铝型材挤压模具CAD/CAE/CAM集成系统研究

论述了铝型材挤压模具CAD／CAE／CAM集成系统的特点，介绍了CAD／CAE／CAM技术的应用现状，提出了CAD／CAE／CAM一体化导示图，指出了CAD／CAE／CAM集成系统的发展方向。     

模具CAD/CAM/CAE集成制造在铸造中的应用

介绍模具CAD／CAM／CAE集成制造系统在铸造模具中的应用，内容包括：基于UnigraphicsⅡ，ProCAST以及数控加工中心，三坐测量仪等软、硬件设备的模具CAD／CAM／CAE集成制造系统。利用该系统制造涡轮增压器铸造模具，克服传统方法的缺点，节省设计制造周期，提高产品生产品质和效率。     

压铸模CAD/CAE/CAM的现状与发展对策

分析了我国压铸模设计与制造的现状、存在的问题，介绍了国内外压铸模CAD／CAE／CAM技术的研究进展，根据我国压铸模CAD／CAE／CAM技术研究与开发存在的问题提出了加快发展我国压铸模CAD／CAE／CAM技术对策。     

硬质合金立铣刀CAD/CAE/CAM集成系统的实现

文章建立了CAD／CAE／CAM集成系统的总体框架，实现了资源数据的管理。采用基于特征的建模技术，应用计算机辅助设计、有限元分析及加工制造相关理论和技术，完成了“硬质合金立铣刀CAD／CAE／CAM集成系统”的开发。     

压铸模CAD/CAE/CAM

介绍了压铸模CAD／CAE／CAM一体化技术的主要内容和实现CAD／CAE／CAM一体化的技术路线。实践应用表明，CAD／CAE／CAM一体化技术能有效地指导压铸模具的设计、模拟分析与制造过程，提高模具结构的合理性、准确性和加工精度，服务于实际压铸件生产。     

空心型材分流组合挤压CAD／CAE模型的建立

通过对CAD／CAM软件和CAE软件的分析和集成，构筑了型材挤压CAD／CAE／CAM平台，并基于该平台进行了空心型材分流组合挤压的CAD建模、CAD／CAE信息传递和CAE建模，为进一步分析型材挤压过程和优化模具参数打下了基础。     

ANSYS二次开发在铝型材挤压中的应用

通过系统集成和二次开发，建立了其于UG和ANSYS的铝型材挤压模CAD／CAE／CAM系统，并对分流组合模进行了CAD／CAE／CAM研究，有效提高了模具设计制造效率。     

CAD/CAM集成技术在冲压模具生产中的应用

介绍了CAD／CAM集成技术在冲压模具生产中的作用，论述了现代冲压件对CAD／CAE／CAM集成的要求及方法。     

注射模CAD/CAE/CAM系统集成

现代科学技术的发展，特别是塑料流变学、计算机技术、几何造型和数控加工的突飞猛进为塑料注射模CAD／CAE／CAM技术的发展创造了条件。在网络环境下，建立在数据共享基础上的CAD／CAE／CAM系统集成，对有效地运用现代设计、分析与制造手段，寻找模具设计制造过程的理想运行模式具有重要意义。     

铸造CAD/CAE/CAM一体化技术

介绍了铸造过程CAD/CAE/CAM一体化技术的主要内容;论述了基于通用三维CAD软件平台进行二次开发,建立三维铸造工艺CAD系统,以得到基于铸造工艺基本特征的统一的数据模型,从而实现CAD/CAE/CAM之间信息共享的途径.实践表明,一体化技术能有效地应用于铸造模具的设计、模拟分析与制造过程,服务于实际铸件生产.     

CAD／CAE／CAM／PDM应用分析

分析了CAD／CAE／CAMP／PDM的作用和关系,介绍了常用CAD／CAE／CAMPDM软件及选型方法,为企业建立和应用CAD／CAE／CAM／PDM提供了依据。     

铸造CAD／CAE／ES／PDM／ERP一体化及集成技术研究

详细阐述了支持铸造工艺设计、工艺优化、工艺信息管理、企业管理的系统研究与应用特点,在此基础上提出了基于PDM平台的铸造CAD／CAE／ES／PDM／ERP一体化框架体系,在华铸实验室现有软件体系（华铸CAE／CAD／PDM／ERP）及应用的基础上,设计与实现了一体化系统关键点及其集成技术。最后,以若干实际案例来证明本研究一体化系统的实用性。     

基于RE/CAD/CAM的模具一体化技术研究

主要介绍了在利用3D数字化测量仪测量出轮廓坐标值的基础上，将实物模型转化为CAD模型，并由CAM系统产生刀具的NC加工路径及CNC机床加工所需模具的RE／CAD／CAM一体化技术全过程。本文还以实例对RE／CAD／CAM作进一步阐明。     

Fe/Ni/Cu/Ag合金粉末的制备研究

本文采用共沉淀方法制备了Fe/Ni/Cu/Ag合金粉的前驱体粉,考察了搅拌强度、滴定终点的pH值、反应时间以及反应温度对前驱体粉回收率的影响,并通过3因素3水平的正交实验,优化了工艺条件;采用氢还原方法制备了Fe/Ni/Cu/Ag合金粉末,考察了还原温度对转化率和颗粒粒径的影响。实验结果表明：滴定终点的pH值对前驱体粉的回收率的影响最大,其次是反应时间、搅拌强度和反应温度。共沉淀法制备前驱体粉的工艺条件为：pH值11,反应时间35 min,搅拌强度2000 rpm,反应温度30℃;氢还原温度越高,转化率随时间的变化越快,金属颗粒的粒径越大。制备合金粉末的工艺条件：还原温度800℃,还原时间23 min。     

基于CAD的CAE／CAD／BOM集成系统的研究

为了实现基于CAD的CAE、CAD和BOM集成系统的开发,论述了集成的必要性和集成系统的开发原则,分析了集成系统的功能、模块结构、数据流程、功能模块结合方式和BOM子系统数据获得方式,最后阐述了系统的集成和集成系统的检测.     

