三轴高精度磁阻磁强计的设计

针对隧道磁电阻传感器存在噪声过大的不足,采用锁相放大技术,对隧道磁电阻传感器输出信号的噪声进行抑制,设计了弱磁信号调理板和24位高精度模数转换板,并开发了基于Lab VIEW的多功能可视化系统软件。通过实验测试,该磁阻磁强计的探测精度可以达到亚n T级。     

各向异性磁电阻AMR在永磁同步电机控制中的应用

新能源汽车的永磁同步电机,基于定向矢量控制技术,电机转子位置传感器普遍采用磁阻式旋转变压器,相比传统技术,磁阻(MR)位置测量具有多种优势。可靠性、精度和整体鲁棒性是推动磁阻检测技术快速发展的主要因素。本文基于各向异性磁电阻AMR传感器低成本、相对较小的尺寸、非接触式操作、宽温度范围、对灰尘和光的不敏感性、宽磁场范围,这些特性在永磁同步电机控制中的应用前景广泛。相比与旋变传感器,体积更小,便于安装且成本更低。     

弱磁场AMR薄膜磁传感优化分析与测试

文中针对微型AMR传感器对弱磁场测量灵敏度及线性度低的问题,对微磁传感器磁电阻形状进行了分析,利用ANSYS软件仿真设计了相应的磁传感器并试验验证。仿真试验表明:设计的微型AMR薄膜传感器具有很好的线性度和灵敏度,可用于提高弱磁场的测量精度。改变电极结构,采用Barber偏置电极,AMR传感器的线性度在偏置角为45°时最优;将磁阻两端设计为尖角模型,使得磁电阻条沿薄膜表面长度方向的磁各向异性增强,提高了传感器的灵敏度。     

巨磁电阻效应自动测试系统研究

随着巨磁电阻效应(GMR)研究的广泛开展,方便、快速的磁电阻测试已成为研究GMR效应的基础。文中介绍了巨磁阻效应计算机自动测试系统平台的建立。对自旋阀和磁性隧道结材料测试结果表明,这里所建立的测试系统能方便、快捷地测试磁性多层膜材料的GMR效应。     

基于多采样频率的磁电阻效应测试方法研究

磁电阻效应特性曲线是一个具有脉冲特性的非线性曲线 ,在滤波和多采样频率间制定一个最优方案 ,可以改善磁电阻效应的测试。测量结果表明 ,该方法明显改善了磁电阻特性曲线 ,特别是在峰值或谷值附近 ,提高了对参数估计的精度     

巨磁电阻传感器对铁磁流体的动态检测

研究一种集成微流道的巨磁电阻(GMR)传感器对铁磁流体的动态检测.利用SU-8胶和PDMS键合在巨磁电阻传感器上集成微流道.铁磁流体为直径10 nm的Fe304悬浮溶液.巨磁电阻传感器通过直接测量铁磁流体流过有效检测区域时磁珠的感应场,实现对铁磁流体的动态检测.为使检测的灵敏度最大,综合考虑了外加磁场对传感器灵敏度和磁...     

InSb伪币检测传感器的研究

】文中介绍了以磁阻效应为工作原理的ＩｎＳｂ伪币检测传感器的设计和制作。这种传感器的主要特点是高分辨率、非接触、体积小、重量轻和使用寿命长。性能测试结果表明，在０．３Ｔ磁场内，磁阻灵敏度为１．８～３。     

带磁电阻位移传感器的新型电液伺服缸

带磁电阻位移传感器的电液伺服液压缸是国外最近几年才出现的一种新技术产品，该文旨在介绍这种最新的液压执行元件。     

巨磁阻传感器在管道漏磁检测中的应用

磁性传感器在无损检测中已经有了很大的应用，与传统的磁性传感器相比，巨磁阻传感器有着灵敏度高、可靠性好、测量范围宽、体积小，价格低等优点。介绍了巨磁阻传感器及其在输油管道缺陷漏磁信号检测中的应用，表明采用巨磁阻传感器的检测系统可以检测到管道壁上的微小缺陷。     

外延Ni薄膜及其各向异性磁电阻性能分析

本文分析了采用磁控溅射法在云母衬底外延生长Ni薄膜，结果表明，在不高于400℃时Ni薄膜可成功外延，Ni薄膜具有各向异性磁电阻效应，400℃制备的Ni薄膜各向异性磁电阻率达1.72%。此外，在曲率半径为10mm的条件下，经过104次弯曲循环后，各向异性磁电阻性能没有明显退化。     

Ni81Fe19层厚度对自旋阀巨磁电阻性能的影响

利用磁控溅射法,制备了一种上钉扎的标准自旋阀结构Ta(6nm)/Ni81Fe19/Co90Fe10(1nm)/Cu(1.8nm)/Co90Fe10(3.5nm)/Ir20Mn80(8nm)/Ta(6nm),并研究了自旋阀结构中Ni81Fe19层厚度对自旋阀巨磁电阻变化率的影响,发现巨磁电阻变化率对于Ni81Fe19层厚度具有强烈的依赖性.当Ni81Fe19层厚度位于2～6nm和7～12nm两个范围时,巨磁电阻变化率分别维持在较高(约8.34%)和较低(约3.34%)的两个水平,而当Ni81Fe19层厚度从6nm增加到7nm时,巨磁电阻变化率急剧降低,达5%.由此可见,为了得到高磁阻变化率,此类自旋阀结构中的Ni81Fe19层厚度不能超过6nm.     

