基于GITEST的高职英语多项选择题项目分析——以保定电力职业技术学院某学年期末英语考试为例

目前高职英语教学中的语言测试的科学性仍然有待于进一步提高.首先介绍了与语言测试相关的信度、效度、区分度、难度等一些基本的理论,然后以GITEST软件对题目的分析为依据,对保定电力职业技术学院一次英语期末考试中的多项选择题进行了简单的分析,指出了存在的问题,并就测试题目的设计提出了一些建议.     

GaN紫外探测器的Ti/Al接触的电学特性

在非故意掺杂的和掺Si的GaN薄膜上蒸镀Ti(24nm)/Al(nm)薄膜,氮气环境下400～800℃范围内进行退火。实验结果表明,在非故意掺杂的样品上,随退火温度的升高,肖特基势垒高度下降,理想因子升高,表面状况逐渐变差,600℃退火形成较低接触电阻的欧姆接触,比接触电阻率为3.03×10-4Ωcm2,而载流子浓度为5.88×1018cm-3的掺Si的样品未退火就形成欧姆接触,比接触电阻可达到4.03×10-4Ωcm2。     

河北省高职英语教学体系现状与改革

基于河北省高职英语教学体系的调查分析,剖析了其教学对象、教学师资、教学内容,教学手段和教学评价等要素的现状,据此构建并阐述了模块化教学体系改革方案的内涵,同时从师资结构、教学模式改革、教学模块划分、大纲与教材的编写、课程评价体系改革五个方面,提出了模块化教学体系实施的对策.     

高职院校思想政治理论课考试改革初探

当前高职院校思想政治理论课考试中存在着功能缺陷、内容缺乏创新、考试形式陈旧等问题,而考试环节设置错位,教师素质不高以及学生的功利主义应试目的是这些问题的主要原因,所以,必须从完善考试功能、拓展考试内容、创新考试形式等方面入手加以解决.     

电流冲击对长波光导MCT探测器的影响

对长波光导MCT红外探测器进行了大电流长时间的冲击,对比了冲击前后探测器的电阻温度特性,并用该参数研究了器件的电学参数;测量了冲击前后探测器的黑体性能变化、响应光谱以及少子寿命.实验结果显示:短时间(42mA,70h)的电流冲击对探测器性能影响不大,探测器组分减小,截止波长变长;冲击时间长到(42mA,100h)一定程度后,探测器性能有不同程度的下降,组分变大,截止波长变短.这是因为电流产生的热效应加强了Hg扩散效应,从而使器件截止波长发生变化.     

Au／CdTe＋ZnS／HgCdTe双层介质膜MIS器件的制备及研究

通过介质膜ZnS、CdTe薄膜材料的Ar^ 束溅射沉积研究,结合HgCdTe器件工艺,成功制备了以ZnS、CdTe双层介质膜为绝缘层的HgCdTe MIS器件;通过对器件的C－V特性实验分析,获得了CdTe/HgCdTe界面电学特性参数。实验表明：溅射沉积介质膜CdTe ZnS对HgCdTe的表面钝化已经可以满足HgCdTe红外焦麦面器件表面钝化的各项要求。     

高职院校思想政治理论课考试改革初探

当前高职院校思想政治理论课考试中存在着功能缺陷、内容缺乏创新、考试形式陈旧等问题,而考试环节设置错位、教师素质不高以及学生的功利主义应试目的是这些问题的主要原因,所以,必须从完善考试功能、拓展考试内容、创新考试形式等方面入手加以解决。     

低真空退火对GaN MSM紫外探测器伏安特性的影响

利用金属有机化学气相沉积生长的非故意掺杂GaN单晶制备了金属一半导体一金属交叉指型肖特基紫外探测器。用肖特基势垒的热电子发射理论研究了低真空下不同热退火条件对器件伏安特性的影响。Au-GaN肖特基势垒由退火前的0．36eV升高到400℃0．5h的0．57eV,退火延长为1h势垒反而开始下降。分析结果表明：由工艺造成的填隙Au原子引入的缺陷是器件势垒偏低的主要原因,Au填充N空位形成了施主型杂质是退火后势垒升高的主要原因。     

Au/CdTe+ZnS/HgCdTe双层介质膜MIS器件的制备及研究

通过介质膜ZnS、CdTe薄膜材料的Ar+束溅射沉积研究,结合HgCdTe器件工艺,成功制备了以ZnS、CdTe双层介质膜为绝缘层的HgCdTeMIS器件;通过对器件的C-V特性实验分析,获得了CdTe/HgCdTe界面电学特性参数.实验表明溅射沉积介质膜CdTe+ZnS对HgCdTe的表面钝化已经可以满足HgCdTe红外焦平面器件表面钝化的各项要求.     

电流冲击对长波光导MCT探测器的影响

对长波光导MCT红外探测器进行了大电流长时间的冲击，对比了冲击前后探测器的电阻温度特性，并用该参数研究了器件的电学参数；测量了冲击前后探测器的黑体性能变化、响应光谱以及少子寿命. 实验结果显示：短时间（42mA, 70h）的电流冲击对探测器性能影响不大，探测器组分减小，截止波长变长；冲击时间长到（42mA, 100h）一定程度后，探测器性能有不同程度的下降，组分变大，截止波长变短. 这是因为电流产生的热效应加强了Hg扩散效应，从而使器件截止波长发生变化.