基于剥离工艺的晶圆材料表面形貌表征

压电晶圆表面形貌特征参数是影响光刻剥离工艺及器件批生产成品的关键技术基础。基于声表面波(SAW)器件剥离工艺,该文提出并量化了晶圆材料表面形貌表征参数体系:翘曲度(BOW)、平坦度(GBIR)、小区平坦度(SBIR)、小区平坦度合格率(PLTV)等,并给出了晶圆材料表面形貌表征参数的测试方法及对光刻工艺参数的影响。     

FBAR用氮化铝压电薄膜研究

介绍了FBAR用复合氮化铝(AlN)压电薄膜的制作方法。采用双S枪中频(40 kHz)磁控反应性溅射铝靶制作出了AlN压电薄膜。采用双S枪直流(DC)磁控溅射钼(Mo)靶制作出了Mo电极薄膜。对AlN压电薄膜、Mo电极薄膜进行了X线衍射(XRD)分析,结果表明,AlN压电薄膜(002)面、Mo薄膜(110)面择优取向优良。对4″Si基AlN压电薄膜进行了膜厚测试,结果表明,其膜厚均匀性优于±0.5%。对4″Si基AlN压电薄膜、Mo薄膜进行了应力测试,结果表明,其应力分别在-100~+100 MPa及-150~+220 MPa;对4″Si基Mo/AlN/Mo/AlN复合压电薄膜应力进行了应力测试,结果表明,其应力低达-71.518 5 MPa。对4″Si基AlN压电薄膜进行了化学成分分析,结果表明,其Al∶N原子比为51.8∶48.2。     

高频声表面波器件用压电晶圆清洗技术研究

论述了低浓度碱性过氧化氢清洗液兆声清洗钽酸锂、铌酸锂和水晶等压电晶圆的工艺技术。在保持压电晶圆特性的前提下,该技术可有效去除晶圆表面小于0.2 μm的附着颗粒,使其表面洁净度满足亚微米线宽高频声表面波（SAW）器件生产要求,同时降低了化学品、去离子水的消耗量及对环境的污染。     

晶圆探针测试系统校准

阐述了消除探针测试系统误差的方法,通过分析校准原理和计算校准模型,提出了把已知的校准位放在校准基片上,通过修改网络分析仪(VNA)的校准位和信号接收端口,利用探针台的移动和探针与校准位的接触提取和反馈信号,修正系统误差。     

微声薄膜耦合谐振滤波器的仿真与设计

基于Mason模型,建立了微声薄膜耦合谐振滤波器的等效电路,实现了滤波器的快速仿真设计。将耦合谐振滤波器与梯形结构微声薄膜滤波器级联,改善了滤波器的矩形度、带外抑制等特性,并通过优化设计,提高了级联滤波器的相位线性度。     

2.4GHz石英窄带低损耗声表面横波谐振滤波器

该文描述了一种工作频率在S波段的低损耗极窄带声表面横波谐振滤波器,解决了整机系统在高频率S波段载波近端的杂波抑制。采用一阶温度系数为0的石英基片及比瑞利型声表面波波速高1.6倍的声表面横波,制作出3dB带宽大于1‰的低损耗窄带谐振滤波器,其工作频率达2.4GHz,损耗为5.77dB,3dB带宽为3.0 MHz,在50Ω测试系统中测试,偏离中心频率±7 MHz的阻带抑制为25dB;在-40~+85℃内,频率漂移仅为705kHz。     

FBAR用氮化铝压电薄膜研究

介绍了FBAR用复合氮化铝(AlN)压电薄膜的制作方法。采用双S枪中频(40kHz)磁控反应性溅射铝靶制作出了AlN压电薄膜。采用双S枪直流(DC)磁控溅射钼(Mo)靶制作出了Mo电极薄膜。对AlN压电薄膜、Mo电极薄膜进行了X线衍射(XRD)分析,结果表明,AlN压电薄膜(002)面、Mo薄膜(110)面择优取向优良。对?4″Si基AlN压电薄膜进行了膜厚测试,结果表明,其膜厚均匀性优于±0.5%。对?4″Si基AlN压电薄膜、Mo薄膜进行了应力测试,结果表明,其应力分别在-100~+100 MPa及-150~+220 MPa;对?4″Si基Mo/AlN/Mo/AlN复合压电薄膜应力进行了应力测试,结果表明,其应力低达-71.518 5 MPa。对?4″Si基AlN压电薄膜进行了化学成分分析,结果表明,其Al∶N原子比为51.8∶48.2。     

中频数字接收机及关键技术研究

高速率的数字系统中常采用降速抽取的方法减轻数据运算量,造成信息的丢失.为确保测量精度,该文基于先进先出(FIFO)作数据缓存的方法,设计了一个数字中频幅相接收系统,对数字本振、数字下变频、幅相计算等关键技术进行了讨论和仿真分析.给出了对调幅、调制脉冲信号解调的试验结果,动态范围＞50 dB,幅度波动＜0.25 dB.     

通过热应力分析改善AOTF键合层附着力

针对声光可调滤光器(AOTF)压电换能器和声光晶体键合后出现附着力差的问题开展分析,根据热应力理论计算AOTF键合层各层的热应力分布情况,提出通过增加过渡层改善键合层应力特性。当过渡层Au膜厚为200nm时,理论上键合层和声光晶体间的热应力减小到-0.613 MPa,能够保证膜层的附着强度。测试结果显示,添加过渡层后频率响应的3dB带宽增加,衍射效率提高了2%~4%。     

SAW陀螺新型接收电极

该文在理论上分析了声表面波(SAW)陀螺中两列相向传播SAW形成的驻波在哥氏力作用下的相位分布及传播规律,设计出一种新型的接收电极.此电极能将陀螺效应激发的表面波同种电荷积累到一起,改进了原有电极中同根电极上正负相互抵消的缺点,增强了由陀螺效应激发出SAW的接收效率,本结果可对SAW陀螺的设计提供相关参考.