Pdx-Co/C催化甲酸的电氧化性能研究

以活性碳(Vulcan XC-72)为载体,用化学还原法制备了不同Pd/Co摩尔比的Pdx-Co/C催化剂。用透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)及X射线光电子能谱(XPS)对催化剂进行了表征,采用循环伏安法考察了催化剂对甲酸电氧化反应的催化性能。结果表明,Pdx-Co复合催化剂粒子均匀分散在碳载体表面;催化剂中掺入的少量Co元素部分进入Pd晶格,形成了Pd-Co合金;随着Pd/Co摩尔比的增加,Pd颗粒粒径先增大后减小,催化活性也表现出相同的变化趋势;当Pd:Co=8:1时,所得Pd8-Co/C对甲酸氧化的催化活性最高,峰电流密度可达到15.907 mA/cm²。     

TiN／Ti／SiO2／Si基板的分电极酸性化学镀铜

讨论了对TiNi／Ti／SiO2／Si基板在HF＋CuSO4中采用分离双电极方法的化学酸性镀铜。Si基板和TiNUTi／SiO2／Si基板分别作为化学镀的阳极和阴极，在开路条件下进行化学镀。最佳化学镀反应条件为电极相距0．5mm，[HF]和[CuSO4]大于8％（质量分数）和0．045mol／L。最后得到覆盖率高、晶粒大小均一、结构致密、具有〈111〉择优取向的Cu膜，且Cu膜中不含Cu2O，降低了电阻率。     

锌对SnxZn/Cu界面微空洞的影响

通过向锡钎料中添加不同含量的Zn元素,系统研究了锌对SnxZn/Cu(x=0,0.2,0.5,0.8(质量分数,％))界面处柯肯达尔空洞形成的影响.结果表明,经热老化处理后,纯Sn/Cu接头中的Cu3 Sn层和Cu3 Sn/Cu界面出现了大量柯肯达尔空洞.然而随着Zn元素含量的增加,反应界面处的Cu3Sn层逐渐变薄甚至消失,柯肯达尔空洞也随之显著减少或消失;锌在反应界面处的富集现象越来越显著.锌参与了界面反应,形成了(Cu,Zn)6Sn5相、Cu6(Sn,Zn)5相和Cu-Zn固溶合金,其中Cu-Zn固溶合金层可以显著影响铜的界面扩散.Zn元素直接参与了界面扩散,在很大程度上缓和铜和锡的不平衡扩散,从而有效抑制了柯肯达尔空洞的形成.     

柔性AZO/NiCr/Ag/NiCr/AZO透明导电玻璃结构对性能的影响

目的 室温制备柔性透明导电玻璃并提高其光电性能。方法 采用直流磁控溅射法，以柔性玻璃为基底，在室温下沉积(Aluminum-doped ZnO,AZO)/Ni Cr/Ag/NiCr/AZO多层结构透明导电玻璃。通过探针轮廓仪测试、X射线衍射仪(X-ray diffraction,XRD)测试、拉曼光谱仪测试、分光光度计测量、四探针测试和霍尔效应测试，分别获得了样品的各层薄膜厚度、X射线衍射图谱、拉曼光谱、透光率、方块电阻和电学性能。经过参数优化，选取Ag膜厚度为3～15 nm的样品，研究Ag膜厚度对玻璃样品的结构特征及光电性能的影响。结果 样品光电性能与Ag层厚度密切相关，随着中间Ag层厚度的增加，样品在380～760 nm波长范围内的平均光透光率先增加后降低，吸收边依次发生了红移，样品的方块电阻则随着Ag层厚度的增加单调减小。Ag膜厚度为12nm的样品综合光电性能最佳，其平均透光率为82.4%，载流子浓度为8.32×10²¹cm^-3，载流子迁移率为8.21 cm²/(V·s)，电阻率为9.15×10^-5     

Effects of illumination on capacitance characteristics of Au/3C-SiC/p-Si/Al diode

Au/3C-SiC/p-Si/Al Schottky barrier diode was prepared using atmospheric pressure chemical vapor deposition technique. The device parameters such as barrier height, ideality factor, and series resistance were calculated using current-voltage characteristics, and were found to be 0.44 eV, 1.55, and 1.02 × 10⁴ Ω, respectively. The photocapacitive properties of the diode were studied under various illumination intensities. The transient photocapacitance measurements indicate that the capacitance of the Au/3C-SiC/p-Si/Al Schottky diode is very sensitive to illumination. The photocapacitance of the diode increases with increase in illumination intensity. The increase in photocapacitance with increase in illumination intensity suggests that these devices could be utilized as a photocapacitive sensor for optical sensors.