固态压阻式压力传感器的计算机辅助分析与设计 二

五、传感器系统综合性能指标的 容差分析、容差设计及综合优化 压力传感器的基本特性参数如灵敏度、线性度、量程和零点误差以及零点温度漂移、灵敏度温度漂移、极限断裂应力和固有频率等,都不同程度地取决于材料类型、晶向、力学结构、几何尺寸、杂质浓度、容差控制等与压阻效应、力学结构和制作工艺有关的内容。如表1所示。灵敏度取决于晶向选择、力学结构类型、几何尺寸、电阻在膜片上的位置及杂质浓度等。非线性来自压阻效应的非线性及力学结构的应力非线性。为减小压阻效应的非线性的影响,力敏电阻所     

基于巨磁阻的金融机具传感器

与传统的磁敏传感器比较，巨磁阻传感器具有灵敏度高、可靠性好、测量范围宽、体积小、价格低等优点。介绍了巨磁阻传感器的工作原理和输出特性。以巨磁阻传感器为磁敏元件，研发成功国家专利产品点钞机的巨磁阻传感器。实践表明，采用巨磁阻传感器可以检测到各国不同纸币上的微小磁信号。     

基于FeSiB/PZT-82/FeSiB磁电复合材料的分芯闭环电流传感器研究北大核心CSCD

文中提出了一种分芯闭环磁电电流传感器,其由高磁导率、低磁滞的FeSiB/PZT-82/FeSiB磁电复合材料、3块硅钢磁芯和一对永磁体组成。为了实现磁电电流传感器的开合式安装,文中采用了分芯磁芯结构;载流导线产生的环形磁场经3块硅钢磁芯汇聚到FeSiB/PZT-82/FeSiB磁电复合材料,然后基于复合材料的磁-力-电多场耦合效应,实现载流导线电流传感。通过仿真和实验对比分析,分芯磁芯结构的磁场汇聚效应对FeSiB/PZT-82/FeSiB传感性能具有显著的提高。含有磁芯结构的分芯闭环磁电电流传感器在无源情况下,对工频(50 Hz)电流的测量灵敏度达到17.379 mV/A,约为无磁芯FeSiB/PZT-82/FeSiB磁电复合材料的35倍;在0~10 A测量范围内,具有良好的线性关系。结果表明:由于该传感器的优异性能和分芯闭环结构,其在工频小电流监测领域具有广阔的应用空间。     

先进磁电子材料和器件

总结了包括巨磁阻传感器、磁电耦合器件和磁性存储器件在内的几类主要的先进磁电子器件.分别介绍了这几类器件的材料、结构、工作原理和器件性能,以及它们的用途.在此基础之上,展望了磁电子材料和器件领域的发展前景和发展方向.     

磁敏角度传感器特性分析

设计了一种基于磁阻效应(AMR)和霍尔效应的角度传感器。论述了传感器的工作原理、电路组成及功能。传感器由磁阻芯片、霍尔芯片、放大以及滤波电路构成。通过旋转圆柱永磁体改变磁阻芯片、霍尔芯片周围磁场,引起传感器输出电压变化,进而测量旋转角度。在传感器结构设计中,对圆柱永磁体进行了磁场有限元分析,对角度传感器进行了试验标定与数据分析。测试结果表明:在0°~360°范围内,重复性误差为0.58%,迟滞误差为0.33%,综合误差为1.82%,达到了实际角度测量的要求。     

巨磁电阻材料

磁性金属和合金一般都有磁电阻现象,所谓磁电阻是指在一定磁场下电阻改变的现象,人们把这种现象称为磁电阻。所谓巨磁电阻就是指在一定的磁场下电阻急剧     

高精度金属薄膜磁电阻效应测试系统

概述了探针法金属薄膜磁电阻效应测试的原理;分析了探针因子对测量结果的影响;设计组装了金属薄膜磁电阻效应的高精度测试系统,并给出了微机控制软件的关键子程序。该系统集数据采样、数据处理、参数计算等功能于一体,用户界面友好、测试范围宽、精度高。系统软件还能显示和打印测量结果的数据曲线,并可生成标准数据文件供OR IG IN等数据处理软件调用。     

磁悬浮球形磁阻电动机转子位姿描述与检测研究

转子位姿检测是磁悬浮球形磁阻电动机运行的重要环节,它包括了转子的位置检测和姿态检测.在球形磁阻电动机上建立三维坐标系,推导出转子姿态的描述方法.提出基于径向位移传感器和角位移传感器计算转子姿态的方法,该方法通过球面的几何关系,由传感器检测出的数据计算出球体的姿态矩阵,通过坐标系的旋转与位置变换算出球体上任意-点的位置坐...     

SiO钝化膜制备工艺技术

介绍了利用真空蒸镀的方法制作SiO钝化膜的工艺技术，并对工艺中的关键工艺、出现的问题进行了分析，给出了解决方案。最后介绍了SiO作为钝化膜在低功耗磁阻传感器中的成功应用，包括SiO的蒸发工艺参数、光刻腐蚀工艺。低功耗磁阻传感器的敏感膜由CO、Ni薄膜组成，由于CO、Ni材料的特殊性(容易氧化)，以致常用的高温钝化膜不能应用在这一领域。SiO钝化膜的成功研制使得低功耗磁阻传感器的灵敏度和可靠性有较大程度的提高，生产成本也进一步降低。