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3.
采用粉末冶金法制备了不同Pd负载量的多孔ITO材料,通过XRD、SEM、EDS等对相应的物相和显微组织进行了分析.结果显示:粉末冶金法制备的负载Pd的多孔ITO材料,孔隙较多,孔的大小和分布十分均匀.Pd以微小团簇弥散分布于ITO材料上,Pd的理论和实际负载量较一致,含量的多少对ITO材料的孔结构没有影响.通过对CO气体的灵敏度测试表明,Pd的负载能提高多孔ITO材料对CO气体的灵敏度,含量的多少对CO气体的灵敏度有较大影响. 相似文献
4.
通过Si/Ti-Zr扩散偶在900 ℃,保温时间分别为96 h、480 h的扩散实验,结合SEM和EDX对扩散偶的形貌、组织和成分分析,研究了Ti-Zr-Si合金中硅化物的形成机制.研究结果表明,Si/Ti-Zr扩散偶在经过96 h处理后,Si元素能够较快地扩散,而Zr元素的扩散非常缓慢,因而Si元素是组元扩散的决定因素相,形成钛基二元相;Si/Ti-Zr扩散偶经过480 h处理后,锆元素非常明显地参与进来,形成丰富的二元和三元物相层,慢扩散元素锆成为三元相形成的控制元素;Zr元素的引入在实验中生成了大量的(Ti,Zr)Si的三元相,首次给出了该三元相中Ti与Zr的物质的量比范围为1.849~2.657.初步证明了在850~900℃内能够长期稳定存在的三元物相为(Ti,Zr)Si,给出了Si/Ti-Zr扩散偶处理后各相的形成序列. 相似文献
5.
6.
阐述了双母双分段母线系统的保护配置方案 ,分析了双母双分段母线系统保护配置中需注意的几个问题 ,尤其是母线故障时环流的影响 ,另外分段断路器辅助触点的使用给分段死区故障带来了新的解决方案 ,但也带来了因辅助触点不可靠而产生的相应问题 ,讨论了这些问题并给出了相应的处理方案 相似文献
7.
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反应合成银氧化锡电接触材料抗熔蚀性研究 总被引:9,自引:0,他引:9
采用反应合成技术和传统粉末冶金技术制备银氧化锡(AgSnO2)电接触材料,利用千瓦级CO2激光器模仿电弧作用在试样表面产生局部熔化。对AgSnO2块体材料进行抗熔蚀性测试,对块体材料及冷拉拔的AgSnO2线材进行显微组织分析(扫描电镜、透射电镜)。研究结果表明,采用反应合成技术可以在银基体中合成尺寸细小、界面新鲜的SnO2颗粒,制备AgSnO2电接触材料;用反应合成法制备的AgSnO2材料中,微米级的SnO2颗粒系由纳米级的SnO2颗粒聚集而成;用反应合成法制备的AgSnO2电接触材料由于改变了银和SnO2的结合状态使材料的抗熔蚀性得到改善和提高。 相似文献
10.
化学共沉淀法制备了油酸修饰的Fe_3O_4颗粒,以苯乙烯为连续相,水为分散相,Fe_3O_4颗粒为稳定剂,采用高内相乳液模板法合成了磁性大孔聚合物小球(MPMS),并对MPMS的形貌、疏水性、结构、热稳定性、磁性等进行了表征。将硫酸盐还原菌(SRB)固定于MPMS,以模拟硫酸盐废水,比较了固定化SRB与游离SRB的脱硫性能。结果表明,大孔材料MPMS呈现多级孔道结构,具有丰富的泡孔和窗孔,MPMS的饱和磁化强度为2.043 A·m~2/kg,固定化SRB后的MPMS饱和磁化强度为0.188 A·m~2/kg,聚合物载体在负载后仍保留一定磁性;SRB在MPMS上固定化一周左右,可生成稳定的生物膜,对比固定化SRB和游离SRB的脱硫性能,可得出:固定化SRB生长状态优于游离SRB,当硫酸根浓度为2 000 mg/L时,脱硫速率达到2 597.76 mg/(L·d)。 相似文献