光电双基区晶体管(PDUBAT)的器件模型

本文在考虑了晶体管的小注入效应和大注入效应以及基区宽变效应等因素后,首次用近似和简化的数学表示式和相应的等效电路,描述了光电双基区晶体管(PDUBAT)负阻形成的机理并使负阻区和谷值区的理论计算和实验结果一致性很好.     

用于激光衍射粒径分析的光电阵列探测器

本文较详细地论述了用于激光衍射粒径分析的光电阵列探测器的设计依据及其特性。     

CCD技术与图像测量在叶片测量中的应用

本文主要针对叶片前缘R的性能测量，介绍一下我单位研制的专用测量设备的原理、CCD与图像预测技术的应用以及为提高测量效率、直观准确显示测量结果而采用的一些新技术的情况。     

片状变燃速发射药燃烧性能的数值计算

为研究包覆方式对片状发射药燃烧性能的影响,建立了不同包覆方式下多层片状发射药的物理模型,并推导了形状函数和燃气生成猛度表达式,利用Matlab软件对不同的宽厚比、长厚比及多层结构的片状发射药进行了数值计算;制备了不同长厚比的片状变燃速发射药,并进行了密闭爆发器实验。结果表明,四面包覆和全包覆可以很好地消除临界宽厚比对片状发射药燃烧性能的影响;与两面包覆的片状发射药相比,四面包覆和全包覆的片状发射药能够延缓内层药减面燃烧的时间,其燃气生成猛度的阶跃程度分别提高了1.17%和1.23%,呈现出良好的燃烧渐增性。     

填料对反-1,4-聚异戊二烯性能的影响

研究了填料对反－1，4－聚异戊二烯（TPI）硫化胶和混炼胶的物理机械性能和结晶性能的影响。结果表明，在TPI中加入填料后，其硫化胶的300％定伸应力随填料用量的增加而增加，拉伸强度则在填料用量为20份时达到最大值；加入填料同时能降低TPI混炼胶的结晶度，填料用量增加，TPI混炼胶的结晶下降；且填料增强效果越好，结晶度下降越大。     

集成于无源UHF RFID标签的宽温测范围CMOS温度传感器

针对无源UHF RFID标签温度测量范围小、功耗等问题,本文提出了一种集成于无源UHF RFID标签的宽温测范围CMOS温度传感器。本文设计采用UMC 0.18μm 1P6M CMOS工艺进行设计,提出一种新温度脉冲转换电路结构产生随温度变化的脉冲,从而实现了宽温度测量。仿真结果表明:当温度范围在-75℃~125℃时,温度脉冲宽度变化近220μs,标签芯片供电电压为1.5V时,室温时新增的温度传感器模块功耗仅为200 nW,温度传感器精度为0.45℃/LSB。测试结果:在-5℃~45℃范围内进行测试,温度传感器精度为0.48℃/LSB,其中在室温25℃左右振荡器频率2.087 MHz,脉冲宽度大约110μs,异步计数器显示为011011000。     

基于标准CMOS工艺太阳能电池的微电源管理系统

文章基于CMOS太阳能电池设计了一款微电源管理系统。此电源管理系统适用于传感器网络节点和半有源电子标签之类的需要周期性短时间供电的电路。电源管理系统中包含一个电荷泵,一个片外储能电容,控制电路和一个线性稳压器。控制电路采用一种全新的结构,静态功耗基本为零。采用UMC 0.18μm CMOS工艺,当输出电流为30uA,储能电容为1uF时,一个周期可达到大于20ms的供电时间,输出电压1.8V,电源管理系统的静态电流小于1.5uA。     

空心脉冲发电机的电力电子装置设计

给出了空心脉冲发电机的电力电子装置图,分析了空心脉冲发电机的运行模式.根据对空心脉冲发电机自励过程和放电过程仿真分析,得出该电力电子装置不同模块元器件的选取标准,设计了元器件保护电路.     

共振隧穿二极管的开关时间特性

用HP8510(C)网络分析仪测量了A1As／InGaAs／AlAs共振隧穿二极管(RTD)的散射参数，通过曲线拟合提取了等效电路参数，估算了RTD的开关时间，通过速度指数估算的RTD上升时间最小可达21ps。     

横向SOI锗硅光电探测器的数值模拟

采用Atlas对SOI/CMOS兼容横向pin近红外锗硅光探测器进行了模拟分析。结果显示,外延应变SiGe层产生禁带变窄,形成了横向的二维空穴势阱沟道。在3V反向偏压下,电场沿横向均匀分布,光吸收层基本完全耗尽,光生载流子得到有效收集;与Si的光电响应相比,出现较明显的响应波长范围向长波长方向扩展、响应峰值波长向长波长方向移动,证实了探测器结构的有效性和其良好的光电性能。