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该文研究了一种扇形结构的声表面波设计技术并分析了其工作原理及加权方式,为某电台接收机设计并制作了一款中心频率为374 MHz、-3 dB带宽大于17 MHz、插入损耗小于9.5 dB、通带波纹小于1 dB、带外抑制大于40 dB(10~352 MHz)的器件。将该器件封装在表贴SMD3838小型外壳中,其满足性能指标。结果表明,该器件首次突破了扇形结构中频声表面波滤波器在表贴SMD3838封装的研制,表明扇形结构声表面波滤波器产品实现小型化的可行性。 相似文献
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该文描述了一种工作频率在S波段的低损耗极窄带声表面横波谐振滤波器,解决了整机系统在高频率S波段载波近端的杂波抑制。采用一阶温度系数为0的石英基片及比瑞利型声表面波波速高1.6倍的声表面横波,制作出3dB带宽大于1‰的低损耗窄带谐振滤波器,其工作频率达2.4GHz,损耗为5.77dB,3dB带宽为3.0 MHz,在50Ω测试系统中测试,偏离中心频率±7 MHz的阻带抑制为25dB;在-40~+85℃内,频率漂移仅为705kHz。 相似文献
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采用中频(MF,40 kHz)双S枪磁控反应溅射制备出了氮化铝(AlN)压电薄膜;采用直流磁控溅射法制作了Mo电极薄膜;采用脉冲DC磁控溅射Au、Cr、Al靶分别制作Au/Cr底电极薄膜及Al/Cr顶电极薄膜。通过对AlN压电薄膜、Mo及Au电极薄膜进行了X线衍射(XRD)分析,结果表明,复合AlN压电薄膜(002)面、Mo薄膜(110)面及Au薄膜(111)面择优取向优良,说明选用Al/Cr/AlN/Au/Cr/YAG复合结构压电薄膜能研制出Ku波段及K波段声体波微波延迟线(BAWDL), 其Ku及K波段BAWDL器件插入损耗分别低至43.7 dB、54.6 dB。 相似文献
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