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采用了TSMC0.35μm CMOS工艺实现了可用于SONET/SDH2.5Gb/s和3.125Gb/s速率级光纤通信系统的限幅放大器。通过在芯片测试其最小输入动态范围可达8mVp—p,单端输出摆幅为400mVp-p,功耗250mW,含信号丢失检测功能,可以满足商用化光纤通信系统的使用标准。 相似文献
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乙烯直接氧化合成乙酸 总被引:2,自引:0,他引:2
用常规固定床反应器考察了Pd-SiW12/SiO2催化剂还原条件对乙烯直接氧化合成乙酸催化性能的影响。催化剂用H2在200-300℃还原后Pd 的分散度较高,其催化活性远高于肼在液相中还原的催化剂,在乙烯气相氧化合成乙酸反应的原料气中,适量1,2-二氯乙烷的存在有助于提高乙酸的选择性和时空产率,初步考察了Pd-Se-SiW12/SiO2催化剂连续206h运转的稳定性,结果表明,催化剂中Pd晶粒的长大和硅钨酸的流失是造成催化剂失活的主要原因。 相似文献
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地下环境中电子设备的腐蚀与防护 总被引:3,自引:0,他引:3
程环境中电子设备所承受的湿度、温度、腐蚀性气体、空气沉积物、微生物等环境应力因素及其腐蚀效应,概述总结了电子设备腐蚀机制及主要类型,并提出电子设备设计与使用中抑制腐蚀的措施. 相似文献
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新型铝酸酯光稳定剂的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
合成了五种新型铝酸酯光稳定剂并对其紫外吸收性能、荧光性能和热稳定性能进行了表征,探讨了光稳定剂结构、相对分子质量与其性能的关系,并验证它们的光稳定性及其在PE—LD中的光氧化稳定作用。还与紫外线吸收剂BAD和Tinuvin327进行了应用比较。 相似文献
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基于Galois FCSR进位寄存器的更新规律,抽象出一种理想的变化方式来刻画其进位分布情况,据此估计了进位为0的概率的下界,指出Galois FCSR的进位分布是不均衡的。 相似文献