类p—i—n结构n^＋（μc—Si：H）／p（poly—Si）p^＋（poly—Si）薄膜太阳电池的热平衡

通过应用Ｓｃｈａｒｆｅｔｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法，数值求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，对热平衡态ｎ＾－（μｃ－Ｓｉ：Ｈ）／ｐ（ｐｏｌｙ－Ｓｉ）ｐ＾＋（ｐｏｌｙ－Ｓｉ）薄膜太阳电池进行计算机数值模拟。     

400cm2 a-Si/a-Si叠层太阳电池的研究

以全部国产化装备和工业用原材料，以简单铝背电极制备出初始效率为８．２８％，经室外阳光照射一年后稳定效率为７．３５％，面积为２０ｃｍ×２０ｃｍ，有效面积为３６０ｃｍ２ａ－Ｓｉ／ａ－Ｓｉ叠层太阳电池。主要制备技术措施：（１）ＴＣＯ／ｐ界面接触特性的改善；（２）μｃ－ＳｉＣ∶Ｈ／ａ－ＳｉＣ∶Ｈ复合窗口层技术；（３）ｐ／ｉ界面Ｈ处理；（４）高质量本征ａ－Ｓｉ∶Ｈ材料；（５）优良的ｎ１／ｐ２隧道结；（６）最佳电池结构设计等。     

SnO_2／p接触特性对a－Si太阳电池填充因子的影响

用ＰＥＣＶＤ方法制备出高电导率（～０．２ｓｃｍ－１）、宽带隙（～２．２ｅＶ）的Ｐ型微晶化硅碳合金（ｐ－μｃ－ＳｉＣ：Ｈ）薄膜材料。利用ｐ－μＣ－ＳｉＣ：Ｈ／ｐ－ａ－Ｓｉ：Ｈ复合结构做ａ－Ｓｉ太阳电池的窗口材料，明显改善了ＳｎＯ２／ｐ之间的接触特性，从而使１０ｃｍ×１０ｃｍ单结集成型电池的填充因子从０．７０以下提高到０．７２。     

p／i界面的缓变层对大面积（2790cm^2）a—Si：H太阳电池性能影响的研究

报道了在大面积（２７９０ｃｍ２）ｐ－ｉ－ｎ型ａ－Ｓｉ∶Ｈ异质结太阳电池ｐ／ｉ界面之间引入缓变层（ＣＧＬ∶Ｃ，ＣＧＬ∶Ｂ∶Ｃ）对电池性能影响的研究结果。实验发现，带有ＣＧＬ∶Ｃ的ａ－Ｓｉ∶Ｈ太阳电池性能的改善主要来源于开路电压的提高，带有ＣＧＬ∶Ｂ∶Ｃ的ａ－Ｓｉ∶Ｈ太阳电池性能的提高主要来源于填充因子ＦＦ的增加。提出了带有缓变层ａ－Ｓｉ∶Ｈ电池的能带模型，据此分析了ｐ／ｉ结附近载流子的复合动力学过程，从理论上解释了实验中所发现的现象。     

RTCVD工艺制备poly—Si薄膜太阳电池的研究

报道了快速热化学气相沉积（ＲＴＣＶＤ）工艺制备多晶硅（ｐｏｌｙ－Ｓｉ）薄膜及电池的实验和结果。采用ＳｉＨ２Ｃｌ２作为原料气体，衬底温度为１０３０℃时，薄膜的生长速率为１０ｎｍ／ｓ。发现薄膜的平均晶粒度及载流子迁移率与衬底温度和材料有关。用该薄膜在未抛光重掺杂磷的硅衬底上制备１ｃｍ２的ｐ＋ｎ结样品电池，无减反射涂层，其转换效率为４．５４％（ＡＭ１．５，１００ｍＷ／ｃｍ２，２５℃）。     

PIN型非晶硅太阳电池中的空间电荷效应——太阳电池光致性能衰退的计算机...

通过应用Ｓｃｈａｒｆｅｔｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法数值求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，对经高强度光辐照过的ＰＩＮ型非晶硅太阳电池进行计算机数值模拟。结果表明，经光辐照过的ＰＩＮ型非晶硅太阳电池的空间电荷效应主要表现在ｉ层中正空间电荷的增加，使电场分布向ｐ＋／ｉ结面集中，在靠近ｎ＋／ｉ结附近区域内出现准中性区（低场“死层”），导致有源区内光生载流子收集率的减少和电池性能因光的长期辐照而衰退，支持了光辐照下电池     

