溶胶-凝胶法制备ZAO薄膜研究

研究了用溶胶-凝胶法制备ZAO薄膜的工艺、掺杂及其显微结构.用六水合氯化铝在溶胶中引入Al2O3.掺杂Al的含量为1%,3%,6%和9%.用浸涂法在石英玻璃基片上浸涂ZnAO薄膜,研究了热处理、掺杂对ZAO薄膜相组成和显微结构的影响.X射线衍射结果表明,衍射图谱中无Al2O3的衍射峰.随着掺杂量的变化,ZnO主要衍射峰的位置、晶面间距均发生了有规律的变化,说明Al掺杂进了ZnO晶格中.研究结果表明,溶胶浓度、Al掺杂量、热处理温度都影响薄膜的显微结构.当薄膜厚度较大时,热处理过程中ZnO晶粒呈现明显的择优生长现象.     

Al掺杂ZnO薄膜的制备及红外光学性能的研究

采用溶胶-凝胶法合成Al掺杂ZnO胶体,通过浸涂法在石英衬底上制备不同退火温度的ZAO薄膜.通过XRD、FT-IR、IR-2型红外辐射仪等手段对薄膜进行表征并研究不同工艺条件对薄膜红外性能的影响.结果显示,Al的掺杂并未改变ZnO的晶型结构,薄膜材料具有沿(002)晶面趋向性生长的特点.ZAO薄膜在可见光区具有高透过率,平均透过率在80%左右,在红外波段具有较高的透过率,所得到的ZAO薄膜在红外波段具有较低的发射率.     

掺铝氧化锌薄膜的红外性能及机制

采用中频交流磁控溅射氧化锌铝(ZnO 2％Al2O3)陶瓷靶材的方法制备了掺铝氧化锌ZAO(ZnO：Al)薄膜．利用红外光谱仪测试了薄膜的红外反射性能,研究了薄膜厚度、基体温度和氩气压力对ZAO薄膜红外反射性能的影响规律,确定了制备具有高红外反射率的ZAO薄膜的工艺参数．     

Sb2O3/CeO2共掺杂ZnO薄膜的研究

采用射频磁控溅射技术制备Sb2O3/CeO2共掺杂ZnO薄膜,研究了薄膜的结构及紫外光吸收性能.结果表明:Sb2O3和CeO2共同掺入ZnO薄膜后,ZnO(002)晶面的XRD衍射峰强度明显下降,ZnO薄膜呈混晶方式生长;共掺杂ZnO薄膜的紫外吸收性能明显优于纯ZnO薄膜,Sb对掺杂ZnO薄膜的结构和紫外吸收性能的影响...     

溶胶-凝胶法制备Y2O3掺杂ZnO压敏薄膜及其电性能（英文）

研究溶胶-凝胶法制备不同浓度Y2O3掺杂对ZnO-Bi2O3压敏薄膜微观结构和电性能的影响。研究结果表明:Y2O3掺杂ZnO薄膜在750°C空气气氛下退火1h,ZnO薄膜的特征峰与ZnO的六方纤锌矿结构相匹配;ZnO晶粒直径随着掺杂量的增加而减小,Y2O3稀土掺杂氧化锌晶粒细化;薄膜厚度均匀且每一层厚度约80nm。研究结果还表明:当Y3+掺杂浓度为0.2%(摩尔分数)时,ZnO薄膜的非线性伏安特性最好,其漏电流为0.46mA,电位梯度为110V/mm,非线性系数为3.1。     

溶胶-凝胶法制备Y_2O_3掺杂ZnO压敏薄膜及其电性能(英文)

研究溶胶-凝胶法制备不同浓度Y2O3掺杂对ZnO-Bi2O3压敏薄膜微观结构和电性能的影响。研究结果表明:Y2O3掺杂ZnO薄膜在750°C空气气氛下退火1h,ZnO薄膜的特征峰与ZnO的六方纤锌矿结构相匹配;ZnO晶粒直径随着掺杂量的增加而减小,Y2O3稀土掺杂氧化锌晶粒细化;薄膜厚度均匀且每一层厚度约80nm。研究结果还表明:当Y3+掺杂浓度为0.2%(摩尔分数)时,ZnO薄膜的非线性伏安特性最好,其漏电流为0.46mA,电位梯度为110V/mm,非线性系数为3.1。     

Al-Ag弱掺杂ZnO薄膜的结构和光学特性

采用溶胶凝胶法制备了Al-Ag共掺杂的ZnO薄膜,研究了该ZnO薄膜的表面形貌、微结构和光学性质。结果表明,通过改变Al、Ag掺杂量与Zn的比值,ZnO薄膜呈现出良好的C轴取向。     

ITO薄膜的光学性能研究

采用溶胶-凝胶法制备了ITO薄膜，并对溶胶-凝胶法中Sn掺杂量、后续热处理温度以及热处理时间3种工艺参数对ITO薄膜可见光区透射率的影响进行了分析和研究。研究结果表明：w(Sn)掺杂量小于10％时，ITO薄膜的透射率下降缓慢，掺杂量大于10％后，薄膜的透射率急剧下降；随着热处理时间的延长，ITO薄膜的透射率直线型下降；热处理温度与ITO薄膜透射率呈曲线关系，热处理温度为500℃时，ITO薄膜的透射率出现最大值。     

Al掺杂ZnO薄膜的热处理工艺与性能研究

采用陶瓷烧结靶材、射频磁控溅射法制备了(002)择优取向的Al掺杂ZnO薄膜,着重研究了不同的热处理工艺对显微结构、光电性能的影响。结果表明,真空400℃退火能大幅提高ZAO薄膜的导电性能,并保持其平均透光率在85%以上,而非真空退火(大气环境)将使ZAO薄膜材料绝缘化,400℃真空退火时间或退火次数对导电性能无明显影响,但随退火时间和退火次数的增加薄膜组织恶化,在真空循环退火条件下尤为严重;经400℃真空退火的薄膜样品,其最低电阻率达8.4×10-4Ω.cm。     

ZnO:Al透明导电薄膜微观结构及电学性能研究

采用溶胶凝胶法制备ZnO:Al薄膜,研究掺杂浓度、热处理温度对薄膜的结晶性能、微观形貌以及电学性能的影响。用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对其物相、结构和形貌进行分析,霍尔效应测量系统测试薄膜的电阻率。分析表明:在溶胶浓度为0.6mol/L,Al掺杂浓度为1.0%,前期热处理温度与后期热处理温度在400～450℃区域内,ZnO薄膜表面致密,晶体颗粒均匀,(002)晶面取向性好,且其表面电阻率最低,为47.17·cm。