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段磊 《仪表技术与传感器》2009,(12)
为研制新型耐高温和耐低温压力传感器,提出了一种基于SOS(蓝宝石上硅)技术制造的压力传感器.所述硅-蓝宝石压力传感器采用先封装再刻制应变电阻的新工艺,制成的应变电阻和补偿用热电阻精度高、质量好,且在整个工艺流程中不使用化学药品,对环境无污染.制成的硅-蓝宝石压力传感器,可以测量在-55~+400 ℃宽温区范围内的流体压力,并可以同时测量温度.给出了该传感器的试验数据,得到了比较满意的结果. 相似文献
3.
为满足建筑物振动监测等应用对小加速度信号测量的需求,采用带有微梁和支撑梁的敏感结构设计了一种压阻式小量程加速度传感器芯片,为弥补压阻式传感器测量小信号精度低这一不足,基于SOI技术设计了单晶硅应变电阻。利用有限元法对敏感芯片结构进行了仿真分析,给出了兼顾灵敏度与固有频率这两个技术指标的设计方法,以此确定了敏感芯片的尺寸参数,并分析了结构的响应特性。仿真结果表明,所设计量程为0.1g的加速度敏感芯片,其满量程输出约为34 mV,固有频率约264.3 Hz,交叉耦合为1.4%,过载可达87倍量程。 相似文献
4.
本文介绍了用于测量微小压力或流速的硅杯型集成传感器。它将敏感元件与信号放大电路以及恒流供电电路都集成在同一芯片内,实现了硅杯型压力传感器的单片集成。该集成传感器有较小的体积和较高的灵敏度,可用于测量小区域内的压力及流速分布情况。 相似文献
5.
压力、温度复合传感器技术研究 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了一种压力、温度复合传感器的主要研制加工技术.通过采用灵敏度温度自补偿技术、激光调阻技术、以及薄膜微电路加工工艺等关键技术和手段,在弹性体上制作薄膜应变电阻和薄膜温敏电阻,实现压力、温度双参数测量的功能.同时通过监测温度,可以进一步精确修正压力参数测量的特性方程. 相似文献
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耐高温压阻式压力传感器研究与进展 总被引:1,自引:0,他引:1
传统的硅扩散压阻式压力传感器用重掺杂4个P型硅应变电阻构成惠斯顿电桥的力敏检测模式,采用PN结隔离,高温压阻式压力传感器取消了PlN结隔离,与半导体集成电路平面工艺兼容,符合传感器的发展方向。根据力敏材料的分类,分别介绍了多晶硅中高温压力传感器、SiC高温压力传感器和单晶硅SOI(silicon on insulator)高温压力传感器的基本工作原理和国内外的发展现状,重点论述了BESOI(bonding and etch-backSOI)、SMARTCUT和SIMOX(separation by implanted oxygen)技术的SOI晶片加工工艺。以及由此晶片微机械加工成的芯片封装的高温微型压力传感器部分特性,对此领域的发展作了展望。 相似文献
7.
给出了一种压阻式冲击硅微机械加速度传感器的温度补偿与实现方法.该方法采用串并联电阻来补偿加速度传感器的零位温度漂移,采用在电源后串联二极管来补偿加速度传感器的灵敏度温度漂移.具体实现时,采用高低温试验机对加速度传感器的环境温度进行变化,通过检测系统测量出4个压敏电阻在高低温时的电阻值,运用软件计算出补偿电阻值、补偿电阻在桥路中的位置以及串联二极管的数量,并根据计算结果构建出了带温度补偿的传感器检测电路.测试结果表明,这一方法能有效补偿加速度传感器的温度漂移. 相似文献
8.
多晶硅纳米薄膜具有优越的应变灵敏特性和稳定的温度特性.为了使这种良好的压阻特性得到实际应用,文中给出了多晶硅纳米薄膜压阻式压力传感器的设计方法.根据多晶硅纳米薄膜压阻特性和硅杯腐蚀技术条件确定弹性膜片结构,并采用有限元分析方法对弹性膜片尺寸以及应变电阻分布进行了优化.依据优化设计结果试制了压力传感器芯片.实验表明该传感器工艺简单、高温特性好、灵敏度高. 相似文献
9.
李华 《仪器仪表与分析监测》1989,(1):27-30
一、前言由于硅适于制造各种传感器,这导致测量各种物理参数和化学参数的集成传感器发展很快。利用硅制造传感器的主要动机是硅器件可以进行批量生产,并且可以把传感器与信号处理电路集成在同一芯片,这就发展出所谓“智能传感器”。由于它们具备越来 相似文献