CVD金刚石膜生长过程的Raman分析

采用激光Raman散射分析法对CVD金刚石膜的生长过程进行研究 ,讨论在金刚石膜生长的不同阶段 ,膜内金刚石和非金刚石成分的相对含量及其残余应力的变化情况     

电铸金刚石-镍复合膜微观应力分析

用电铸方法，采用低应力电镀液，研制出了金刚石-金属复合膜。该复合膜的厚度为20-45μm，可用于制作超薄切割刀具。介绍了用X射线衍射法（xRD）测量多晶体微观应力的基本原理和用X射线衍射法测量镍多晶体显微应变的程序。用单波法计算了电铸金刚石-镍复合膜的显微应变，并用扫描电镜（SEM）观察了该复合膜的表面形貌。结果发现：阴极电流密度严重影响复合膜的显微应变，在实验所用电流密度范围内（0．6-3．5A／dm^2），随着电流密度的增加，显微应变减小。     

链状碳纳米管的制备及其场发射性能研究

本文是利用微波等离子体化学气相沉积的方法,在钛金属层上快速制备出由众多内部中空、外观呈锥形链状的碳纳米管组成的碳膜。通过扫描电镜、透射电镜、拉曼光谱等仪器分析了碳纳米管的组成。在真空条件下,测量了碳纳米管链薄膜的场电子发射特性。用热动力学过程解释了锥形碳纳米链的生长机理。     

碳元素的另一种同素异形体——白碳

白碳和金刚石、石墨这两种常见的碳的晶态结构不同,它是sp1杂化的碳元素的另一种晶态同素异形体.白碳具有一维直线碳链的特殊结构.本文对白碳材料的制备方法、结构特点、表征方法进行了综述,并展望了其在纳米器件、分子器件、以及场致电子发射等方面的应用前景.     

碳氮纳米管薄膜及其场致电子发射特性

利用微波等离子体增强化学气相沉积技术,在玻璃衬底上600℃～650℃的低温下制备出了碳氮纳米管薄膜,氮含量为12％,采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子谱(XPS)和Raman光谱等测试手段对所制备薄膜的表面形貌、微结构和成分进行了分析,并研究了其场致电子发射特性,阈值电场为3．7V／μm。当电场为8V／μm时,电流密度为413．3μA／cm^2,实验表明该薄膜具有优异的场发射性能,而且用这种方法制备的薄膜将大大简化平板显示器件的制作工艺。     

有机电致发光的研究进展及展望

对有机电致发光(OLEDs)的研究进展进行了综述。内容包括:有机电致发光器件的阴、阳极材料、电极修饰、发光材料、发光效率、新的器件结构以及驱动电路的研究现状。剖析了该领域的研究热点,并展望了其发展应用前景。     

若丹明6G分子反斯托克斯荧光温度效应

用２０毫瓦氦氖器作为激发光源，研究了若丹明６Ｇ水溶液反斯托克斯荧光谱。反斯长克斯荧光强度随溶液温度有强烈依赖关系。当温度由２３℃升高到４３℃时，反斯托克斯荧光强度增加三倍。根据热平衡分布规律讨论了反斯托克斯荧光强度与温度的依赖关系。     

基于开关选通控制网络的FED驱动电路设计

基于开关控制技术提出了一种开关选通电流型FED驱动电路。该驱动电路包括FET开关选通电路、数字视频锁存电路及PWM调制转换电路等部分,开关选通电路每8路构成一组,各组同步工作,既减少了电流源数量又保证了PWM脉冲有较大的占空比,PWM信号最大脉宽可达TH/8。采用本驱动电路使得在一行内只有1/8的像素数同时导通,有效降低了行扫描驱动电路的输出电流和功耗,同时相邻阴极依次导通减弱了极间电容影响,有利于改善PWM调制性能。     

C60作为石英衬底过渡层汽相生长金刚石薄膜

采用微波等离子体化学气相沉积方法（ＭＷＰＣＶＤ），以Ｃ６０膜作为过渡层，在石英（ＳｉＯ２）衬底表面，首次在等离子体预处理中，无衬底负偏压条件下，生长出金刚石晶粒。通过扫描电镜（ＳＥＭ）观察到金刚石晶粒呈菜花状，生长表面为（１００）晶面。