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1.
采用直流磁控溅射和后退火氧化工艺在p型GaAs单晶衬底上成功制备了n-VO_2/pGaAs异质结,研究了不同退火温度和退火时间对VO_2/GaAs异质结性能的影响,并分析其结晶取向、化学组分、膜层质量以及光电特性。结果表明,在退火时间2 h和退火温度693 K下能得到相变性能最佳的VO_2薄膜,相变前后电阻变化约2个数量级。VO_2/GaAs异质结在308 K、318 K和328 K温度下具有较好的整流特性,对应温度下的阈值跳变电压分别为6.9 V、6.6 V和6.2 V,该结果为基于VO_2相变特性的异质结光电器件的设计与应用提供了可行性。 相似文献
3.
4.
PMN-PT陶瓷中的氧缺位及其消除 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了组成中Pb含量的变化对组成为Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3的铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT)陶瓷压电性能的影响,发现化学计量比组成(x=1)的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷经常出现压电性能的大幅度退化现象,而A位适量缺Pb能稳定地获得高性能的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷。XPS元素价态分析的结果表明,化学计量比的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷中含有较多的氧缺位,氧缺位的产生源于MgNb2O6(MN)合成过程中的气氛差异,A位适量缺Pb能有效地消除这种氧缺位而稳定地获得正常的压电性能,其机理被认为是氧缺位与铅缺位的复合。 相似文献
5.
6.
7.
【法新社华盛顿2006年8月21日电】《华盛顿邮报》在8月21日的报道中称,美国布什政府开始对与美国冷战期间的战略核武器数量的有关情报重新制定密级,尽管这些情报曾经提供给前苏联。《华盛顿邮报》援引用美国国家安全档案(NSA)的一份新的报告称,五角大楼和能源部(DOE)正在对“民兵”、“泰坦-II”以及其他导弹的有关数据再次进行保密处理,隐去之前曾出现在公开文件中的有关数据。《华盛顿邮报》称,该报告完全是由于布什政府对政府保密的喜好,这使情报研究人员们陷入麻烦,同时产生了是否有必要对一些看起来无关紧要的数据保密的争论。五角… 相似文献
8.
【美国《核新闻》2006年8月报道】根据芬兰电力公司(TVO)7月11日的声明,奥尔基洛托3号机组在2010年以前不会投入商业运行。然而,仍期待其可以在2009年实现首次发电。据TVO所讲,尽管工作已经延期,但是由阿海珐集团(Areva)与西门子公司(Simens)组成的供应商集团一直希望可以弥补一些时间,争取在2009年年底之前实现商业运行,但是延期已不可避免,而且目前工程进度已经比原计划落后了一年。TVO的项目负责人Martin Landtman解释说,TVO正在与供应商集团共同努力,想办法加快工程进度。Landtman讲出了一些延期的关键原因,从详细设计到施工都非… 相似文献
9.
本地缓存和代理服务器环境下的网络日志挖掘 总被引:5,自引:0,他引:5
介绍了网络日志挖掘的基本概念,提出了一个网络日志挖掘通用系统的结构,分析了本地缓存和代理服务器对日志挖掘的影响,并给出了一种近似解决方案。这种方案通过网络拓扑结构和日志文件记录的结合,将杂乱无章的日志记录组合成具有语义信息的事务记录,从而使挖掘结果更有意义。 相似文献
10.
本设计具有成本较低、功能可靠、抗干扰性强,并具有循环计数、重复预置及互锁功能。当给出4位编码指令后,经译码电路产生16个控制命令。 相似文献