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针对坦克水平向炮控伺服系统中存在的摩擦不确定因素及未建模动态,首先建立水平向炮控伺服系统的数学模型,将摩擦扰动和未建模动态视为一个综合扰动项,然后利用扩张状态观测器对综合扰动项进行观测和补偿,并将扩张状态观测器(ESO)补偿回路作为经典PID控制方法的内回路,实现ESO-PID的复合控制;最后对所用方法进行仿真,结果表明,在原有控制方法的基础上设计控制器,集合了PID控制算法的"被动抗扰"和自抗扰控制方法中扩张状态观测器的"主动抗扰"特性,能够在保持控制系统原有特性的基础上大幅度提高炮控系统的稳定精度以及低速性能。 相似文献
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依据IEEE1149.1标准,采用SOPC技术设计了一款高速的边界扫描主控器;用户可对该主控器进行配置,输出测试所需的控制信号,输出的测试时钟TCK频率可达50MHz,大大提高了边界扫描测试效率;同时,开发的具有自主知识产权的边界扫描主控器IP核为SOPC系统可测性设计提供了一个很有实际价值的组件,无需专用边界扫描测试设备即可实现对系统的边界扫描测试功能;经时序仿真波形和数字示波器观测结果验证,该边界扫描主控器所产生的测试信号符合测试要求,设计正确合理。 相似文献
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设计了一款适用于无线通讯系统的3.3 V,10位50 MS/s流水线型模数转换器。减小面积和功耗是设计的核心。通过运放共享技术,减小了芯片功耗和面积;使用耗尽型MOS管改进的CMOS开关替代栅压自举开关,节省了开关面积;采用薄栅器件作为主运放的输入管,提高了运放带宽,减小了运放的面积和功耗;采用耗尽型MOS管设计辅助运放,减小了辅助运放的功耗。基于华虹NEC 0.13 μm 1P6M CMOS工艺,ADC核心版图面积仅为0.2 mm2,功耗为45 mW;在50 MHz采样频率,11 MHz输入信号下,SFDR达78 dB,SNDR达60.7 dB, 有效位数为9.8位。 相似文献
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重庆来福士广场施工空中连廊时,部分连廊结构需从地面提升至250m高空,调整结构空间位置时,与固定在楼顶的结构通过12个焊接端头进行拼接,端头拼接偏差中,姿态和位置的预判与调整尤为关键,应用一种数字预拼装技术,通过现实捕捉技术获取连廊点云数字模型,逆向生成合龙端口处的BIM模型,从BIM模型中提取端口处精确的三维位形参数;提出一种最优虚拟预拼算法,自动完成连廊的姿态调整与数字预拼装。实践结果表明,数字预拼装可提高连廊施工的可视化程度,超前判断结构拼装精度,减小连廊结构合龙偏差。 相似文献
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分析汽车车门密封条与钣金密封面之间的相对滑动、硬接触等造成的动态异响,结合非线性有限元分析软件Msc.Marc对密封条断面进行分析及实车异响排查验证,确定异响源于门洞密封条与车门摩擦或密封条本体撞击粘连,对密封条结构进行优化,彻底解决此类异响问题,并提高密封条的密封性。密封条结构优化后压缩载荷衰减率从7. 64%降到5. 82%,可为后续车型设计提供参考。 相似文献
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采用摩擦磨损试验机对TC4合金/GCr15钢进行滑动磨损试验,在摩擦界面人工添加纳米氧化物颗粒研究了氧化物种类和颗粒尺寸对TC4合金磨损行为的影响;采用XRD、SEM、EDS等方法表征了TC4合金的磨损特征并探讨了磨损机制。结果表明:氧化物颗粒的种类和尺寸对于TC4合金的磨损行为具有显著影响。TiO_2颗粒急剧促进TC4合金磨损,而Fe_2O_3显著降低磨损;Fe_2O_3粒径越小,TC4合金的磨损失重越小且几乎不随载荷变化而波动。摩擦界面添加TiO_2时,磨损机制与未添加氧化物颗粒的相似,以磨粒磨损和粘着磨损等严重磨损机制为主;当添加Fe_2O_3时,磨损机制由严重向轻微磨损转变。 相似文献
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针对现有直流断路器存在的分断故障电流峰值高、通态损耗大、成本高以及机械开关电弧等问题,提出一种基于电容换流的限流型高压直流断路器(current-limiting high-voltage DC circuit breaker based on capacitor commutation,CC&CL-HDCCB)拓扑。正常运行时系统电流仅流过机械开关,导通损耗小;当进行故障开断操作时,投入电容进行充电,利用较高的电容电压提供电力电子器件的导通电压,使故障电流从机械开关支路转移,可用于高电压等级工况;换流支路与限流支路共同作用避免了故障电流的自然上升过程,有效降低了故障电流峰值。对断路器故障处理过程中的机械开关耐压和各支路电流等方面进行分析,给出了合理的元件参数和运行方式。最后利用PSCAD/EMTDC软件进行仿真验证,与相关断路器就故障电流峰值、避雷器吸能、电容电压等方面进行对比分析,验证了所提结构的合理性和经济性。 相似文献
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掺V和Ag的TiAl合金中缺陷和电子密度的正电子湮没研究 总被引:2,自引:1,他引:2
测量了Ti50Al50,Ti50Al48V2,Ti50Al48Ag2合金和充分退火的Ti,Al,Ag,V金属的正电子寿命谱,利用正电子寿命参数分别计算了合金基体和缺陷态的自由电子密度。TiAl合金的脆性与其基体和晶界缺陷处的自由电子密度较低有关。在富Ti的TiAl合金中加入V,V原子比Al和Ti原子能提供较多的自由电子参与形成金属键,因而提高了合金基体和晶界缺陷处的自由电子密度;在TiAl合金中加入Ag也有类似的效应。在TiAl合金中加入V和Ag,有利于提高合金的韧性。 相似文献