PIN型非晶硅太阳电池中的空间电荷效应──太阳电池光致性能衰退的计算机模拟

通过应用Ｓｃｈａｒｆｅｔｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法数值求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，对经高强度光辐照过的ＰＩＮ型非晶硅太阳电池进行计算机数值模拟。结果表明，经光辐照过的ＰＩＮ型非晶硅太阳电池的空间电荷效应主要表现在ｉ层中正空间电有的增加，使电场分布向ｐ＋／ｉ结面集中，在靠近ｎ＋／ｉ结附近区域内出现准中性区（低场＂死层＂），导致有源区内光生载流子收集率的减少和电池性能因光的长期辐照而衰退，支持了光辐照下电池中电场分布的改变（空间电场效应）是引起电池性能衰退的物理机制。但在薄ｉ层的ＰＩＮ型非晶硅太阳电池中空间电荷对电池内电场调制的体效应已很微弱，这是该电池结构可获得高稳定性能的原因。     

乙烯对纳米硅碳薄膜晶化的影响

在等离子体化学气相沉积系统中采用高氢稀释硅烷加乙烯法制备了ｎｃ－ＳｉＣｘ：Ｈ薄膜。系统研究了Ｃ２Ｈ４／（Ｃ２Ｈ４＋ＳｉＨ４）（Ｘｃ）气体流量比对ｎｃ－ＳｉＣｘ：Ｈ薄膜的晶化和其它不龟性能的影响。     

大面积集成型a－SiC：H／a－Si：H叠层太阳电池的研制

报道了大面积（２７９０ｃｍ２）集成型ａ－ＳｉＣ：Ｈ／ａ－Ｓｉ：Ｈ叠层太阳电池的研制及稳定性实验结果，讨论了限制该电池效率的一些因素。实验电池的性能参数：Ｖｏｃ＝４０．８Ｖ，ＩＳＣ＝５３０．４０ｍＡ，ＦＦ＝４９．４％，有效面积（２２８０ｃｍ２）光电转换效率ＥＦ＝４．６９％（ＡＭ１．５，１００ｍＷｃｍ－２，２５℃）。制备出光电子学性能优良的ａ－ＳｉＣ：Ｈ薄膜及解决电池内部ｎ／Ｐ结的接触问题是提高该电池性能的关键。     

高效非晶硅叠层太阳电池的优化设计

研究了高效ａ－Ｓｉ／ａ－Ｓｉ／ａ－Ｓｉ－ＳｉＧｅ三结太阳电池的优化设计。电流匹配是影响二端子叠层太阳电池填充因子的关键因素，在内电极的ｐ／ｎ界面外附加载流子复合是由少数载流子浓度、界面态和ｐ／ｎ界面处材料的几何因素匹配决定的。利用适当的带隙匹配和ｉ层厚度匹配来实现ａ－Ｓｉ／ａ－Ｓｉ／ａ－ＳｉＧｅ三结太阳电池结构的最佳化，同时采用改善ｎ／ｉ界面特性的缓冲层技术，获得了Ｖｏｃ＝２．４８Ｖ，Ｊｓｃ＝６．     

类p-I-n结构n+(μc-Si∶H)/p(poly-Si)/p+(poly-Si)薄膜太阳电池的热平衡态特性数值分析

通过应用Scharfetter-Gummel解法,数值求解Poisson方程,对热平衡态n+(μc-Si∶H)/p(poly-Si)/p+(poly-Si)薄膜太阳电池进行计算机数值模拟.说明类p-i-n结构设计使电池获得了较高的短路电流JSC,而中间层p(poly-Si)的掺杂有利于提高电池的短波量子效率特性,还讨论了n+(μc-Si∶H)和p+(poly-Si)等层厚度对光生载流子收集的影响.     

由氧化层厚度估算化学反应扩散掺杂量的研究

在化学反应扩散制备ｐ／ｎ结的过程中，伴随生成的ＳｉＯ２薄膜的厚度与扩散进入硅中的掺杂量有确定的关系（ＱＳｉ＝ｃｄ），由此可由氧化层厚度简便地估算扩散掺杂量。     

激子和载流子输运的研究：Ⅱ.有机p—n异质结固态太阳电池

在实验工作的基础上，提出双层ｐ－ｎ异质结有机太阳电池中激子和载流子输运的理论模型。假设只有扩散到结区的激子和该区产生的激子，才对形成光电流有贡献。这些激子被有机／有机界面的内建场离解成自由载流子。而后，电子在北红（ｎ型有机半导体）层传导，空穴在酞菁（ｐ型有机半导体）层传导。据此，讨论了双层异质结电池的填充因子和光电转换效率均比单层肖特基型电池获得改善的机制。结合实验分析，认为在北红／酞菁异质结电池中北红（Ｍｅ－ＰＴＣ）层和酞菁（ＣｌＡｌＰｃ）层之间存在Ｆｏｒｓｔｅｒ能量转移。     

