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非致冷InAsSb中长波红外探测器研究评述 总被引:1,自引:0,他引:1
作为一种新兴的红外光电材料,InAsSb由于其禁带宽度窄、电子迁移率极高等优良特性受到了世界各国的广泛关注。InAsSb探测器的优势在于:对中长波红外波段的探测而言,其在室温下也具有很高的探测率,同时InAsSb探测器具有比HgCdTe探测器更高的响应速度。这些优势使得InAsSb探测器可制成非致冷型红外探测器,容易实现仪器的小型化,大大降低成本,在某些场合成为能够取代HgCdTe的理想材料。文章分别对InAsSb探测器国内和国外的研究近况作一简要评述,从而显示出在中长波红外波段InAsSb材料广阔的应用前景。 相似文献
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采用真空熔炼和烧结的方法制备了新型热电材料尽β-Zn4Sb3。X射线衍射分析表明样品为单相。2种样品从室温到723K温度范围内的电学性能测量表明,β-Zn4Sb3在500K~650K时具有较高的功率因子,真空熔炼样品的性能要优于烧结样品,其功率因子在 623K时达到最大值 3.9μW.cm-1.K-2。结果表明,β-Zn4Sb3在热电转换领域有潜在的应用前景。 相似文献
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近年来,世界各国都对太赫兹科学给予了很大的关注,相应的太赫兹辐射源和探测器的研究和发展速度加快,太赫兹技术应用也取得了实质的进展,特别是太赫兹波在空间天文观测和大气遥感中的应用。介绍了近些年发展起来的几种探测太赫兹电磁波的新技术及目前发射或建立的多种亚毫米波、太赫兹波探测系统在天文观测和大气遥感中的具体应用,显示了太赫兹波探测技术在遥感领域中的巨大应用前景。 相似文献
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采用液相外延技术生长了InAs基室温红外探测器件材料,通过光学显微镜、扫描电子显微镜、X射线衍射仪分析了外延材料表面形貌、截面形貌与晶格失配的关系。分析发现,不恰当的晶体晶格常数匹配度会导致材料表面形貌变差,降低材料的结晶质量,晶格失配在0.22%左右的InAs基外延材料表面形貌较好,缺陷少,晶体质量较好。在此基础上,成功制备出室温探测率D*为6.8×109 cm·Hz1/2·W-1的InAs基室温中波红外探测器,这一性能与国际上红外探测器领军企业美国Teledyne Judson Technologies和日本滨松株式会社的商用InAs基红外探测器性能处于同等水平。 相似文献
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分别采用液相外延瞬态法的两种不同模式——步冷法和超冷法生长了GaAs0.9Sb0.1薄膜。采用X射线衍射谱、扫描电镜、拉曼光谱仪研究了GaAs0.9Sb0.1薄膜的晶体结构、截面形貌和发光性能等。研究结果表明:与超冷法相比,步冷法生长外延薄膜的速率更加缓慢,但薄膜晶体结构的质量更高、界面更平滑;两种不同液相外延模式生长的GaAs0.9Sb0.1薄膜的光致发光性能差别不大。 相似文献
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