纳米尺度下钯元素的催化效应及气敏机理

在研究了贵金属Pd和离子Pd2+催化剂对纳米结构厚膜材料气敏特性的影响之后,提出了纳米催化效应的见解。认为将微量Pd2+的水溶液加入到纳米晶SnO2-x粉体中,可使Pd2+离子均匀地分布。所形成的PdO1-x纳米晶,能更均匀地存在于纳米结构厚膜材料载体中,有望对可燃性气体起到最有效的纳米催化作用。实验结果表明当Pd2+离子最佳的引入量为1.04mol%时,对3000×10-6甲烷的灵敏度可达9～11。     

Bi~（3＋）、K~＋、OH~－离子对水热合成PZT结晶末化学性质影响的研究

本文研究了水热条件下Ｂｉ３＋、Ｋ＋、ＯＨ－对水热合成ＰＺＴ结晶粉末化学性质的影响，并用了ＸＲＤ、ＥＰＭＡ和ＳＥＭ及原子吸收光谱分析，对水热合成ＰＺＴ结晶粉末及其烧结体进行了分析     

纳米尺度压电薄膜PZT的结构特征和性能

采用改进的溶胶-凝胶(Sol-Gel)方法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备锆钛酸铅(PZT)纳米晶薄膜,研究了不同的热处理方式对PZT薄膜的晶粒结构、尺寸及电学性能的影响。X-射线衍射(XRD)分析表明:传统的热处理方式更有利于得到具有一定择优取向性的PZT薄膜。原子力显微镜(AFM)显示:快速热处理方式使PZT薄膜的晶粒具有自形晶结构,晶粒的排布更为有序,从而改善了薄膜的致密性。阻抗分析仪的测试结果表明:经快速热处理的薄膜,漏电流大约比传统热处理处理的薄膜的漏电流降低了20倍左右。     

水热合成PZT纳米晶粉末烧结性及机理的研究

研究水热合成ＰＺＴ压电体纳米晶粉末的烧结性能及其机理。采用ＤＴＡ－ＴＧＡ对这种纳米晶粉末进行了热分析，结果表明，这种结晶粉末的ＰｂＯ挥发温度为９２４．７１°Ｃ，而颗粒之间的反应温度为８１１．２６°Ｃ。与此相反，固相合成ＰＺＴ粉末颗粒之间的反应温度为１２４３．４７°Ｃ，ＰｂＯ的挥发温度为１２１３．２９°Ｃ。水热合成纳米晶结晶粉末的烧结温度比固相法合成低１００°Ｃ左右     

基于键合技术的新型集成光学干涉仪

提出了一种基于超薄薄膜光电二极管(PD)构成的新型集成光学干涉仪构造方案,基于键合技术,论证了超薄薄膜光电二极管阵列集成化构成集成光学干涉仪的可能性.着重描述了集成光学干涉仪构造关键部件--超薄薄膜光电二极管的设计、制造及其特性.所构成的集成光学干涉仪经实验得到初步验证,结果表明,利用微细加工制作微光学干涉计是完全可行的.     

IRD-890数据采集器及PM软件在故障诊断中的应用

我们利用IRD-890数据采集器及美国ENTEK公司的PM预测维修软件对压缩机、离心机、离心泵进行了振动监测,成功地诊断出离心机内、外转鼓丢转,轴承损坏,对中不好等故障.一、IRD-890及PM系统简介IRD-890数据采集器为便携式,带有CPU和模数转换器,集数据采集与频谱分析于一身,配接不同类型的传感器,可监测多种状态参数,采集如振动、电压及温度、相     

包含双层半导体和金属纳米晶MOS电容的存储特性

制备了包含双层半导体和金属纳米晶的MOS电容结构,研究了其在非挥发性存储器领域的应用。利用真空电子束蒸发技术,在二氧化硅介质中得到了半导体硅纳米晶和金属镍纳米晶。与包含单层纳米晶的MOS电容相比,这种包含双层异质纳米晶的MOS电容显示出更大的存储能力,且保留性能得到改善。说明顶层的金属纳米晶作为一层额外的电荷俘获层可以通过直接隧穿机制进一步延长保留时间和提高平带电压漂移量。     

BST-MEMS移相器开关

为了提高MEMS电容开关性能,介绍了移相器的一种新型结构——分布式电容周期性加载结构。分析发现移相器的相移度和单元可变电容的变化率有关。目前MEMS可变电容单元采用的介质基本上是氮化硅。BST薄膜作为一种性质优良的介电材料,其介电常数远大于氮化硅。从MEMS移相器开关性能的几个关键指标出发,探讨在MEMS移相器开关中,用BST薄膜代替氮化硅介质的可能性。     

纳米技术的新进展

介绍纳米技术的新进展，探讨发展纳米技术重要性，对纳米固体材料、纳米加工技术也作了讨论，并对纳米机器人作了简要介绍。