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Basing on TGA (thermal gravimetric analysis) of thermal nitridation at l200, l250, l300℃, respectively,analysis of high temperature kinetics for nitridation of silicon monocrystal has been carried out. According tothe theory for kinetics of reaction of vapour with solid phase a nitridation kinetic model, from which it can beshown thal the rate of nitridation reaction of silicon crystal should be controlled by three stage limiting factors,was proposed. These limiting factors are chemical reaction, chemical reaction mixed with diffusion and diffu-sion. Using this model to treat our experimental data, satisfactory correlation coefficient and apparentactivation energy of nitridation of p-type (lll) silicon crystal have been obtained. The nitride film was identi'fied to be a-Si_3N_4 (Hexagonal, a=0.7758nm,c_o=0.5623nm) by X-ray diffraction analysis. Morphology ofthe nitride films formed in different nitridation duration was observed in both planar andcross-sectional viewsby SEM (scanning electron microscope). 相似文献
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采用氮保护气氛生长的功率晶体管用硅单晶的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文论述在纯氮气氛中生长硅单晶技术,根据器件工艺要求,与器件厂相互配合,取得了功率晶体管成品率的大幅度提高,肯定了氮保护气氛下生长的硅单晶的优越质量。 相似文献
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为了缓解大水泥紧张状况,满足重点工程的急需,国家建材局和山西省本着大同能源充足、投资少、见效快、好管理的有利情况,把大同水泥厂扩建两台φ4/3.5/4×150m湿法生产线列为“八五”省重点建设项目。 相似文献
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碳和氮原子在氧沉淀中的作用 总被引:2,自引:1,他引:1
本文研究硅中碳、氮原子对氧沉淀的作用机制,指出硅中碳、氮对间隙氧相互作用构成碳-硅-氧、氮对-硅-氧复合体,它们脱溶成核、构成氧沉淀的异质形核中心,促进氧沉淀的生成.文章指出硅中的氮仅参与氧沉淀的成核,而碳原子因条件而异,既可参与氧沉淀的成核,也可参与氧沉淀的长大.研究表明,高碳样品,在低于900℃的热处理时,碳原子参与氧沉淀的长大,可显著降低氧沉淀引起的体积应变能,促进氧沉淀的长大;高于900℃的热处理,碳原子可不参与氧沉淀的长大.但如果不经过高温预处理,由于在低温热历史中,碳原子已参与氧沉淀胚核的形成 相似文献
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