P型μC－SiC：H窗口材料掺杂特性的研究

用等离子体射频辉光放电法，在低衬底温度（＜１７０℃）、小ｒｆ功率（＜６０ｍＷｃｍ２）条件下，实现了硼掺杂硅碳合金薄膜材料的微晶化。获得了暗电导率σＤ～０．２ｓｃｍ－１、光带隙宽度Ｅｏｐｔ～２．２ｅＶ的ｐ型微晶氢化硅碳合金（μＣ－Ｓｉ：Ｂ：Ｈ）薄膜。晶化的关键是Ｈ２稀释率和掺杂水平的控制。对该材料的掺杂效应、光电特性以及掺杂水平对材料结构的影响进行了详细研究。     

Discussion on the Network Method for Calculating Radiant Interchange Within an Enclosure

ＤｉｓｃｕｓｓｉｏｎｏｎｔｈｅＮｅｔｗｏｒｋＭｅｔｈｏｄｆｏｒＣａｌｃｕｌａｔｉｎｇＲａｄｉａｎｔＩｎｔｅｒｃｈａｎｇｅＷｉｔｈｉｎａｎＥｎｃｌｏｓｕｒｅ￥Ｈ．Ｊ．Ｋａｎｇ；Ｗ．Ｑ．Ｔａｏ（ＳｃｈｏｏｌｏｆＥｎｅｒｇｙａｎｄＰｏｗｅｒＥｎｇｉｎｅｅｒ...     

快速汽相沉积法制备硅薄膜太阳电池

对在重掺杂抛光单晶硅衬底上用ＲＴＣＶＤ法形成硅薄膜太阳电池进行了研究。衬底为〈１００〉晶向ｐ＋ ＋ 型重掺硅片,电阻率为５×１０－ ３Ωｃｍ 。主要工艺过程为：在衬底上生长一层硅薄膜同时掺硼,膜厚３８μｍ ,扩磷制备ｐ－ｎ 结,背面蒸Ａｌ及Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｇ 制背电极,正表面在扩散后生长一层ＳｉＯ２ ,前面用光刻剥离法制备Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｇ 电极,制成的１ｃｍ ２ 太阳电池,开路电压ＶＯＣ＝ ６１２．８ｍ Ｖ,短路电流ＩＳＣ＝ ２９．３ｍ Ａ,填充因子ＦＦ＝ ０．７５７９,效率η＝ １３．６１。对一些影响电池特性的因素进行了研究,发现硅薄膜的掺杂浓度、发射层的掺杂浓度以及减反射层都对太阳电池的特性有较大影响。     

M／a—Si：H／SnO2结构双势垒的验证

给出了Ｍ／ａ－Ｓｉ∶Ｈ／ＳｎＯ２结构的平衡态能带图，用光电压法和Ｃ－Ｖ特性法对该结构的双势垒进行了实验验证。给出了背结的接触电势差，同时发现这种结构用作光电器件时小势垒的影响可以忽略。其中Ｃ－Ｖ特性及其判别法尚未见报导。     

An Approximate Model of Microchannel Cooling

ＡｎＡｐｐｒｏｘｉｍａｔｅＭｏｄｅｌｏｆＭｉｃｒｏｃｈａｎｎｅｌＣｏｏｌｉｎｇ￥ＳｈｉｐｉｎｇＹｕ；ＭｉｎｇｄａｏＸｉｎ（ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＴｈｅｒｍｏｐｈｙｓｉｃｓ，ＣｈｏｎｇｑｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｃｈｏｎｇｑｉｎ...     

A Numerical Model Prediction for Boiling Multi Channel Flow Rate Distribution andApplication in 600MW Supercritical Variable－Pressure Once－Through Boiler with Vertical Tube Coils

ＡＮｕｍｅｒｉｃａｌＭｏｄｅｌＰｒｅｄｉｃｔｉｏｎｆｏｒＢｏｉｌｉｎｇＭｕｌｔｉＣｈａｎｎｅｌＦｌｏｗＲａｔｅＤｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎａｎｄＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｉｎ６００ＭＷＳｕｐｅｒｃｒｉｔｉｃａｌＶａｒｉａｂｌｅ－ＰｒｅｓｓｕｒｅＯｎｃｅ－Ｔｈ...     

大面积a—Si：H太阳能电池薄膜均匀性的研究

本文对３０５×９１５ｍｍ规格单结ａ－Ｓｉ：Ｈ太阳能电池进行切割分析，指出同块电池上下同区域的“子电池”的电性能差异以及ａ－Ｓｉ：Ｈ太阳能电池在制造过程中产生这种不均匀性的工艺设备因素，最后提出改进措施，以提高大面积ａ－Ｓｉ：Ｈ太阳能电池的成膜质量。