cr2Ni4WA钢大型轴类零件锻后热处理工艺分析

根据对18Cr2Ni4WA钢N相变规律的研究，对用该钢锻制的船用大型舵灿锻后热处理工艺进行了改进，分析了新工艺的合理性。     

液相沉淀法制备VO2纳米粉及晶化过程研究

研究了以VOSO4为前驱体，应用液相沉淀法制取VO2纳米粉的制粉技术以及VO2粉末的晶化过程，采用TGA，DSC，XRD，TEM等测试手段对所得粉的物理特性进行了测试分析。试验结果表明：所制取的VO2粉末颗粒粒径介于10nm-30nm之间，该粉体经400％真空热处理10h可完全实现晶化，相变温度为65％。     

掺钨VO2薄膜制备及其热致相变特性研究

采用无机溶胶.凝胶法,以钨酸氨和V2O3的为原料在高温下共熔水淬实现钨掺杂,在云母片(001)表面制备W 掺杂VO2薄膜.采用AFM、XS、XPD分析了薄膜形貌和微观结构,利用FTIR检测薄膜在不同温度下的红外透过率,确定W掺杂薄膜的相变温度.结果表明,钨元素以W6 形式掺入VO2晶体,取代晶格中部分V原子.掺杂后VO2薄膜的半导体一金属相变温度明显下降,每掺入1%W6 ,VO2薄膜相变温度下降19.8℃.当掺入W6 量为2.04%,其相变温度下降到28℃.     

NH4Cl对以碳酸铝铵为前驱体的氧化铝α相变的影响

利用NH4Cl其分解时释放气体的特点控制以碳酸铝铵为前驱体的氧化铝α相变过程中的团聚。采用DTA、XRD、SEM和粒度分析等手段研究了在升温过程中其对氧化铝α相变过程及产物的影响。结果表明，由于NH4Cl在分解时释放气体所产生的冲击作用，相变过程中团聚受到削弱，相变产物的粒径和晶粒尺寸都有所减小。但是氧化铝α相变温度并未有明显下降。     

共溅射氧化法制备掺钼VO_2及其相变特性

采用共溅射氧化法,在普通玻璃衬底上室温直流溅射沉积钒钼金属薄膜,再在大气环境下经热氧化处理获得掺钼VO2薄膜。通过XRD、SEM、热致相变电学特性等分析,研究制备工艺及掺杂改性对掺钼VO2薄膜的微结构、形貌、热滞回线和相变温度的影响。实验与分析结果表明,与相同厚度的纯VO2薄膜相比,钼掺杂显著改变了VO2薄膜的表面形貌特征,掺钼VO2薄膜呈多晶态且沿VO2(002)择优取向生长,结晶性和取向性明显提高,薄膜的相变温度降低至38℃,热滞回线宽度收窄约至8℃。低温共溅射氧化法制备的掺钼VO2薄膜的热阻效应明显,薄膜的金属-半导体相变特性良好。     

正交Li1-xMnO2(0≤x≤0.95)首次充电过程中物相及结构的演变

用高精度非原位XRD结合Rietveld精修对正交Li1-xMnO2(简写为o-Li1-xMnO2,0≤x≤0.95)在首次充电(电化学脱锂)过程中物相及结构的演变进行了研究。结果表明,o-LiMnO2电极的电压升高速率与其结构的变化有关;随着电化学脱锂o-LiMnO2发生一系列相变。证实了文献的理论计算和由晶体学推测出的相变过程,即相变产物中先后出现岩盐型锰酸锂和类尖晶石型锰酸锂。相变结束后,产物中只有岩盐型和类尖晶石锰酸锂2种物相。随着充电的进行,都有Li+从岩盐型和类尖晶石锰酸锂晶格中脱出,二者晶胞参数逐渐变小,微结构也不断变化。     

相变内耗与伪滞弹性

Fe-Ni-C在扩散型(珠光体)相变时呈现较高的内耗峰，说明相界面(尤其是高能相界面)的运动对相变内耗起到重要作用，建议建立一个内耗峰值与相界面能量之间的关系式，Fe-Ni-C中贝氏体相变的内耗特征与珠光体的相似，贝氏体相变孕育期内已发现相变内耗峰．结合溶质区的实验结果，证明贝氏体相变系扩散形核马氏体相变中相界面能量较低，导致其内耗峰值低于扩散型相变的峰值．马氏体相变的软模现象为相变形核机制提供启迪．fcc→hcp反铁磁相变抑制了马氏体相变动力学，但促发了fcc→fct相变，在ZrO2-CeO2一Y2O3陶瓷中，因m→t逆相变而引起的滞弹性可称其为伪滞弹性，其弛豫时间长达数日之久。     

Gd3+掺杂La2Mo2O9的相稳定性及热导率

La2Mo2O9具有极低的热导率,但其在580℃左右会发生α-β相变,严重影响其性能和应用。本实验以Gd203掺杂La2Mo2O9制备了一系列La2-xGdxMo2O9 (x=0.0~0.5)固溶体,研究了掺杂Gd3+对La2Mo2O9相稳定性和热导率的影响。结果表明,随着Gd3+掺杂量的增加,相变得到有效抑制,当x≥0.2时样品以β相存在。样品的热导率随Gd3+掺杂量的增加先减小后增加,室温下在x=0.2时达到最低,此后缓慢上升,但所有样品的热导率均小于1 W/(m·K)。