轨道交通高频充电机应用研究

设计了一种轨道交通用的高频充电机,该充电机采用基于移相控制的全桥零电压开关（zvS）变换器的拓扑结构。对该充电机主要参数进行计算和系统建模,仿真结果满足系统要求。主控芯片采用TMS320F28335,算法采用带有电流前馈的比例积分（PI）控制方式,并设计了针对蓄电池负载的充电逻辑,样机试验结果满足系统要求。     

新时期大学英语文化与读写教学研究——评《新时代大学英语教育教学理论与实践研究》

文化是语言表达的核心内涵,读写是语言交流的重要途径,两者在英语语言学习中占据着至关重要的地位。大学作为优秀专业人才培养基地,英语教学发展一直是学术界重点关注和思考的研究课题,面对新时期的教育发展,如何提高英语文化与读写教学成为了大学英语教学研究所面临的重难点问题。在2019年四川工业科技学院教育教学改革项目(cgkjg-19028)资助下,参阅《新时代大学英语教育教学理论与实践研究》一书,深入探讨新时期大学英语文化与读写教学研究。     

智能玩具赛车赛道图像的畸变校正问题研究

本次图像畸变研究主要针对智能玩具赛车的赛道图像。赛道图像信息由智能玩具赛车采集,采集到的图像呈现出近宽远窄的梯形畸变。针对此梯形畸变,首先采用几种不同的边缘检测算子对图像进行边缘检测及轮廓提取,再使用连接点法对处理后的图片进行畸变校正,然后针对现有方法中出现的问题提出调整改进。最后通过MATLAB仿真实验仿真分析,该方法能够有效地实现赛道的畸变校正,为后续对赛道图像的进一步处理奠定了基础。     

多重驱动模式下开放式知识网络的时空演化模型及治理策略

开放式复杂网络下知识的快速流转及有效分配决定着跨时空知识创新与价值创造的实现,在揭示开放式知识网络典型特征的基础上,结合网络参与主体的联合程度,针对联合式、强驱动式及无意识式多重驱动模式阐述知识结构布局的存量、流量和转量的影响要素与作用机理。建立开放式知识网络总量的二元时空交流域方程,深入挖掘网络时空分布的测度方法与演化特征。运用多层次案例研究方法,分析2012～2017年间3类知识服务网络的产生与演变过程,提出知识网络的治理策略。研究发现,不同驱动模式下的网络知识构成伴随组织形态不断演化发展,呈现为获取渗透、交换潜化、扩散倍化及转化应用4个阶段。知识市场缺口与地理缺口的时空距离不断减少,知识溢出效果不断增强,有效的知识治理方案有助于开放式知识系统的形成。     

干熄焦余热发电对焦化厂电压影响分析及对策

围绕某焦化厂干熄焦余热发电站并网发电后出现的焦化厂电力系统10 kV母线电压偏高问题,分析了电压偏高的原因,并提出了几点切实可行的应对措施,较好地保证了焦化厂电力系统的安全、可靠、稳定运行,充分利用了干熄焦的产能,实现了节能、环保、经济效益最大化。     

瑞雪兆丰年 新年攀高峰——上海市包装技术协会纸委会主任工作会议在上海环球金融中心召开

<正>1月28日下午,上海市包装技术协会纸委会主任、常务副主任和秘书长工作会议在上海环球金融中心召开。荣誉主任郑两旺(委派李春和特助),常务副主任黄俊、丁根龙、费毅豪(委派办公室主任),副主任张荣毅、郁士明,常务副秘书长杨国新(委托副秘书长冯海韬)等参加了会议。会议由纸委会主任范德建主持。会议提出上海的纸包装企业要顺应上海产业升级和改革创新的要求,要从市场的变改为抓手做好产业链的     

Diodes沟槽型超级势垒整流器提高下一代充电器效率

Diodes推出全新两款采用了旗下专利沟槽型超级势垒整流(Trench SBR)技术的器件SBRT15U50SP5及SBRT20U50SLP,能够实现下一代电池充电器对效率和温度的严格要求。两款全新沟槽型超级势垒整流器具有超低正向电压、低漏电流,并以较低的温度工作,有效满足充电器输出整流二极管的要求,从而易于处理36 k Hz断续模式充电器设计的较短电流脉冲。Diodes推出的两款器件包括适合10W智能手机充电器的15 A SBRT15U50SP5,以及为12.5 W平板电脑充电器而设的     

一种交流电动伺服控制系统设计

提出一种高性能、交流电动伺服系统。重点研究了控制电路的信号处理、隔离及采样,功率开关器件IGBT的驱动电路,提出一种隔离、驱动、保护方案。系统采用空间电压矢量控制策略,实现具有位置、电流、速度三环控制的全数字化、高性能交流控制系统,实验结果表明,系统具有实时性强、动态响应快、功率器件驱动保护电路性能稳定、可靠性高等优点。     

《计算机与应用化学》征稿简则

<正>《计算机与应用化学》是化学、化工类中文核心期刊。该刊重点刊登应用化学,以及应用计算机技术在化学、化工、材料、生物技术、生命科学、医药、农药、石油化工、能源、冶金、资源与环境、系统工程、安全技术等领域中应用的原创性研究沦文、研究快报、学术论坛、应用技术、软件介绍、信息交流、书讯、讲座、广告,以及评述性综述文章。来稿要求:作者须遵守《中华人民共和国著作权法》,不得一稿多投,引用他人作品时,务必在参考文献中著录,严禁抄袭,文责自负。来稿应论     

InGaAs MOSFET的电容电压特性

通过自洽求解泊松和薛定谔方程,计算了GaAs,InAs和InGaAs MOSFET的电容电压(CV)特性,并与Si MOSFET的CV特性以及GaAs MOSFET的CV测量结果做了比较。研究结果表明,对于电子有效质量较轻的InGaAs半导体,量子效应非常明显,反型电容显著降低。研究结果还表明,随着栅介质有效厚度的减小和沟道掺杂浓度的增加,量子效应更加突出,反型电容进一步减小。