球状药包漏斗爆破法

(一) 爆破漏斗及形成过程七十年代初期,美国、加拿大等国研究出了一种新型的爆破技术——球状药包漏斗爆破法,改进了连续柱状结构装药能量利用率低、震动效应大等缺点,使现代爆破技术得到进一步发展。目前,该项技术在北美、西欧等一些国家的露天、地下工程以及采矿生产中得到广泛地应用。所谓球状药包漏斗爆破法,是将球状药包埋设于自由面下的适当深度中,当药包爆炸后,形成一个爆破漏斗。此爆破漏斗由四个同心带组成,即可见漏斗带、真漏斗带、破碎带和应力带(见图1)。     

HgCdTe晶体的本征载流子浓度的应用

HgCdTe晶体的本征激发决定于组份和温度。本征载流子浓度与组份、温度的关系早已得到广泛、深入的研究。由于自由载流子来源于杂质激发与本征激发,如果把杂质的影响考虑进去,就可以由本征载流子浓度推算出在高于77K的任何温度下的载流子浓度。反过来,如果知道处于本征激发占主导地位的某一温度时(如室温)的载流子浓度,就可以     

低真空退火对GaN MSM紫外探测器伏安特性的影响

利用金属有机化学气相沉积生长的非故意掺杂GaN单晶制备了金属一半导体一金属交叉指型肖特基紫外探测器。用肖特基势垒的热电子发射理论研究了低真空下不同热退火条件对器件伏安特性的影响。Au-GaN肖特基势垒由退火前的0．36eV升高到400℃0．5h的0．57eV,退火延长为1h势垒反而开始下降。分析结果表明：由工艺造成的填隙Au原子引入的缺陷是器件势垒偏低的主要原因,Au填充N空位形成了施主型杂质是退火后势垒升高的主要原因。     

碲镉汞在磁量子限的弛豫时间

从对实验的远红外回旋振线形分析中获得了ｎ－Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ导带电子系统的弛豫时间τ，同磁量子限的电离杂质散射理论作了比较，用朗道能级间散射和朗道能级内散射两种机制说明了弛豫时间与磁场强度的关系．     

碲镉系导带电子回旋共振线形分析

用远红外激光磁光光谱实验系统测量了Ｎ型碲镉汞的导带电子回旋共振，记录了远红外激光入射下的高分辨回旋共振线形．计算表明，这些线形的特征及其与一些物理量的关系可用经典的Ｄｒｕｄｅ－模型很好地描述．此外，还用理论与实验拟合的方法获得了载流子弛豫时间τ，并与由弱场低频下迁移率得出的弛豫时间τ作了比较，对两者差别的理论问题作了讨论．